英國(guó)劍橋大學(xué)(Cambridge University)日前推出新的電晶體設(shè)計(jì),可讓穿戴式等裝置利用周遭電晶體的電力作為能源供應(yīng)來(lái)源并可在1伏特下運(yùn)作且耗電低于10億分之1瓦特。
受到哺乳動(dòng)物眼睛的啟發(fā),威斯康星大學(xué)麥迪遜分校的電氣工程師創(chuàng)造了光敏度和響應(yīng)時(shí)間都優(yōu)于以往光電晶體管的柔性光電晶體管。這種創(chuàng)新的光電晶體管可以改善無(wú)數(shù)產(chǎn)品的性能,包括數(shù)碼相機(jī)、夜視鏡、煙霧探測(cè)器、監(jiān)控
美國(guó)密西根理工大學(xué)(Michigan Tech)透過(guò)結(jié)合石墨烯的高電子遷移率與氮化硼碳奈米管(BNNT)的絕緣層特性,期望開(kāi)發(fā)出尺寸較矽(Si)更小且更具熱效能的無(wú)半導(dǎo)體(semiconductor-less)異質(zhì)接面電晶體,從而在國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖(ITRS)預(yù)期的2028年大限時(shí)接棒。
IBM與合作伙伴成功研制出7納米的測(cè)試芯片,延續(xù)了摩爾定律,突破了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的瓶頸。對(duì)于IBM而言,7納米制程技術(shù)的后續(xù)發(fā)展將會(huì)影響旗下Power系列處理器的規(guī)劃藍(lán)圖。
英特爾技術(shù)及制程事業(yè)群總經(jīng)理William Holt在2014年投資人會(huì)議中表示,英特爾的電晶體制程技術(shù)在過(guò)去10年的三個(gè)技術(shù)世代,均領(lǐng)先晶圓代工廠(chǎng)至少3年以上時(shí)間。英特爾上周召開(kāi)2014年投資人會(huì)議(Investor Meeting 2014)
過(guò)去二十幾年來(lái),IBM已經(jīng)為制作1.4nm的微型碳奈米管?chē)L試過(guò)幾乎每一種可能性了,期望能找到延續(xù)矽電晶體通道的方法。時(shí)至今日,最小的矽電晶體已經(jīng)達(dá)到原子極限了——例如,4nm矽電晶體通道約由20個(gè)原子組成。為了進(jìn)展
納米碳管是日本NEC實(shí)驗(yàn)室學(xué)者飯島澄男于1991年所發(fā)現(xiàn),并發(fā)表在當(dāng)年的Nature雜志上,為納米級(jí)的管狀物質(zhì),質(zhì)量輕、強(qiáng)度高、韌性高。納米碳管可分成單壁與多壁兩大類(lèi),合成方法包括電弧放電法、雷射蒸發(fā)法、有機(jī)化學(xué)氣
過(guò)去二十幾年來(lái),IBM已經(jīng)為制作1.4nm的微型碳奈米管?chē)L試過(guò)幾乎每一種可能性了,期望能找到延續(xù)矽電晶體通道的方法。時(shí)至今日,最小的矽電晶體已經(jīng)達(dá)到原子極限了——例如,4nm矽電晶體通道約由20個(gè)原子組成。為了進(jìn)展
功耗過(guò)高已經(jīng)成為半導(dǎo)體制程尺寸進(jìn)一步微縮的主要障礙,并且嚴(yán)重威脅到所有電子領(lǐng)域的一切進(jìn)展──從推動(dòng)行動(dòng)設(shè)備更加微型化到開(kāi)發(fā)超級(jí)電腦均包含在內(nèi)。雖然根本原因在于永
功率電晶體市場(chǎng)重拾成長(zhǎng)動(dòng)能。市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights指出,受到全球經(jīng)濟(jì)情勢(shì)不穩(wěn)定的影響,功率電晶體整體銷(xiāo)售額在2012與2013年分別下滑8%和6%;預(yù)估今年隨著景氣復(fù)蘇,可望止跌回升,并創(chuàng)下年增率
