晶圓代工

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中芯國際背照式成像傳感技術(shù)取得突破

中芯國際宣布在背照式CMOS成像傳感技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展，首款背照式CMOS成像傳感測(cè)試芯片一次流片即獲得成功，在低照度下同樣獲得高質(zhì)量的清晰圖像。這標(biāo)志著中芯國際自主開發(fā)的背照式CMOS成像傳感芯片全套晶

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2012-12-24

中芯國際傳感技術(shù) CMOS 晶圓代工
接單滿載臺(tái)積下季淡季不淡

受惠行動(dòng)裝置新產(chǎn)品持續(xù)推陳出新，包括手機(jī)基頻芯片、ARM應(yīng)用處理器、手機(jī)電源管理及無線網(wǎng)絡(luò)芯片等訂單不減反增，晶圓代工龍頭臺(tái)積電明年第1季接單大致底定，12寸廠利用率接近滿載，8寸廠利用率可望逼近9成，營收季

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2012-12-24

智能型機(jī)電晶圓代工
臺(tái)積電明年底可能拿下蘋果A7X代工訂單

19日?qǐng)?bào)導(dǎo)，Bernstein Research分析師Mark Newman發(fā)表一系列投影片以及一份在12月10日公開的電話會(huì)議記錄，內(nèi)容涵蓋三星電子(Samsung Electronics)將失去蘋果(Apple Inc.)A系列處理器晶圓代工訂單等主題。根據(jù)報(bào)導(dǎo)，N

消費(fèi)電子
2012-12-21

蘋果臺(tái)積電制程技術(shù) 晶圓代工
中芯國際背照式CMOS成像傳感技術(shù)研發(fā)取得突破進(jìn)展

中芯國際集成電路制造有限公司("中芯國際")，昨日宣布在背照式CMOS成像傳感技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展，首款背照式 CMOS 成像傳感測(cè)試芯片一次流片即獲得成功，在低照度下同樣獲得高質(zhì)量的清晰圖像。這標(biāo)志著中芯國

工業(yè)控制
2012-12-21

中芯國際傳感技術(shù) CMOS 晶圓代工
中芯國際背照式成像傳感技術(shù)取得突破

上海2012年12月20日電 /美通社/ -- 中芯國際集成電路制造有限公司( http://www.smics.com )（"中芯國際"，紐約證交所代碼：SMI，香港聯(lián)交所代碼：981），中國規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路代工廠，今天宣布在背照式

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2012-12-21

中芯國際傳感技術(shù) CMOS 晶圓代工
卡位14/16奈米市場(chǎng)晶圓代工廠加碼FinFET研發(fā)

全球晶圓代工業(yè)者正加緊展開FinFET布局。繼格羅方德宣布將于2013年量產(chǎn)14奈米FinFET后，臺(tái)灣晶圓雙雄臺(tái)積電與聯(lián)電亦陸續(xù)公布FinFET制程發(fā)展藍(lán)圖與量產(chǎn)時(shí)程表，希冀借此一新技術(shù)，提供IC設(shè)計(jì)業(yè)者效能更佳的制造方案，

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2012-12-20

聯(lián)電臺(tái)積電 FINFET 晶圓代工
晶圓代工Q4拉貨不疲明年Q1可望淡季不淡

半導(dǎo)體行業(yè)于Q4開始庫存調(diào)整，臺(tái)積電張忠謀表示，今年Q4、明年Q1臺(tái)積電營收將依序下滑，要待明年Q2庫存調(diào)整告一段落，營運(yùn)才會(huì)轉(zhuǎn)強(qiáng)。但材料商近期卻透露，晶圓代工客戶的拉貨力道相當(dāng)不錯(cuò)，明年Q1很有機(jī)會(huì)淡季不淡，

消費(fèi)電子
2012-12-20

通訊內(nèi)存驅(qū)動(dòng)IC 晶圓代工
卡位14/16奈米市場(chǎng)晶圓代工廠加碼FinFET研發(fā)

全球晶圓代工業(yè)者正加緊展開FinFET布局。繼格羅方德宣布將于2013年量產(chǎn)14奈米FinFET后，臺(tái)灣晶圓雙雄臺(tái)積電與聯(lián)電亦陸續(xù)公布FinFET制程發(fā)展藍(lán)圖與量產(chǎn)時(shí)程表，希冀借此一新技術(shù)，提供IC設(shè)計(jì)業(yè)者效能更佳的制造方案，

