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RS瑞森半導(dǎo)體系列產(chǎn)品在PD快充上的應(yīng)用
PD快充市場瑞森半導(dǎo)體主推：碳化硅二極管、超結(jié)COOL MOS、低壓SGT MOS、低壓Trench MOS
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Navitas 在 GaN 半導(dǎo)體領(lǐng)域的設(shè)計(jì)之旅
Navitas Semiconductor 是一家主要的氮化鎵 (GaN) 功率器件供應(yīng)商，在拉斯維加斯舉行的 CES 2023 上展示了其最新產(chǎn)品。這些基于 GaN 的設(shè)備涵蓋從 20-W 手機(jī)充電器到 2-kW 數(shù)據(jù)中心電源和 20-kW 電動汽車 (EV) 充電器到兆瓦級并網(wǎng)產(chǎn)品。
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下一代氮化鎵 (GaN)半橋 IC 可以提供 2 MHz 的開關(guān)頻率
傳統(tǒng)上，電源設(shè)計(jì)人員必須使用分立晶體管和多個外部元件(例如驅(qū)動器、電平轉(zhuǎn)換器、傳感器、自舉電路和外圍設(shè)備)構(gòu)建半橋電路。Navitas Semiconductor最近宣布推出業(yè)界首款 GaNSense 半橋功率 IC，采用緊湊型 6×8-mm 表面貼裝 PQFN 封裝。
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SiC 與半導(dǎo)體垂直整合的復(fù)興，先進(jìn) SiC 解決方案的需求不斷增長
碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體在處理高功率和導(dǎo)熱方面比電動汽車 (EV) 系統(tǒng)和能源基礎(chǔ)設(shè)施中的傳統(tǒng)硅更有效的能力現(xiàn)已得到廣泛認(rèn)可。SiC 器件有助于更有效地將電力從電池傳輸?shù)?EV 系統(tǒng)組件中的電機(jī)，從而將 EV 的行駛里程增加 5% 至 10%。
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SiC 和 GaN：兩種半導(dǎo)體的故事以及以后發(fā)展的預(yù)測
在過去的幾十年里，碳化硅和氮化鎵技術(shù)的進(jìn)步以發(fā)展、行業(yè)接受度的提高和有望帶來數(shù)十億美元的收入為特征。第一個商用 SiC 器件于 2001 年以德國英飛凌的肖特基二極管形式問世。隨之而來的是快速發(fā)展，到 2026 年，該行業(yè)有望超過 40 億美元。
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碳化硅 (SiC) 用于各種應(yīng)用已有 100 多年的歷史,為什么SiC 突然流行起來
碳化硅 (SiC) 用于各種應(yīng)用已有 100 多年的歷史。然而，如今半導(dǎo)體材料比以往任何時候都更受歡迎，這在很大程度上是由于其在工業(yè)應(yīng)用中的使用。
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SiC 半導(dǎo)體功率器件對能源效率的重要性
電力電子新技術(shù)的發(fā)展已將工業(yè)市場引向其他資源以優(yōu)化能源效率。硅和鍺是當(dāng)今用于生產(chǎn)半導(dǎo)體的兩種主要材料。損耗和開關(guān)速度方面的有限發(fā)展已將技術(shù)引向新的寬帶隙資源，例如碳化硅 (SiC)。
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RS瑞森半導(dǎo)體在PC電源上的應(yīng)用
瑞森半導(dǎo)體高壓MOS系列，專有的功率MOS結(jié)構(gòu)，高溫特性優(yōu)良，滿足不同功率段PC電源需求
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功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)選型避坑指南
泰克科技推出的功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)DPT1000A采用轉(zhuǎn)接板的方式，滿足了絕大多數(shù)封裝形式分立器件的測試需求。
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通過最新 GaN 器件提高設(shè)備電源效率，降低能源消耗
從 EPC 的角度來看，我們將通過我們的 GaN 器件推出全新一代技術(shù)。所以那將是一個令人興奮的發(fā)布。我們顯然也期待與我們在汽車行業(yè)以及最近真正起飛的太陽能行業(yè)的合作伙伴公司討論我們在 GaN 方面的所有新技術(shù)。因此，電源解決方案的設(shè)計(jì)人員面臨挑戰(zhàn)，并且越來越多地轉(zhuǎn)向所謂的寬帶隙技術(shù)來克服硅的局限性。其中之一是 GaN，您非常了解它。所以正如你在一篇文章中所說，GaN技術(shù)有一個硅無法比擬的優(yōu)勢。這就是將功率器件與信號和數(shù)字器件集成的能力。那么你在哪里押注 GaN，為什么?