功率電晶體市場(chǎng)重拾成長(zhǎng)動(dòng)能。市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights指出,受到全球經(jīng)濟(jì)情勢(shì)不穩(wěn)定的影響,功率電晶體整體銷(xiāo)售額在2012與2013年分別下滑8%和6%;預(yù)估今年隨著景氣復(fù)蘇,可望止跌回升,并創(chuàng)下年增率8%的表現(xiàn),達(dá)125億美
【導(dǎo)讀】日本「物質(zhì)材料研究機(jī)構(gòu)」不久前發(fā)表了一種新型的電晶體技術(shù),不但耗電需求量是原來(lái)的百萬(wàn)分之一,而且可以使電腦的開(kāi)機(jī)時(shí)間接近為零。 日本「物質(zhì)材料研究機(jī)構(gòu)」不久前發(fā)表了一種新型的電晶體技術(shù),不但
【導(dǎo)讀】Altera晶圓代工策略大轉(zhuǎn)彎。Altera于日前宣布將采用英特爾(Intel)的14奈米叁閘極電晶體技術(shù),制造下一代軍事、固網(wǎng)通訊、云端網(wǎng)路,以及電腦和儲(chǔ)存應(yīng)用解決方案。 摘要: Altera晶圓代工策略大轉(zhuǎn)彎。Alt
【導(dǎo)讀】臺(tái)積電與漢辰皆已針對(duì)未來(lái)可望取代硅的鍺和三五族元素,分別投入發(fā)展新的晶圓制程,以及離子布植(Ion Implant)設(shè)備,期能在下一個(gè)半導(dǎo)體世代中,繼續(xù)站穩(wěn)市場(chǎng)。 摘要: 臺(tái)積電與漢辰皆已針對(duì)未來(lái)可望取代
【導(dǎo)讀】在新思科技(Synopsys)于美國(guó)硅谷舉行年度使用者大會(huì)上,參與一場(chǎng)座談會(huì)的產(chǎn)業(yè)專(zhuān)家表示,鰭式電晶體(FinFET)雖有發(fā)展?jié)摿Γ灿酗L(fēng)險(xiǎn),而且該技術(shù)的最佳時(shí)機(jī)尚未達(dá)到。 摘要: 在新思科技(Synopsys)于美
【導(dǎo)讀】Altera的14奈米(nm)三閘極電晶體(Tri-gate Transistor)制程可望于明年啟動(dòng)量產(chǎn)。面對(duì)賽靈思(Xilinx)即將于2014年采用臺(tái)積電16奈米鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程,生產(chǎn)首批現(xiàn)場(chǎng)系統(tǒng)單晶片可編程閘陣列(SoC FPGA
英飛凌科技(Infineon Technologies)推出700W L頻段的 RF 功率電晶體,擁有最高的 L 頻段輸出功率(700W),適用于作業(yè)頻率范圍介于1200-1400 MHz之間的雷達(dá)系統(tǒng)。藉由減少零件數(shù)量,全新的裝置可以降低系統(tǒng)成本,維持高
英國(guó)薩里大學(xué)(University of Surrey)的研究人員與飛利浦公司(Philips)的科學(xué)家共同開(kāi)發(fā)出一種稱(chēng)為「源閘電晶體」(SGT)的新技術(shù),可望在不久的將來(lái)推動(dòng)各種軟性電子實(shí)現(xiàn)廣泛應(yīng)用,例如更負(fù)擔(dān)得起的可卷曲平板電腦等。
英飛凌(Infineon)推出700瓦(W) L頻段的射頻(RF)功率電晶體PTVA127002EV,適用于操作頻率范圍1200~1400MHz間的雷達(dá)系統(tǒng)。新裝置減少零件數(shù)量,可降低系統(tǒng)成本,維持高耐用性,同時(shí)增進(jìn)可靠性。雷達(dá)系統(tǒng)發(fā)射出特定頻率
根據(jù)Extremetech網(wǎng)站報(bào)導(dǎo),極紫外光(EUV)微影技術(shù)仍待克服,以及18吋晶圓計(jì)畫(huà)目前仍充滿(mǎn)變數(shù),種種消息對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言,已出現(xiàn)技術(shù)亟待突破的關(guān)鍵期。2012年,臺(tái)積電、英特爾(Intel)與三星電子(Samsung Electronic