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RS瑞森半導(dǎo)體低壓MOS在電動(dòng)車控制器中的應(yīng)用
瑞森半導(dǎo)體低壓MOS-SGT產(chǎn)品，具有參數(shù)一致性高、抗沖擊能力強(qiáng)等特點(diǎn)，為電動(dòng)車駕乘提供有力保障
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提高功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試效率的7個(gè)方法
本文介紹了提高功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試效率的7個(gè)方法，希望能夠幫助工程師快速完成測(cè)試、獲得測(cè)試結(jié)果、提升工作效率、節(jié)約時(shí)間和精力。
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GaN 功率器件，E-模式 HEMT技術(shù)選擇介紹和發(fā)展情況
最流行的 e-mode HEMT 結(jié)構(gòu)是在柵極上使用 p-GaN 層。實(shí)現(xiàn)的典型 Vt 在 1-2 V 范圍內(nèi)。HEMT 在開關(guān)應(yīng)用中的固有優(yōu)勢(shì)得以保留，并且開關(guān)損耗可以更低。e-mode 器件的主要缺點(diǎn)之一是其低 Vt，這可能導(dǎo)致柵極對(duì)噪聲和 dV/dt 瞬態(tài)的抗擾度較差。出于可靠性原因，最大柵極電壓通常限制為 6-7 V，并且可能需要負(fù)電壓來關(guān)閉器件。
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.GaN 功率器件，D 模式 HEMT技術(shù)選擇介紹
氮化鎵 (GaN) 功率器件在幾個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)上都優(yōu)于硅 (Si)。具有低本征載流子濃度的寬帶隙允許更高的臨界電場(chǎng)，從而允許在更高的擊穿電壓下具有降低的特定導(dǎo)通電阻 (Rds on ) 的更薄的漂移層。導(dǎo)通損耗可以通過較低的 Rdson 降低，而動(dòng)態(tài)損耗可以通過GaN可能的更小的裸片尺寸來降低. 當(dāng)它與鋁基異質(zhì)結(jié)構(gòu)結(jié)合時(shí)形成二維電子氣 (2DEG) 的能力導(dǎo)致了備受青睞的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 功率器件。
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RS瑞森半導(dǎo)體低壓MOS在小家電的應(yīng)用
多款低壓MOS產(chǎn)品應(yīng)用在九陽小家電上，瑞森半導(dǎo)體堅(jiān)持“首件確認(rèn)，始終如一”的原則，成為眾多品牌的長(zhǎng)期合作伙伴
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RS瑞森半導(dǎo)體超高壓MOSFET 900V-1500V填補(bǔ)國內(nèi)市場(chǎng)空白
瑞森半導(dǎo)體研發(fā)出耐壓更高、導(dǎo)通內(nèi)阻更低的900V-1500V的超高壓系列MOS管，打破了進(jìn)口品牌壟斷的局面
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英飛凌的新建工廠計(jì)劃，擴(kuò)大功率器件的產(chǎn)能
英飛凌擴(kuò)展印度尼西亞后端站點(diǎn)以滿足汽車 IC 需求 作為其長(zhǎng)期投資戰(zhàn)略的一部分，德國芯片制造商英飛凌科技表示，它計(jì)劃擴(kuò)大其在印度尼西亞巴淡島的現(xiàn)有后端業(yè)務(wù)。預(yù)計(jì)將于 2024 年開始生產(chǎn)。
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高溫對(duì)電氣設(shè)備的影響分析，電氣設(shè)備的熱分析
有沒有想過人們對(duì)電路過熱引起的電涌引起的爆炸以及電器損壞甚至火災(zāi)的后果的反應(yīng)?人們?cè)谏眢w、情感和心理上受到創(chuàng)傷的方式促使電力行業(yè)的專家將注意力集中在分析電力行為上。這樣，可以防止此類損壞，如果可能的話，可以通過適當(dāng)?shù)臒峁芾硐祟悡p壞。
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排名前 10 名開關(guān)和繼電器-繼電器器件
與開關(guān)一樣，繼電器也有多種形式，包括通用型、電源型、簧片型以及接觸器，它們旨在處理非常高的電流和電壓以及固態(tài)設(shè)備。
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鉭電容器的優(yōu)點(diǎn)和器件最新發(fā)展，鉭電容產(chǎn)品操作指南
鉭電容器為高密度、高性能電子電路的設(shè)計(jì)人員提供了性能穩(wěn)定的可靠高電容解決方案。鉭電容器歷來深受設(shè)計(jì)工程師的喜愛，廣泛用于大容量?jī)?chǔ)能、濾波和去耦等應(yīng)用。鉭電容器技術(shù)的進(jìn)步包括聚合物陰極系統(tǒng)的成熟，這帶來了更低的有效串聯(lián)電阻 (ESR)、封裝密度的顯著提高以及有效串聯(lián)電感 (ESL) 的降低。在這里，我們將研究這些發(fā)展對(duì)績(jī)效的影響。
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RS瑞森半導(dǎo)體在電動(dòng)工具、鋰電保護(hù)板上的應(yīng)用
瑞森RS40N130G型號(hào)及低壓MOSFET-SGT系列?在電動(dòng)工具、鋰電保護(hù)板上的應(yīng)用
