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防止多次試探密碼的單片機密碼鎖方案介紹
摘要：提出了一種能防止多次試探密碼的基于單片機的密碼鎖設(shè)計方案，根據(jù)用戶的１０條總體要求，給出了該單片機密碼鎖的硬件電路和軟件程序，同時給出了單片機型號的選擇、硬件設(shè)計、軟件流程圖、單片機存儲單元的分
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IC測試原理解析(第二部分)
芯片測試原理討論在芯片開發(fā)和生產(chǎn)過程中芯片測試的基本原理，一共分為四章，下面將要介紹的是第二章。我們在第一章介紹了芯片的基本測試原理，描述了影響芯片測試方案選擇的基本因素，定義了芯片測試過程中的常用術(shù)
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一種超低功耗、容錯的靜態(tài)隨機存儲器設(shè)計
摘要：為了減輕輻射環(huán)境中靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)受單粒子翻轉(zhuǎn)(SEU)的影響以及解決低功耗和穩(wěn)定性的問題，采用TSMC 90 nm工藝，設(shè)計了一款可應(yīng)用于輻射環(huán)境中的超低功耗容錯靜態(tài)隨機存儲器。該SRAM基于雙互鎖存儲單元(
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延遲和錯誤率令固態(tài)硬盤前景蒙上陰影
加州大學和微軟的研究發(fā)現(xiàn)，隨著芯片尺寸縮小，NAND Flash記憶體會出現(xiàn)顯著的性能退化。當電路尺寸從今天的25nm縮小到6.5nm，SSD的延遲會增加一倍。加州大學的研究生Laura Grupp說，他們測試了7家SSD供應(yīng)商的45種不同
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延遲和錯誤率令SSD前景蒙上陰影
延遲和錯誤率令SSD前景蒙上陰影
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CPU讀/寫存儲器的步驟過程舉例說明
1)存儲器的讀操作。例如，若要將存儲器40H中的內(nèi)容50H讀出，其過程如下： ①CPU將地址碼40H送到地址總線上，經(jīng)存儲器地址譯碼器選通地址為40H的存儲單元： ②CPU發(fā)出“瀆”信號，存儲器讀/寫控制開
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蝶形、同址和變址計算方法及公式
蝶形、同址和變址計算方法及公式
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能防止多次試探密碼的單片機密碼鎖
摘要：提出了一種能防止多次試探密碼的基于單片機的密碼鎖設(shè)計方案，根據(jù)用戶的１０條總體要求，給出了該單片機密碼鎖的硬件電路和軟件程序，同時給出了單片機型號的選擇、硬件設(shè)計、軟件流程圖、單片機存儲單元的分
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鐵電存儲器的技術(shù)特點分析
鐵電存儲器的技術(shù)特點分析
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存儲器數(shù)據(jù)的軟誤差率(SER)問題
存儲器數(shù)據(jù)的軟誤差率(SER)問題
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SRAM特點及工作原理
SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù). 基本簡介 SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一
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雙口RAM在嵌入式系統(tǒng)調(diào)試中的應(yīng)用
雙口RAM在嵌入式系統(tǒng)調(diào)試中的應(yīng)用
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20nm之后將采取三維層疊技術(shù)
在今后的2年～3年內(nèi)，NAND閃存的集成度仍將保持目前的發(fā)展速度。具體來說，到2011年～2012年，通過采用2Xnm的制造工藝與3位/單元～4位/單元的多值技術(shù)，NAND閃存很有可能實現(xiàn)128Gb的容量。但是，如果要實現(xiàn)超過128Gb
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世界上首個22納米節(jié)點靜態(tài)存儲單元研制成功
美國IBM公司、AMD以及紐約州立大學Albany分校的納米科學與工程學院（CNSE）等機構(gòu)共同宣布，世界上首個22納米節(jié)點靜態(tài)存儲單元（SRAM）研制成功。這也是全世界首次宣布在300毫米研究設(shè)備環(huán)境下，制造出有效存儲單元。
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FLASH存儲器的測試方法研究
1．引言 隨著當前移動存儲技術(shù)的快速發(fā)展和移動存儲市場的高速擴大，F(xiàn)LASH型存儲器的用量迅速增長。FLASH芯片由于其便攜、可靠、成本低等優(yōu)點，在移動產(chǎn)品中非常適用。市場的需求催生了一大批FLASH芯片研發(fā)、
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給大學生就業(yè)支招3－－部分面試試題
看了我們歷年來的部分招聘試題，大家一定會覺得太容易了，但大多數(shù)學生還是做不出來，包括研究生在內(nèi)，比例達到98%以上，所以我不得不投入到創(chuàng)新教育實踐活動之中去。我們每次出題之前都要翻看各種版本的教材與實驗指
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SanDisk首席執(zhí)行官稱摩爾定律未來5年后失效
消息稱,閃存產(chǎn)品廠商SanDisk首席執(zhí)行官埃利·哈拉里(Eli Harari)表示,未來5年后摩爾定律將會失效.摩爾定律是英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾(Gordon Moore)1965年提出的,內(nèi)容是:芯片上集成的晶體管數(shù)量每兩年
