在汽車電子市場(chǎng)不能不談到全球頂尖汽車電子芯片廠商——英飛凌,產(chǎn)品線涵蓋傳感器,微處理器和執(zhí)行器。英飛凌功率器件全球市場(chǎng)份額連續(xù)11年第一。全球每部新車?yán)锍^(guò)1/2的負(fù)
美國(guó)透明度市場(chǎng)研究公司近日發(fā)布研究報(bào)告稱,2012年氮化鎵半導(dǎo)體器件市場(chǎng)產(chǎn)值為3.7982億美元,并將在2019年達(dá)到22.0373億美元。其中,軍事國(guó)防和宇航部分占據(jù)氮化鎵半導(dǎo)體市場(chǎng)的最高
一、不要使用雙極型功率器件 DougBailey指出由于雙極型功率器件比MOSFET便宜,一般是2美分左右一個(gè),所以一些設(shè)計(jì)師為了降低LED驅(qū)動(dòng)成本而使用雙極型功率器件,這樣會(huì)嚴(yán)
變頻器逆變模塊損壞多半是由于驅(qū)動(dòng)電路損壞致使1個(gè)橋臂上的2個(gè)開(kāi)關(guān)器件同一時(shí)間導(dǎo)通所造成的。變頻器逆變功率模塊損壞是不管在矢量變頻器還是節(jié)能變頻器等其他變頻設(shè)備上常見(jiàn)到的故障,解決這種問(wèn)題只有
上海汽車集團(tuán)股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“上汽集團(tuán)”)和英飛凌科技股份公司(以下簡(jiǎn)稱“英飛凌”)今日宣布成立合資企業(yè),為中國(guó)充滿活力的電動(dòng)汽車市場(chǎng)制造功
1、華潤(rùn)微電子原法務(wù)總監(jiān)王頎投案 2018年6月17日,在中央反腐敗協(xié)調(diào)小組國(guó)際追逃追贓工作辦公室統(tǒng)籌協(xié)調(diào)下,經(jīng)中央有關(guān)部門和江蘇、江西省紀(jì)委監(jiān)委扎實(shí)工作,涉嫌職務(wù)犯罪的紅通人員王頎被迫
6月26日至28日,PCIM亞洲展于上海世博展覽館舉行。三菱電機(jī)半導(dǎo)體大中國(guó)區(qū)攜多款代表業(yè)界流行趨勢(shì)的功率器件產(chǎn)品(IGBT、IPM、DIPIPM、HVIGBT和EV-PM等)及相關(guān)解決方案在展
什么是600V小型智能功率器件?它有什么作用?東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出型號(hào)為“TPD4162F”的高壓智能功率器件(IPD)。該器件采用小型表面貼裝封裝,設(shè)計(jì)用于空調(diào)、空氣凈化器和泵等產(chǎn)品中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。并計(jì)劃于今日開(kāi)始出貨。
讓電源產(chǎn)品設(shè)計(jì)不再迷茫!
半導(dǎo)體在汽車中的應(yīng)用集中為傳感器、微控制器和功率半導(dǎo)體。隨著汽車電子化率的提高,底盤、動(dòng)力總成和ADAS用MCU微控制器芯片和傳感器在新能源汽車上的應(yīng)用要高出燃油車。但是它們不如功率半導(dǎo)體增加量
什么是氮化鎵?它有什么作用?氮化鎵一直是永不落伍的熱點(diǎn)話題,只是因?yàn)樗c我們的生活息息相關(guān),那是因?yàn)槲覀兊娜粘8请x不開(kāi)半導(dǎo)體技術(shù),比如說(shuō):電器、手機(jī)、電腦以及各種電子設(shè)備等都需要半導(dǎo)體來(lái)實(shí)現(xiàn),由此更能看出,半導(dǎo)體材料的未來(lái)前景更是一片光明,目前最新的半導(dǎo)體材料還是GaN,本文帶各位了解2020年的氮化鎵(GaN)又會(huì)有著怎樣的機(jī)遇?
3 月 5 日訊,計(jì)劃建設(shè)集成電路制造生產(chǎn)線的長(zhǎng)沙比亞迪?IGBT?項(xiàng)目正式啟動(dòng)建設(shè),該項(xiàng)目致力于解決新能源汽車電子核心功率器件“卡脖子”問(wèn)題。 據(jù)了解,比亞迪近年來(lái)一直致力于微電子領(lǐng)域
什么是功率MOSFET?他有什么作用?從事電源電子行業(yè)的工程師們對(duì)功率MOSFET肯定不陌生,今天小編為大家總結(jié)了一些MOSFET應(yīng)用心得,很經(jīng)典很實(shí)用,不要錯(cuò)過(guò)哦!
對(duì)市場(chǎng)新推出的低功耗IC 及功率器件特性無(wú)法準(zhǔn)確把握?是否真正在自己的電源設(shè)計(jì)中發(fā)揮最大的作用,缺少一種簡(jiǎn)單經(jīng)濟(jì)的評(píng)價(jià)方法。
領(lǐng)先的汽車咨詢公司在技術(shù)演示器中采用Nexperia已獲AEC-Q101認(rèn)證的GaN FET器件
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近期,華虹集團(tuán) 2020 年全球設(shè)備、材料等主要供應(yīng)商迎新座談會(huì)在位于江蘇無(wú)錫的華虹七廠隆重召開(kāi)。在晚宴上,華虹集團(tuán)舉行了華虹七廠首批功率器件產(chǎn)品交付儀式。
據(jù)中國(guó)科學(xué)院官方微博12月4日消息,陳星弼院士逝世。 2019年12月4日17時(shí)10分,半導(dǎo)體器件及微電子學(xué)專家、“中國(guó)功率器件領(lǐng)路人”陳星弼在四川成都逝世,享年89歲。陳星弼,1931年1月出生于上
采用Si基MOSFET和SiC基的JFET,采用共源共柵的方式將其燒結(jié)在一起,是United SiC的最大設(shè)計(jì)特色。這種結(jié)構(gòu)確保其產(chǎn)品可以保持與Si類功率器件保持一致的驅(qū)動(dòng)電壓,從而可以幫助可以直接在原有的Si基礎(chǔ)的電路中進(jìn)行直接的升級(jí)和替換。而此次最新推出的UF3SC系列SiC器件,更是以小于10mΩ的業(yè)界最低Rds(on)將SiC器件的性能提升到了新的高度,面對(duì)電動(dòng)汽車和5G等全新應(yīng)用需求,United SiC可以給客戶提供集成度更高、更加高效、更為穩(wěn)定可靠的解決方案。
2019年12月4日17時(shí)10分,“中國(guó)功率器件領(lǐng)路人”陳星弼在四川成都逝世,享年89歲。 陳星弼,1931年1月出生于上海,1952年畢業(yè)于國(guó)立同濟(jì)大學(xué)電機(jī)系,先后在廈門大學(xué)、南京工學(xué)院及中國(guó)科學(xué)院物理研究所工
隨著社會(huì)的不斷進(jìn)步,技術(shù)的不斷發(fā)展,科技產(chǎn)品也日新月異,產(chǎn)品都需要功率器件,好的功率器件需要更好的設(shè)計(jì)者來(lái)設(shè)計(jì),功率器件對(duì)電子產(chǎn)品是功不可沒(méi)的。本文介紹目前用于電子產(chǎn)品和自動(dòng)化電子控制設(shè)備及功率半導(dǎo)體器件的保護(hù)方法。