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2012-12-20

聯(lián)電臺(tái)積電 FINFET 晶圓代工
臺(tái)積電基本面持續(xù)看俏

臺(tái)積電（2330）董事長張忠謀看好明年?duì)I運(yùn)成長動(dòng)力，預(yù)估資本支出將達(dá)90億美元（約2619億元臺(tái)幣），營收較今年成長15~20%，雙雙創(chuàng)下新高，在基本面題材持續(xù)看俏下，吸引外資買盤進(jìn)駐，股價(jià)一路走高，上周五收盤價(jià)達(dá)98

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2012-12-16

臺(tái)積電波段供應(yīng)鏈管理晶圓代工
世界競(jìng)標(biāo)茂德12寸晶圓廠

半導(dǎo)體大廠世界先進(jìn)（5347）將展開茂德12寸晶圓廠議價(jià)！據(jù)相關(guān)人士指出，昨日世界先進(jìn)出手競(jìng)標(biāo)茂德位于中科的12寸晶圓廠，并已取得優(yōu)先議價(jià)權(quán)，不過由于世界先進(jìn)的出價(jià)，與茂德重整人團(tuán)所訂定的195億元底價(jià)，尚有相當(dāng)

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2012-12-13

半導(dǎo)體晶圓廠格羅方德晶圓代工
產(chǎn)能擴(kuò)充與制程競(jìng)賽　2012~2013年全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)面臨洗牌

2012年10月北美半導(dǎo)體設(shè)備訂單出貨比(B/B Ratio)僅達(dá)0.75，不僅已連續(xù)5個(gè)月在1以下，且為近12個(gè)月的最低點(diǎn)，顯示IC制造業(yè)者對(duì)產(chǎn)業(yè)景氣展望仍相當(dāng)保守，預(yù)期未來半年內(nèi)產(chǎn)業(yè)景氣仍將有下滑的疑慮。 2012年以來，全球

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2012-12-13

晶片先進(jìn)制程 DIGI 晶圓代工
28納米供需平衡高通不會(huì)缺貨

全球手機(jī)芯片龍頭高通首席運(yùn)營官莫蘭科夫（Steven Mollenkopf）近日表示，由于晶圓代工廠加速擴(kuò)產(chǎn)，28納米產(chǎn)能緊缺問題10月已獲得紓解。業(yè)界認(rèn)為，高通芯片產(chǎn)出不再受晶圓代工產(chǎn)能吃緊局限，未來與聯(lián)發(fā)科的競(jìng)爭將更白

消費(fèi)電子
2012-12-12

智能手機(jī) 臺(tái)積電晶圓代工
28納米供需平衡，高通無須擔(dān)憂缺貨問題

全球手機(jī)芯片龍頭高通首席運(yùn)營官莫蘭科夫（Steven Mollenkopf）近日表示，由于晶圓代工廠加速擴(kuò)產(chǎn)，28納米產(chǎn)能緊缺問題10月已獲得紓解。業(yè)界認(rèn)為，高通芯片產(chǎn)出不再受晶圓代工產(chǎn)能吃緊局限，未來與聯(lián)發(fā)科的競(jìng)爭將更白

消費(fèi)電子
2012-12-11

智能手機(jī) 臺(tái)積電晶圓代工
半導(dǎo)體大廠投入MEMS晶圓代工業(yè)

基于開發(fā)差異化平臺(tái)為競(jìng)爭策略，加上政府政策補(bǔ)貼下，多數(shù)晶圓代工業(yè)者已經(jīng)逐步放棄在奈米級(jí)先進(jìn)制程與一線晶圓代工業(yè)者拼搏，轉(zhuǎn)而朝向特殊制程與MEMS制程投入研發(fā)。包括中芯、上海先進(jìn)、宏力、華潤上華等晶圓代工廠

消費(fèi)電子
2012-12-07

半導(dǎo)體感測(cè)器 MEMS 晶圓代工
英特爾稱無意與臺(tái)積電競(jìng)爭晶圓代工

據(jù)國外媒體報(bào)導(dǎo)，英特爾執(zhí)行長Paul Otellini昨下午在舊金山舉辦的「新興科技(Emerging Technology)」會(huì)議上表示，該公司并不想要與臺(tái)積電競(jìng)爭，但是若委托代工的產(chǎn)品種類適當(dāng)、且對(duì)手不會(huì)因此得益，那么他當(dāng)然會(huì)認(rèn)真