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選擇功率 MOSFET 的簡(jiǎn)單指南
鑒于現(xiàn)在可用的 MOSFET 可供選擇的范圍很廣，并且分配給主板電源的空間越來越小，使用可靠、一致的方法來選擇正確的 MOSFET 變得越來越重要。這種方法可以加快開發(fā)周期，同時(shí)優(yōu)化特定應(yīng)用的設(shè)計(jì)。
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如何在我們的項(xiàng)目中選擇合適的 MOSFET 器件
隨著為個(gè)人計(jì)算機(jī) (PC) 應(yīng)用中的核心 DC-DC 轉(zhuǎn)換器開發(fā)的同步降壓轉(zhuǎn)換器的開關(guān)頻率向 1MHz-2MHz 范圍移動(dòng)，MOSFET 損耗變得更高。由于大多數(shù) CPU 需要更高的電流和更低的電壓，這一事實(shí)變得更加復(fù)雜。當(dāng)我們添加其他控制損耗機(jī)制的參數(shù)(如電源輸入電壓和柵極驅(qū)動(dòng)電壓)時(shí)，我們需要處理更復(fù)雜的現(xiàn)象。但這還不是全部，我們還有可能導(dǎo)致?lián)p耗顯著惡化并因此降低功率轉(zhuǎn)換效率 (ξ) 的次要影響。
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關(guān)于氮化鎵實(shí)際使用的熱管理方面討論
所以，我想說這個(gè)概念是完全可擴(kuò)展的。因此，我們可以為低功率制作非常高的 RDS (on) 部件，或?yàn)楦吖β手谱鞣浅５偷?RDS (on) 部件。通過簡(jiǎn)單地重塑設(shè)計(jì)，它可以擴(kuò)展到低電壓，但這個(gè)概念是成立的。這就是我們基本上認(rèn)為我們已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了最初目標(biāo)的方式。
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多層外延工藝超結(jié)MOS在電源中的應(yīng)用
瑞森超結(jié)mos對(duì)標(biāo)英飛凌產(chǎn)品性能，看其在電源中的應(yīng)用
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英領(lǐng)物聯(lián) | 成為“功率器件”的大滿貫選手
從碳達(dá)峰到碳中和，無疑是需要付出艱苦努力的。對(duì)于半導(dǎo)體行業(yè)從業(yè)者們來說，則意味著一系列與新能源、電子轉(zhuǎn)換、節(jié)電相關(guān)的技術(shù)產(chǎn)品需求會(huì)在未來幾年內(nèi)迅速升溫。我們有理由相信，面對(duì)浩瀚如海洋星辰的物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)，通過持續(xù)的材料、技術(shù)與應(yīng)用創(chuàng)新，英飛凌將為產(chǎn)業(yè)帶來更多低碳、高效的互聯(lián)解決方案。
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我們?nèi)绾慰创磥韼啄甑?GaN?
我們?nèi)绾慰创磥韼啄甑?GaN?與 GaN 競(jìng)爭(zhēng)的其他寬帶隙材料有哪些?所以，我提到了碳化硅。因此，這些天來，我們也在談?wù)撾妱?dòng)汽車。那么，與其他解決方案相比，GaN 在哪些方面可以提供更好的價(jià)值呢?我們期望在哪里看到下一波增長(zhǎng)?
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氮化鎵技術(shù)討論，第二部分
目前有幾個(gè) GaN 器件概念。那么你能告訴我哪些是主要的，從設(shè)計(jì)的角度來看你的發(fā)展方向是什么? 所以我想說有很多概念，遠(yuǎn)不止兩個(gè)，但不知何故，我們可以談?wù)摌O端：所謂的Cascode GaN和所謂的增強(qiáng)模式GaN。由于我的第一家公司，級(jí)聯(lián) GaN 實(shí)際上是第一個(gè)誕生的。當(dāng)功率 GaN 研究的先驅(qū) International Rectifier 首次開始開發(fā)基于級(jí)聯(lián)的 GaN 解決方案時(shí)，我就在那里。
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氮化鎵技術(shù)討論，第一部分
氮化鎵提高了功率轉(zhuǎn)換級(jí)的效率。GaN 很有吸引力，因?yàn)樗裙杈哂懈叩哪苄?、更小的尺寸、更輕的重量和更便宜的總成本。在劍橋 GaN 器件業(yè)務(wù)開發(fā)副總裁 Andrea Bricconi 的討論中，我們將分析這個(gè)寬帶隙生態(tài)系統(tǒng)的最新技術(shù)，這些技術(shù)將推動(dòng)下一步的改進(jìn)。
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分析SiC器件的成本競(jìng)爭(zhēng)力，第四部分
目前SiC在成本方面，以及 150 毫米直徑的基板或 200 毫米。因此，展望未來，重點(diǎn)將放在開發(fā)用于擴(kuò)大碳化硅器件應(yīng)用的技術(shù)上。有分析認(rèn)為，未來未來，碳化硅解決方案將占據(jù)電力電子市場(chǎng)的很大一部分，很大一部分，可以說是電動(dòng)汽車。那么，我們?nèi)绾慰创徒档统杀镜募夹g(shù)對(duì)于實(shí)現(xiàn)這些市場(chǎng)滲透尤為重要。那么，高價(jià)格背后的原因是什么，以及可以采取哪些措施來為下一個(gè)市場(chǎng)未來降低價(jià)格?
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