• 使用超低電壓 MOSFET 陣列進行設計，第三部分使用超低電源電壓驅動

    在 5V、3.3V 或更低電壓下運行的低壓系統(tǒng)通常需要具有 1V 或更低閾值或開啟電壓的有源 MOSFET 器件。對于模擬設計，該閾值電壓直接影響工作信號電壓范圍。

  • 使用超低電壓 MOSFET 陣列進行設計，第二部分EPAD MOSFET 關鍵性能特征

    EPAD MOSFET 專為實現(xiàn)器件電氣特性的出色匹配而設計。這些器件專為實現(xiàn)最小失調電壓和差分熱響應而構建。由于集成在同一塊單片芯片上，它們還具有出色的溫度系數(shù)跟蹤特性。

  • 使用超低電壓 MOSFET 陣列進行設計，第一部分EPAD MOSFET器件介紹

    在電路設計中追求更低的工作電壓和更低的功耗水平是一種趨勢，這給電氣工程師帶來了艱巨的挑戰(zhàn)，因為他們遇到了基本半導體器件特性對他們施加的限制。長期以來，工程師們一直將這些特性視為基本特性，并且可能阻礙了他們將可用電壓范圍最大化，否則會使新電路獲得成功。

  • 功率半導體：鍺和 SiGe 可能獲得另一次機會

    有時，一項引發(fā)根本性或戲劇性進步的技術或技術很快就會被最初創(chuàng)新的變化或改進所取代，鍺基晶體管就是一個很好的例子。75 年前的 1947 年，當約翰·巴丁 (John Bardeen)、沃爾特·布拉頓 (Walter Brattain) 和威廉·肖克利 (William Schockley) 開發(fā)并展示了第一個晶體管(一種點接觸器件)時，固態(tài)和現(xiàn)代電子時代誕生了。他們的晶體管使用摻雜的鍺，金箔觸點用小彈簧推到表面。

  • 使用去補償放大器，無需提高電流即可獲得寬帶寬或大轉換率

    如今，從 PDA 和智能手機到醫(yī)療設備和測試設備，所有手持設備都觸手可及，因此我們需要它們盡可能長時間地使用就不足為奇了。 然而，一個關鍵問題是運算放大器的速度，因為低功耗通常意味著有限的速度，例如帶寬和轉換率。我說“通?！笔且驗橛欣猓覀儗⒃诖颂幱懻摗?/p>

  • 我們從Analog 的“不完美”中學會了什么？

    在儀器儀表系統(tǒng)中，常常需要將檢測到的連續(xù)變化的模擬量如：溫度、壓力、流量、速度、光強等轉變成離散的數(shù)字量，才能輸入到計算機中進行處理。這些模擬量經(jīng)過傳感器轉變成電信號(一般為電壓信號)，經(jīng)過放大器放大后，就需要經(jīng)過一定的處理變成數(shù)字量。實現(xiàn)模擬量到數(shù)字量轉變的設備通常稱為模數(shù)轉換器(ADC)，簡稱A/D。

  • ALD810030 精密MOSFET 為四個匹配的超級電容器進行自動平衡

    一種新的精密 MOSFET 陣列——旨在平衡和調節(jié)額定電壓更高的超級電容器——適用于廣泛的應用，如執(zhí)行器、遠程信息處理、太陽能電池板、應急照明、安全設備、條形碼掃描儀、高級計量箱和備用電池系統(tǒng)。

  • 提高寬帶隙功率器件故障分析的準確性

    預計 2018 年至 2050 年間，世界能源消耗將增長近 50%，原因是對可再生能源的需求增加、汽車工業(yè)系統(tǒng) 電氣化，以及對電源管理應用中設備小型化和提高效率的需求不斷增長。

  • SiC 器件正在取代現(xiàn)有 Si 器件的高影響力應用機會已經(jīng)出現(xiàn)

