本文介紹了LED視角對(duì)顯示屏亮度均勻性的視覺影響,并沒有考慮到其它LED封裝形式以及全彩色LED顯示屏的色燈排列,模塊發(fā)光分布的不均勻性以及混色效果等更為復(fù)雜的情況,由于篇幅所限,以后再撰文詳述。
7月29日,國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)決定對(duì)2011年第一批擬立項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)項(xiàng)目公開征求意見。征求意見截止時(shí)間為2011年8月29日。 此次國(guó)標(biāo)委公布的2011年第一批擬立項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)項(xiàng)目中,包括led相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)23項(xiàng),涉及外延芯片、封
為了發(fā)展照明led技術(shù),發(fā)達(dá)國(guó)家都非常重視LED測(cè)試方法及標(biāo)準(zhǔn)的研究。例如美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)研究所(NIST)組織國(guó)際知名測(cè)試專家開展LED測(cè)試的研究,重點(diǎn)研究LED發(fā)光特性、溫度特性和光衰特性等測(cè)試方法,試圖建立整套的
本文結(jié)合國(guó)防軍工電子標(biāo)準(zhǔn)化研究項(xiàng)目“直流電子負(fù)載測(cè)試方法研究”,提出了直流電子負(fù)載測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)草案。草案中,提出了規(guī)范的直流電子負(fù)載名詞術(shù)語(yǔ),在直流電子負(fù)載試驗(yàn)驗(yàn)證平臺(tái)試驗(yàn)驗(yàn)證的基礎(chǔ)上,提出了參數(shù)的測(cè)試方法。
一、主體思路: 因?yàn)榘l(fā)光二極體具有單向?qū)щ娦?,所以我們使?R × 10k 檔可測(cè)出其正、反向電阻。一般正向電阻應(yīng)小於 30k 歐姆,反向電阻應(yīng)大於 1M 歐姆。若正、反向電阻均為零,說(shuō)明內(nèi)部擊穿短路。若正、反向
一、主體思路: 因?yàn)榘l(fā)光二極體具有單向?qū)щ娦裕晕覀兪褂?R × 10k 檔可測(cè)出其正、反向電阻。一般正向電阻應(yīng)小於 30k 歐姆,反向電阻應(yīng)大於 1M 歐姆。若正、反向電阻均為零,說(shuō)明內(nèi)部擊穿短路。若正、反向
21ic訊 SEMI于7月12日發(fā)布了一項(xiàng)用于光伏 (PV)制造的硅原料新標(biāo)準(zhǔn)SEMI PV17-0611。該標(biāo)準(zhǔn)涉及到利用多種工藝方法生產(chǎn)的多晶硅材料詳細(xì)規(guī)范,包括化學(xué)氣相沉積(CVD)法、冶金還原法和其他工藝方法。CVD工藝中包括了所
我們往往需要對(duì)這個(gè)反饋網(wǎng)絡(luò)在特定配置下的性能進(jìn)行測(cè)量,以便對(duì)它的開環(huán)特性建立模型。但這樣的測(cè)試通??偸呛芾щy的。例如,積分器的低頻增益可以非常高,一般會(huì)超出常用測(cè)試儀的測(cè)量范圍。所以,這些測(cè)試的目的是,使用現(xiàn)有的工具和少量的專用電路,以最小的工作量,快速地得到網(wǎng)絡(luò)頻率響應(yīng)的特性。
ASIC設(shè)計(jì)的平均門數(shù)不斷增加,這迫使設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)將20%到50%的開發(fā)工作花費(fèi)在與測(cè)試相關(guān)的問題上,以達(dá)到良好的測(cè)試覆蓋率。盡管遵循可測(cè)試設(shè)計(jì)(DFT)規(guī)則被認(rèn)為是好做法,但對(duì)嵌入式RAM、多時(shí)鐘域、復(fù)位線和嵌入式IP的測(cè)