消費(fèi)電子
2012-12-07

蘋果英特爾臺(tái)積電晶圓代工
與格羅方德聯(lián)盟？聯(lián)電否認(rèn)洽談合作

全球晶圓代工業(yè)是否將重新洗牌？外傳分居全球半導(dǎo)體晶圓代工業(yè)排名第2、3名的格羅方德（Global foundries）、聯(lián)電（2303）可能策略聯(lián)盟，但聯(lián)電昨天說，目前并未洽談參股或合作事宜。半導(dǎo)體界人士表示，臺(tái)積電近年

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2012-12-07

聯(lián)電臺(tái)積電格羅方德晶圓代工
與格羅方德聯(lián)盟？聯(lián)電否認(rèn)洽談合作

全球晶圓代工業(yè)是否將重新洗牌？外傳分居全球半導(dǎo)體晶圓代工業(yè)排名第2、3名的格羅方德（Global foundries）、聯(lián)電（2303）可能策略聯(lián)盟，但聯(lián)電昨天說，目前并未洽談參股或合作事宜。半導(dǎo)體界人士表示，臺(tái)積電近

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2012-12-07

聯(lián)電臺(tái)積電格羅方德晶圓代工
格羅方德若入股聯(lián)電業(yè)界：三星最受威脅

半導(dǎo)體界人士認(rèn)為，臺(tái)積電這幾年憑借高研發(fā)、高資本支出的策略，取得晶圓代工產(chǎn)能與技術(shù)絕對(duì)優(yōu)勢(shì)，一旦格羅方德（Globalfoundries）入股聯(lián)電，直接受威脅的應(yīng)該是三星，并非臺(tái)積電。根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)ICInsights統(tǒng)計(jì)，臺(tái)積

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2012-12-06

三星聯(lián)電格羅方德晶圓代工
半導(dǎo)體大廠投入MEMS晶圓代工業(yè)

基于開發(fā)差異化平臺(tái)為競(jìng)爭策略，加上政府政策補(bǔ)貼下，多數(shù)晶圓代工業(yè)者已經(jīng)逐步放棄在奈米級(jí)先進(jìn)制程與一線晶圓代工業(yè)者拼搏，轉(zhuǎn)而朝向特殊制程與MEMS制程投入研發(fā)。包括中芯、上海先進(jìn)、宏力、華潤上華等晶圓代工廠

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2012-12-06

半導(dǎo)體感測(cè)器 MEMS 晶圓代工
格羅方德若入股聯(lián)電業(yè)界：三星最受威脅

半導(dǎo)體界人士認(rèn)為，臺(tái)積電這幾年憑借高研發(fā)、高資本支出的策略，取得晶圓代工產(chǎn)能與技術(shù)絕對(duì)優(yōu)勢(shì)，一旦格羅方德（Globalfoundries）入股聯(lián)電，直接受威脅的應(yīng)該是三星，并非臺(tái)積電。根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights統(tǒng)計(jì)，

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2012-12-06

三星聯(lián)電格羅方德晶圓代工

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晶圓代工

中芯國際背照式成像傳感技術(shù)取得突破

接單滿載臺(tái)積下季淡季不淡

臺(tái)積電明年底可能拿下蘋果A7X代工訂單

中芯國際背照式CMOS成像傳感技術(shù)研發(fā)取得突破進(jìn)展

中芯國際背照式成像傳感技術(shù)取得突破

卡位14/16奈米市場(chǎng)晶圓代工廠加碼FinFET研發(fā)

晶圓代工Q4拉貨不疲明年Q1可望淡季不淡

卡位14/16奈米市場(chǎng)晶圓代工廠加碼FinFET研發(fā)

臺(tái)積電基本面持續(xù)看俏

世界競(jìng)標(biāo)茂德12寸晶圓廠

產(chǎn)能擴(kuò)充與制程競(jìng)賽　2012~2013年全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)面臨洗牌

28納米供需平衡高通不會(huì)缺貨

28納米供需平衡，高通無須擔(dān)憂缺貨問題

半導(dǎo)體大廠投入MEMS晶圓代工業(yè)

英特爾稱無意與臺(tái)積電競(jìng)爭晶圓代工

與格羅方德聯(lián)盟？聯(lián)電否認(rèn)洽談合作

與格羅方德聯(lián)盟？聯(lián)電否認(rèn)洽談合作

格羅方德若入股聯(lián)電業(yè)界：三星最受威脅

半導(dǎo)體大廠投入MEMS晶圓代工業(yè)

格羅方德若入股聯(lián)電業(yè)界：三星最受威脅

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