核心提示:50多年前的一場(chǎng)停電風(fēng)波創(chuàng)造了首款電池供的心臟電起搏器,激活了一場(chǎng)醫(yī)療技術(shù)革命。后來(lái),便攜式起搏器亦由此應(yīng)運(yùn)而生。其中緣由,詳見(jiàn)本文。 在1957年10月31日的夜晚,
從最廣義的角度上看,醫(yī)藥和健康科技的歷史是很久遠(yuǎn)的。最近相關(guān)方面證實(shí),世界上最古老的"假肢"是古埃及人的以木頭、皮制的腳趾假體,而它出現(xiàn)的日子是公元前950年!雖然最近幾
雖然現(xiàn)在越來(lái)越多的國(guó)家已經(jīng)研發(fā)出可執(zhí)行復(fù)雜任的機(jī)器人,但是來(lái)自美國(guó)和中國(guó)的科研人員并不愿意就此止步。近日,他們一起合作研發(fā)出了一種全新的3D電流陣,即機(jī)器人將具備人類(lèi)手指尖那樣的靈敏觸感度。
這些年,隨著半導(dǎo)體技術(shù)的日益復(fù)雜化,先進(jìn)制造工藝的推進(jìn)越來(lái)越充滿(mǎn)挑戰(zhàn)性,同時(shí)由于沒(méi)有統(tǒng)一的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),不同廠商的“數(shù)字游戲”讓這個(gè)問(wèn)題更加復(fù)雜化,也讓大量普通用戶(hù)產(chǎn)生了誤解。 作為半導(dǎo)體行業(yè)的龍頭老大,
英特爾首席架構(gòu)師Raja Koduri和多位英特爾院士、架構(gòu)師在英特爾2020年架構(gòu)日上詳細(xì)介紹了英特爾在六大技術(shù)支柱方面的最新進(jìn)展。 首次展示了英特爾全新的10nm SuperFin技術(shù),并首次介紹
【新聞要點(diǎn)】 • 從消費(fèi)電子到工業(yè)自動(dòng)化,風(fēng)河云計(jì)算套件可全面簡(jiǎn)化物聯(lián)網(wǎng)的構(gòu)建和部署。 • 免費(fèi)的云連接、多架構(gòu)操作系統(tǒng)可加速產(chǎn)品創(chuàng)新到商品化的各
新一代200 V 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)是48 VOUT同步整流、D類(lèi)音頻放大器、太陽(yáng)能微型逆變器和功率優(yōu)化器,以及多電平、高壓AC / DC轉(zhuǎn)換器的理想功率器件。
在日前舉辦的Hotchips 32會(huì)議上,美國(guó)AI初創(chuàng)企業(yè)CerebrasSystems旗下的明星產(chǎn)品WES(Wafer Scale Engine)芯片公布了第二代芯片的相關(guān)信息。據(jù)悉,WES 2代芯片核心數(shù)翻倍到了85萬(wàn)個(gè),晶體管數(shù)量翻倍到2.6萬(wàn)億個(gè),最關(guān)鍵的是,將從16nm工藝進(jìn)入7nm工藝。
這些年,隨著半導(dǎo)體技術(shù)的日益復(fù)雜化,先進(jìn)制造工藝的推進(jìn)越來(lái)越充滿(mǎn)挑戰(zhàn)性,同時(shí)由于沒(méi)有統(tǒng)一的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),不同廠商的“數(shù)字游戲”讓這個(gè)問(wèn)題更加復(fù)雜化,也讓大量普通用戶(hù)產(chǎn)生了誤解。 作為半導(dǎo)體行業(yè)的龍頭老大,Intel曾經(jīng)一直站在先進(jìn)制造工藝的最前沿,領(lǐng)
LED首字母代表型號(hào)是什么? 命名規(guī)制 1、A——公司名稱(chēng):采用公司縮寫(xiě)名稱(chēng)“XM”表示。 2、 B&md
LED驅(qū)動(dòng)原理方式解析: ?。?)被動(dòng)矩陣LCD技術(shù) 高信息密度顯示技術(shù)中首先商品化的是被動(dòng)矩陣顯示技術(shù),它得名于控制液晶單元的開(kāi)和關(guān)的簡(jiǎn)單設(shè)計(jì)。被動(dòng)矩陣液晶顯示的驅(qū)動(dòng)
華虹半導(dǎo)體有限公司宣布,公司將全面發(fā)力與IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)產(chǎn)品客戶(hù)的合作,積極打造IGBT生態(tài)鏈。
近日,國(guó)內(nèi)科技產(chǎn)業(yè)缺少核心芯片技術(shù)一事引發(fā)關(guān)注。此前據(jù)媒體2017年報(bào)道,北京大學(xué)教授彭練矛帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)成功使用碳納米管制造出芯片晶體管,工作速度5-10倍于同尺寸的硅基晶體管,能耗只有其10分之1
臺(tái)積電一直是芯片生產(chǎn)領(lǐng)域的龍頭老大,臺(tái)積電兩年前量產(chǎn)了7nm工藝,今年要量產(chǎn)5nm工藝了,已經(jīng)被華為、蘋(píng)果搶先預(yù)定了大部分產(chǎn)能,現(xiàn)在3nm工藝也定了,官方宣布2021年風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn),2020年下半年正式量產(chǎn)。
IGBT (Insulated GateBipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由 BJT(雙極型三極管)和 MOSFET (絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的全控電壓驅(qū)動(dòng)的功率半導(dǎo)體。
在7月16日舉行的臺(tái)積電第二季度業(yè)績(jī)說(shuō)明會(huì)上,臺(tái)積電宣布,預(yù)計(jì)將于2021年上半年進(jìn)行3nm的風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn),2022年正式量產(chǎn)。
Intel這幾年雖然在制造工藝上步伐慢了很多,但是說(shuō)起半導(dǎo)體前沿技術(shù)研究和儲(chǔ)備,Intel的實(shí)力仍是行業(yè)數(shù)一數(shù)二的。 在近日的國(guó)際超大規(guī)模集成電路會(huì)議上,Intel首席技術(shù)官、Intel實(shí)驗(yàn)室總監(jiān)Mi
埃賦隆半導(dǎo)體(Ampleon)今天宣布推出BPF0910H9X600托盤(pán)放大器
什么是Gen9HV LDMOS 140W RF PA晶體管?他有什么作用?2018年6月6日荷蘭奈梅亨 – 埃賦隆半導(dǎo)體(Ampleon)今天宣布推出專(zhuān)為諸如數(shù)字視頻廣播(DVBT)和特高頻(UHF)模擬電視等UHF廣播應(yīng)用設(shè)計(jì)的BLF989射頻(RF)功率晶體管。
BLF978P – 1200W Si LDMOS和BLF974P – 500W Si LDMOS