計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)化綜合布線系統(tǒng)(StructuredCablingSystem,SCS)是美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室專家們經(jīng)過(guò)多年研究推出的基于星形拓樸結(jié)構(gòu)的模塊系統(tǒng),也是目前局域網(wǎng)建設(shè)首選的系統(tǒng)。該系統(tǒng)具有實(shí)用、靈活、經(jīng)濟(jì)、可模塊化和可擴(kuò)充
摘要:在應(yīng)用安防監(jiān)控?cái)z像機(jī)時(shí),經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)明暗反差較大或逆光的場(chǎng)景,使得圖像中明亮的區(qū)域曝光過(guò)度、較暗的區(qū)域欠曝光,而不能看清圖像最亮與最暗部分。因此,各攝像機(jī)廠家競(jìng)相開發(fā)了寬動(dòng)態(tài)攝像機(jī)。但如何檢測(cè)其
摘要:在應(yīng)用安防監(jiān)控?cái)z像機(jī)時(shí),經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)明暗反差較大或逆光的場(chǎng)景,使得圖像中明亮的區(qū)域曝光過(guò)度、較暗的區(qū)域欠曝光,而不能看清圖像最亮與最暗部分。因此,各攝像機(jī)廠家競(jìng)相開發(fā)了寬動(dòng)態(tài)攝像機(jī)。但如何檢測(cè)其
信號(hào)完整性的測(cè)試手段很多,涉及的儀器也很多,因此熟悉各種測(cè)試手段的特點(diǎn),以及根據(jù)測(cè)試對(duì)象的特性和要求,選用適當(dāng)?shù)臏y(cè)試手段,對(duì)于選擇方案、驗(yàn)證效果、解決問題等硬件開發(fā)活動(dòng),都能夠大大提高效率,起到事半功
現(xiàn)在,不少求職者會(huì)遇到這樣的情況:在面試之前,你會(huì)被領(lǐng)到一臺(tái)電腦前,做一堆稀奇古怪的問題,然后會(huì)出來(lái)一張分析結(jié)果,上面還有不少圖表等顯示你在某方面的分值,還有一些分析的文字或者建議。 不僅企業(yè)在招聘
人才測(cè)試,知己知彼的最新途徑
摘要:針對(duì)Altera公司現(xiàn)有FPGA在線測(cè)試方法無(wú)法適應(yīng)大批量測(cè)試/激勵(lì)數(shù)據(jù)自動(dòng)傳輸?shù)那闆r,論文提出了一種基于SoPC的FPGA在線測(cè)試方法,該方法采用Nios II控制數(shù)據(jù)傳輸過(guò)程、DMA協(xié)助數(shù)據(jù)傳輸、FIFO作為數(shù)據(jù)暫存,采用
一、接地電阻測(cè)試要求: a. 交流工作接地,接地電阻不應(yīng)大于4Ω; b. 安全工作接地,接地電阻不應(yīng)大于4Ω; c. 直流工作接地,接地電阻應(yīng)按計(jì)算機(jī)系統(tǒng)具體要求確定; d. 防雷保護(hù)地的接地電阻不應(yīng)大于
一種基于SoPC的FPGA在線測(cè)試方法
摘要:根據(jù)原電子工業(yè)部批準(zhǔn)發(fā)布實(shí)施的SJ/T10542標(biāo)準(zhǔn),介紹交流穩(wěn)壓電源幾項(xiàng)主要?jiǎng)討B(tài)指標(biāo)及其測(cè)試方法。關(guān)鍵詞:標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)指標(biāo)測(cè)試方法Test of Dynamic Index about AC Regulated Power Supply Abstract: According t
摘要:EMC性能是交流穩(wěn)壓電源的一項(xiàng)重要指標(biāo)要求。基于對(duì)交流穩(wěn)壓電源使用價(jià)值的要求,其EMC性能應(yīng)當(dāng)是除了本身能達(dá)到較高嚴(yán)酷度等級(jí)的抗擾度指標(biāo)及合格的電磁干擾限制外,更重要的是要為其負(fù)載(對(duì)EMI敏感的電子設(shè)備