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垂直 GaN 技術(shù)：GaN 在橫向和縱向技術(shù)方面的主要技術(shù)差異
垂直結(jié)構(gòu)通常被認(rèn)為有利于高電壓、高功率器件，因?yàn)樗阌陔娏鲾U(kuò)散和熱管理，并允許在不增大芯片尺寸的情況下實(shí)現(xiàn)高電壓幾乎所有商用的MV/HV Si和SiC功率器件都是基于垂直結(jié)構(gòu)此外，與GaN-on-Si外延相比，GaN-on-GaN同質(zhì)外延層具有更低的位錯密度，(VON)是由GaN的大能帶隙引起的。先進(jìn)的sbd是非?？扇〉?，因?yàn)樗鼈兘Y(jié)合了肖特基樣正向特性(具有低VON)和pn樣反向特性(峰值電場從表面移到半導(dǎo)體中)。
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垂直 GaN 技術(shù)：在哪些領(lǐng)域會有重大的技術(shù)擴(kuò)張機(jī)會？
垂直氮化鎵設(shè)備能夠達(dá)到更高的頻率和操作在更高的電壓，這應(yīng)該導(dǎo)致新一代更有效的電力設(shè)備，現(xiàn)在的一些挑戰(zhàn)，具體來說，你正在工作與橫向氮化鎵相比，有什么制造問題，問題降低成本?我想這很重要。所以，我們談?wù)摰氖菍W(xué)術(shù)上的垂直氮化鎵，還是我們可以在市場上找到解決方案?
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Onsemi：使用SIC等功率器件為碳中和做出的貢獻(xiàn)
為可再生能源提供動力以創(chuàng)造更美好的明天，因此，不僅是 GaN 和 SiC 等寬帶隙半導(dǎo)體，還有圍繞電力電子、智能電網(wǎng)、微電網(wǎng)、宏觀電網(wǎng)、人工智能的多種技術(shù)，都將支持這種擴(kuò)展。我們作為技術(shù)社區(qū)和工程師的責(zé)任是采取行動做某事，所以我們每個人都應(yīng)該邁出第一步。因此，我們不僅對個人負(fù)責(zé)，而且對組織負(fù)責(zé)。那么阻礙零碳和低碳能源更廣泛部署的關(guān)鍵技術(shù)瓶頸是什么?你認(rèn)為生產(chǎn)太陽能電池板等的所謂稀有材料的競爭?
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GaN在能源和電力市場已經(jīng)徹底改變了高功率應(yīng)用
到目前為止，我們已經(jīng)涉足能源和電力市場數(shù)十年，我們的目標(biāo)確實(shí)是為專注于電力轉(zhuǎn)換和儲能應(yīng)用的客戶提供支持，例如交通運(yùn)輸、可再生能源、重型工業(yè)機(jī)械。我們一直在全球范圍內(nèi)這樣做。所以我想說大約十年前，我們看到對更高效的電源解決方案和高功率密度以及小尺寸的需求在增加。所以這就是為什么我們一直專注于寬帶半導(dǎo)體的早期階段。我指的是氮化鎵或 GaN 和碳化硅。這幫助我們走在了今天采用這些技術(shù)的前沿。
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聊一聊碳化硅，下一波SiC制造的供應(yīng)鏈和成本
今天，我們就來聊一聊碳化硅，下一波SiC制造，供應(yīng)鏈和成本。SiC 行業(yè)在許多市場都在增長。電動汽車市場正準(zhǔn)備轉(zhuǎn)向 SiC 逆變器，正如特斯拉已經(jīng)做的那樣。作為戰(zhàn)略合作的一部分，梅賽德斯-奔馳已將 onsemi SiC 技術(shù)用于牽引逆變器。因此，SiC 器件的范圍得到了廣泛認(rèn)可，并提供了傳統(tǒng) IGBT 的寬帶隙替代品。
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意法半導(dǎo)體推出具超強(qiáng)散熱能力的車規(guī)級表貼功率器件封裝ACEPACK SMIT
2023 年 1 月 16日，中國——意法半導(dǎo)體推出了各種常用橋式拓?fù)涞腁CEPACK? SMIT 封裝功率半導(dǎo)體器件。與傳統(tǒng) TO 型封裝相比，意法半導(dǎo)體先進(jìn)的ACEPACK? SMIT 封裝能夠簡化組裝工序，提高模塊的功率密度。
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碳化硅器件動態(tài)特性測試技術(shù)剖析
碳化硅功率器件作為新一代功率半導(dǎo)體器件，以其優(yōu)異的特性獲得了廣泛的應(yīng)用，同時也對其動態(tài)特性測試帶來了挑戰(zhàn)。
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飛虹微電子：功率器件客戶對國產(chǎn)廠商質(zhì)量要求更高
在工業(yè)級市場，實(shí)際上客戶對國內(nèi)廠商的品質(zhì)要求往往比國外競品更高。無論是采購，還是負(fù)責(zé)選型的工程師，選擇主流進(jìn)口品牌的產(chǎn)品都是風(fēng)險(xiǎn)最低的抉擇。因?yàn)檫x擇國產(chǎn)品牌，萬一出問題，相關(guān)負(fù)責(zé)人要承擔(dān)極大的問責(zé)。
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RS瑞森半導(dǎo)體之LLC方案設(shè)計(jì)有“理”可依
瑞森半導(dǎo)體照明方案利用LLC諧振電路工作原理構(gòu)成PFC電路，實(shí)現(xiàn)高PF(可高達(dá)0.99）和低THD(小于10%）兩個性能，節(jié)省APFC電路中所需要的芯片和PFC電感與MOS，極大減少了元件數(shù)量
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RS瑞森半導(dǎo)體碳化硅二極管在光伏逆變器的應(yīng)用
瑞森半導(dǎo)體提供不同功率的碳化硅二極管助力太陽能逆變器市場的發(fā)展
