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雙極結型晶體管展現實力
在 CMOS 和寬帶隙半導體技術的進步中，您很容易忘記 William Shockley 于 1949 年發(fā)明的第一個晶體管是雙極結型晶體管 (BJT)。盡管它們已經不再流行，但這些不起眼的設備仍然在各種類型的電子設備中大量高效可靠地運行。事實上，在某些應用中，BJT 的性能可以超越更杰出的 CMOS 同類產品。 BJT 技術的最新改進將使它們成為半導體技術領域的重要組成部分。
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寬帶隙半導體組裝和測試解決方案
全球功率半導體市場包括分立元件、模塊和集成電路，服務于汽車、工業(yè)和消費電子領域。為了利用電氣化趨勢，Carsem 密切關注日益增長的電動汽車(EV) 和可再生能源產品領域。
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探索硅摻雜對塊體 GaN 熱導率的影響
寬帶隙半導體材料氮化鎵 (GaN) 具有出色的電氣和光學特性，可用于各種電子和光電設備。然而，與其他半導體相比，其固有熱導率明顯較低。硅摻雜可以顯著影響塊狀氮化鎵 (GaN) 的熱導率。
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討論寬帶隙半導體背后的技術、市場前景和機遇
GaN Systems 銷售和營銷副總裁 Larry Spaziani 在接受 記者采訪時 談到了寬帶隙半導體背后的技術、市場前景和機遇。
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使用寬帶隙半導體為電動汽車供電，第二部分
所以電動汽車需要更多的電力，因此功率水平最高可達傳統(tǒng)汽車的 20 倍。所以內燃機、ICE……我的意思是，對于工程師來說，對于試圖優(yōu)化電力網絡的電力工程師來說，這種增長是一個重大挑戰(zhàn)。還有基礎設施、充電站、電網。如您所知，汽車現在更加電動化，我們可以這么說。所以我們不需要機械工程師，我的意思是。而在這種情況下，問題也是：我們如何改造舊的機械工程師?換句話說，如何從與內燃機汽車相關的職業(yè)轉向電動汽車。我們確實需要在這些新興領域(電動汽車)具有特定資格的新專業(yè)人員。
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使用寬帶隙半導體為電動汽車供電，第三部分
對于 FTEX，目前的挑戰(zhàn)是開始制造。所以我們已經開始預制造了。你知道，在路上建立一個原型需要 20% 的努力，而 80% 的工作真的就像是讓這個原型對每個人都具有良好的功能，并具有良好的故障率和良好的良率。當然，供應鏈現在是一個我們必須解決的大問題。
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使用寬帶隙半導體為電動汽車供電，第一部分
車輛電氣化是減少道路交通溫室氣體排放計劃的關鍵部分。與傳統(tǒng)的硅替代品相比，寬帶隙半導體具有多種優(yōu)勢，因此可以改進電動汽車和混合動力汽車。在這個與 FTEX 的聯合創(chuàng)始人兼首席技術官 Alexandre Cosneau 的討論中，我們將發(fā)現電動汽車的動力總成技術和 GaN 的優(yōu)勢。Cosneau 正在尋找優(yōu)化電源轉換的方法，從電池設計到電機效率，這對 FTEX 技術和解決方案至關重要。
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寬帶隙半導體
室溫下，Si的帶隙為1.1eV，GaAs的帶隙為1.43eV，一般把室溫下帶隙大于2.0eV的半導體材料歸類于寬帶隙半導體，寬帶隙半導體在藍、紫光和紫外光電子器件，高頻、高溫、高功率電子器件及場發(fā)射器件方面應用廣泛。
