一、電路設(shè)計(jì) 一節(jié)鎳氫電池的電壓只有1.2V,而超高亮LED需要3.3V以上的工作電壓才能保證足夠的亮度。因此。必須設(shè)法將電壓升高,常見(jiàn)的升壓電路一般有二種形式,即高頻振蕩電路和電磁感應(yīng)升壓電路。對(duì)于升壓電路
高效、低成本及可靠的電池充電器設(shè)計(jì)可用各種方法來(lái)實(shí)現(xiàn),但采用8位閃速M(fèi)CU不僅能縮短設(shè)計(jì)時(shí)間、降低成本及提供安全可靠的產(chǎn)品,而且還能使設(shè)計(jì)人員以最少的工作量來(lái)進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)升級(jí)。 圖1:(a):降壓轉(zhuǎn)換器開(kāi)關(guān)“開(kāi)”
方法1 電感為什么在低頻時(shí)要把并聯(lián)改為串聯(lián)?從感抗與電阻的比值來(lái)分析Q值,不容易找到答案,并改串應(yīng)該是不能提高Q值的。但通過(guò)今天的試驗(yàn),開(kāi)始明白為什么要串聯(lián)。同時(shí)提高電感和電阻,雖然不能提高Q,但可以提高電
電路的功能數(shù)100MH以上的電感,重量重,體積大,不適合現(xiàn)在的使用要求,除特殊用途外,低頻LC濾波器基本上都可換成有源濾波器,本電路用正反饋電路對(duì)電容器C的頻率-阻抗特性進(jìn)行倒相,形成等效的電感,線圈L的一端被
原理:R4兩端輸出超低阻抗的信號(hào)電壓源,串聯(lián)在LC諧振回路中。當(dāng)電路發(fā)生諧振時(shí),L和C的感抗和容抗相消,回路只剩下只剩下R4與LC諧振器的損耗電阻r兩者串聯(lián)。并R4兩端的電壓就是r兩端的電壓。這樣,我們只在測(cè)量出R4
電路的功能晶體管的集電極負(fù)載若采用LC諧振回路,為了使振蕩穩(wěn)定,皮爾斯C-B或波爾斯B-E電路的振蕩頻率必須稍稍調(diào)偏,如不用電感L,則可采用本電路這種無(wú)調(diào)節(jié)振蕩電路。電路工作原理若把石英振子看成電感L,則可將其
高效、低成本及可靠的電池充電器設(shè)計(jì)可用各種方法來(lái)實(shí)現(xiàn),但采用8位閃速M(fèi)CU不僅能縮短設(shè)計(jì)時(shí)間、降低成本及提供安全可靠的產(chǎn)品,而且還能使設(shè)計(jì)人員以最少的工作量來(lái)進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)升級(jí)。 圖1:(a):降壓轉(zhuǎn)換器開(kāi)關(guān)“開(kāi)”
高效、低成本及可靠的電池充電器設(shè)計(jì)可用各種方法來(lái)實(shí)現(xiàn),但采用8位閃速M(fèi)CU不僅能縮短設(shè)計(jì)時(shí)間、降低成本及提供安全可靠的產(chǎn)品,而且還能使設(shè)計(jì)人員以最少的工作量來(lái)進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)升級(jí)。 圖1:(a):降壓轉(zhuǎn)換器開(kāi)關(guān)“開(kāi)”
電路的功能使用邏輯IC微分電路,由于IC的傳輸滯后,微分輸出的定時(shí)脈沖也跟著滯后,例如用定時(shí)脈沖發(fā)生器輸出同步觸發(fā)信號(hào)時(shí),必須使用很窄的微分脈沖,如果延遲時(shí)間加長(zhǎng),用示波器觀測(cè)波形時(shí),觸發(fā)延遲無(wú)法觀測(cè)到觸
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中,通常包括單脈沖雪崩能量EAS,雪崩電流IAR,重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù),而許多電子工程師在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的過(guò)程中,很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系,如何在實(shí)際的應(yīng)用中評(píng)