    SiC 器件正在取代現(xiàn)有 Si 器件的高影響力應用機會已經(jīng)出現(xiàn)，包括 xEV 和鐵路電力電子設備，具有更低的損耗和更低的冷卻要求;具有降低冷卻負荷和更高效率的新型數(shù)據(jù)中心拓撲結構;用于高效大功率電動機的變頻驅動器，可降低整體系統(tǒng)成本;更高效、靈活和可靠的網(wǎng)格應用程序，減少系統(tǒng)占用空間;以及“更多電動航空航天”，重量、體積和冷卻系統(tǒng)的減少有助于節(jié)能。就電動汽車而言，目前大多數(shù)使用 400V 總線架構，因此 650V SiC 器件與成熟且堅固的硅 IGBT 競爭，而 GaN 則在利潤豐厚的牽引逆變器、DC/DC 轉換器和車載充電器中競爭市場。

  • 討論寬帶隙半導體背后的技術、市場前景和機遇

    GaN Systems 銷售和營銷副總裁 Larry Spaziani 在接受 記者采訪時 談到了寬帶隙半導體背后的技術、市場前景和機遇。

  • 進一步了解氮化鎵和碳化硅目前贏得業(yè)務的市場

    電力電子在采用 GaN 和 SiC 器件方面發(fā)生了變化。硅仍然主導著市場，但很快，這些設備的出現(xiàn)將引導技術走向新的、更高效的解決方案。Yole Développement 估計，到 2025 年來自 SiC 器件的收入將占市場的 10% 以上，而來自 GaN 器件的收入到 2025 年將超過 2% 的市場。一些主導市場的公司是 STMicroelectronics、Cree/ Wolfspeed、ROHM、Infineon、Onsemi 和 Mitsubishi Electric 用于 SiC 功率器件。而在這個領域，GaN Yole Développement 擁有 Power Integrations 和 Infineon 作為參與者，以及 Navitas、EPC、GaN Systems 和 Transphorm 等創(chuàng)新初創(chuàng)企業(yè)。

  • 電源設計說明：分析用于高性能應用的新型 SiC 和 GaN FET 器件

    在本文中，我們分析了一些碳化硅和氮化鎵 FET器件的靜態(tài)和動態(tài)行為。公司正將精力集中在這些類型的組件上，以創(chuàng)建高效轉換器和逆變器。

  • 使用SiC 功率堆棧參考設計，來加速電動汽車高壓系統(tǒng)的開發(fā)

    電動汽車和可再生能源系統(tǒng)的電源管理解決方案必須降低性能和成本，同時還要縮短開發(fā)時間。電動汽車設計師(EV)、商業(yè)運輸、可再生能源和存儲系統(tǒng)現(xiàn)在可以極大地受益于碳化硅堆棧解決方案，該解決方案可提高性能并降低成本，同時將上市時間縮短最多六個月。由于 Microchip Technology 與 Mersen 之間簽署的合作協(xié)議，Mersen 成為可能，Mersen 是一家全球電源管理解決方案提供商，服務于包括電動汽車和儲能在內的多個行業(yè)。美爾森的 150 千伏安 (kVA) 三相碳化硅功率堆棧參考設計為系統(tǒng)設計人員提供了完整、緊湊、高功率的碳化硅解決方案，無需單獨的設備采購、測試和鑒定。

  • SiC-MOSFET終端區(qū)對開關損耗的物理分析

    盡管硅是電子產(chǎn)品中使用最廣泛的半導體，但最近的研究表明它有一些局限性，特別是在大功率應用中。帶隙是基于半導體的電路的相關因素，因為高帶隙在高溫、電壓和頻率下的操作方面具有優(yōu)勢。硅的帶隙為 1.12 eV，而碳化硅的帶隙值高 3 倍，為 3.2 eV，因此性能和效率更高，開關頻率更高，總占位面積更小。

    功率器件
    2022-12-15
    SiC MOSFET

  • 使用GaN讓大功率使用環(huán)境中的設備保持合適的溫度

    自從引入 USB-PD 規(guī)范及其演進以來，用于為從手機到筆記本電腦等日常電子設備供電的電源適配器的格局發(fā)生了巨大變化。雖然USB-PD確保了廣泛的兼容性，但電源適配器設計變得更具挑戰(zhàn)性：現(xiàn)在，電源適配器必須支持廣泛的輸出電壓(與專用適配器的單一輸出電壓相反)。同時，最終用戶對更輕、更小適配器的需求仍在繼續(xù)。近年來引入了氮化鎵功率開關來滿足這些雙重要求。

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