世界各地有關(guān)降低電子系統(tǒng)能耗的各種倡議,正促使單相交流輸入電源設(shè)計(jì)人員采用更先進(jìn)的電源技術(shù)。為了獲得更高的功率級(jí),這些倡議要求效率達(dá)到87% 及以上。由于標(biāo)準(zhǔn)反激式 (flyback) 和雙開(kāi)關(guān)正激式等傳統(tǒng)電源拓?fù)涠?/p>
O 引言 固定頻率峰值電流模式PWM(Pulse WidthModulation) DC-DC變換器同傳統(tǒng)的電壓模式控制相比,具有瞬態(tài)響應(yīng)好,輸出精度高,帶載能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),因而被廣泛應(yīng)用。作為重要的模擬單元,斜坡補(bǔ)償電路和電流采樣電
電磁兼容設(shè)計(jì)通常要運(yùn)用各項(xiàng)控制技術(shù),一般來(lái)說(shuō),越接近EMI源,實(shí)現(xiàn)EM控制所需的成本就越小。PCB上的集成電路芯片是EMI最主要的能量來(lái)源,因此,如果能夠深入了解集成電路芯片的內(nèi)部特征,可以簡(jiǎn)化PCB和系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)中
反激式開(kāi)關(guān)電源變壓器的參數(shù)計(jì)算與正激式開(kāi)關(guān)電源變壓器的參數(shù)計(jì)算相比,除了變壓器初級(jí)線圈的匝數(shù)和伏秒容量,變壓器初、次級(jí)線圈的匝數(shù)比,以及變壓器各個(gè)繞組的額定輸入或輸出電流或功率以外,還需要特別注意考慮
反激式開(kāi)關(guān)電源變壓器初級(jí)線圈電感量的計(jì)算反激式開(kāi)關(guān)電源與正激式開(kāi)關(guān)電源不同,對(duì)于如圖1-19的反激式開(kāi)關(guān)電源,其在控制開(kāi)關(guān)接通其間是不向負(fù)載提供能量的,因此,反激式開(kāi)關(guān)電源在控制開(kāi)關(guān)接通期間只存儲(chǔ)能量,而
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中,通常包括單脈沖雪崩能量EAS,雪崩電流IAR,重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù),而許多電子工程師在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的過(guò)程中,很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系,如何在實(shí)際的應(yīng)用中評(píng)定這些參數(shù)對(duì)其的影響,以及在哪些應(yīng)用條件下需要考慮這些參數(shù)。本文將論述這些問(wèn)題,同時(shí)探討功率MOSFET在非鉗位感性開(kāi)關(guān)條件下的工作狀態(tài)。
摘要:提出了一種中小功率綠色模式開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì),該電源采用兩級(jí)變換器分別對(duì)輸入電流波形整形和快速調(diào)節(jié)輸出電壓。采用過(guò)渡模式有源功率因數(shù)校正、準(zhǔn)諧振變頻控制功率隔離變換和同步整流等多種先進(jìn)的電源控制技術(shù)以
最實(shí)用基本圖解電路50幅,電路設(shè)計(jì)分析絕對(duì)佳作!僅供參考學(xué)習(xí)!
本文討論了在SMPS應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)電流模式控制的各種方法(使用或不使用模擬比較器)。帶合適外設(shè)的DAC在實(shí)現(xiàn)SMPS時(shí)提供了多種選擇。從模擬SMPS控制到數(shù)字SMPS控制的轉(zhuǎn)換過(guò)程中的一個(gè)重要步驟是要意識(shí)到電流模式控制的期望功能是完全可以在DSC中通過(guò)各種技術(shù)實(shí)現(xiàn)的。
一. 電磁學(xué)計(jì)算公式推導(dǎo): 1.磁通量與磁通密度相關(guān)公式: Ф = B * S ⑴ Ф ----- 磁通(韋伯) B ----- 磁通密度(韋伯每平方米或高斯) 1韋伯每平方米=104高斯 S ----- 磁路的截