電路

測(cè)試檢驗(yàn)電路時(shí)序的FPGA邏輯驗(yàn)證分析儀

隨著FPGA技術(shù)的廣泛使用，越來(lái)越需要一臺(tái)能夠測(cè)試驗(yàn)證FPGA芯片中所下載電路邏輯時(shí)序是否正確的儀器。目前，雖然Agilent、Tektronix 等大公司生產(chǎn)的高端邏輯分析儀能夠?qū)崿F(xiàn)FPGA電路的測(cè)試驗(yàn)證功能，但此類(lèi)儀器價(jià)格

改進(jìn)光電晶體管線(xiàn)性運(yùn)行的反饋電路

當(dāng)設(shè)計(jì)者用光電晶體管將一個(gè)調(diào)制后的光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)時(shí)，如果有高亮度的背光使光電晶體管飽和，就會(huì)遇到麻煩。當(dāng)光電晶體管基極端懸浮時(shí)，其集電極/射極電壓只取決于信號(hào)與背光重疊而產(chǎn)生的光電流。光電晶體管增益

LED-電容降壓：詳細(xì)解說(shuō)電路

新型鋰離子電池完全充電的電路

　　以前，許多制造商生產(chǎn)了各種各樣的、相當(dāng)標(biāo)準(zhǔn)的鋰離子電池產(chǎn)品，它們的最大充電電壓為4.2 V ±1%。因此，現(xiàn)有的大多數(shù)為鋰離子電池充電的IC均被設(shè)計(jì)為以4.2V±1%的嚴(yán)格容差進(jìn)行充電。 　　然而，在過(guò)去的幾年中，

用橋電路驅(qū)動(dòng)立體聲耳機(jī)

設(shè)計(jì)電池供電耳機(jī)電路應(yīng)注意如下問(wèn)題：　　·低電源電壓有足夠的輸出功率;　　·豐富的音質(zhì)——低失真、高信噪比、平緩頻率響應(yīng)?！　∮玫褪д婧透咝旁氡鹊臉蚍糯笃麟娐房梢缘玫捷^高的輸出電壓擺幅。選擇合適的放大器

汽車(chē)?yán)锍逃?jì)電路的抗干擾設(shè)計(jì)

本文以汽車(chē)?yán)锍逃?jì)終端設(shè)計(jì)為背景，在已有實(shí)驗(yàn)條件下，討論了電磁兼容的抗干擾度設(shè)計(jì)方法，達(dá)到工程實(shí)際應(yīng)用的原則。提出了具有針對(duì)性綜合設(shè)計(jì)方案，經(jīng)過(guò)實(shí)踐，滿(mǎn)足設(shè)備電磁兼容性指標(biāo)和系統(tǒng)內(nèi)部的相互兼容?！　‰S著

汽車(chē)?yán)锍逃?jì)電路的抗干擾設(shè)計(jì)

本文以汽車(chē)?yán)锍逃?jì)終端設(shè)計(jì)為背景，在已有實(shí)驗(yàn)條件下，討論了電磁兼容的抗干擾度設(shè)計(jì)方法，達(dá)到工程實(shí)際應(yīng)用的原則。提出了具有針對(duì)性綜合設(shè)計(jì)方案，經(jīng)過(guò)實(shí)踐，滿(mǎn)足設(shè)備電磁兼容性指標(biāo)和系統(tǒng)內(nèi)部的相互兼容?！　‰S著

一種基于電容的電磁全隔離直流電源傳輸電路

高性能的電子電路要求高度潔凈的電源。然而目前在供電線(xiàn)路上的各種電器設(shè)備會(huì)產(chǎn)生許多高次諧波，對(duì)供電質(zhì)量造成影響。開(kāi)關(guān)型穩(wěn)壓電源以及DC-DC變換器都在輸入回路中采用開(kāi)關(guān)管作為斬?cái)嚯娏鞯钠骷?。高頻變壓器把脈動(dòng)的

雙電路低噪聲CMOS單電源運(yùn)算放大器（新日本無(wú)線(xiàn)）

新日本無(wú)線(xiàn)開(kāi)發(fā)完成了雙電路低噪聲CMOS單電源軌至軌輸出運(yùn)算放大器NJU7029，并開(kāi)始發(fā)放樣品。 該產(chǎn)品最適用于加速度傳感器，震蕩傳感器和光傳感器的信號(hào)處理。 NJU7029是一款雙電路CMOS 運(yùn)算放大器。該產(chǎn)品繼

基于多路音控電路的任意控制的研究設(shè)計(jì)

根據(jù)設(shè)計(jì)制作出的音控裝置達(dá)到任意控制4路輸出的目的。功能為：間斷掌聲(間斷時(shí)間大于0.8 s)可使前幾路或4路都同時(shí)通電；連續(xù)掌聲(間斷時(shí)間小于0.8 s)可選擇任意路通電；連續(xù)掌聲加間斷掌聲可使后幾路或第4路都同時(shí)通電；第5掌聲使CD4022復(fù)位，但通電的路數(shù)仍保持通電；CD4022復(fù)位后，也可以采用前述的間斷掌聲或連續(xù)掌聲切斷欲關(guān)斷的路數(shù)。如果要簡(jiǎn)單地切斷任意一路輸出，可將雙D觸發(fā)器的異步復(fù)位端RD由接地改為接8進(jìn)制計(jì)數(shù)器CD4022的Y0輸出端。當(dāng)Y0為高電平，4路D觸發(fā)器都被復(fù)位，4路輸出都被切斷。

臺(tái)積公司公布2008年11月?tīng)I(yíng)收?qǐng)?bào)告

臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司今（10）日公布2008年11月?tīng)I(yíng)收?qǐng)?bào)告，就非合并財(cái)務(wù)報(bào)表方面，營(yíng)收約為新臺(tái)幣192億9,500萬(wàn)元，較2008年10月份減少了32.0%，較去年同期減少了36.0%；累計(jì)今年一至十一月的營(yíng)收約為新臺(tái)幣3,

HP實(shí)驗(yàn)室展示集CMOS電路與憶阻器3D芯片

據(jù)電子工程專(zhuān)輯報(bào)道，惠普實(shí)驗(yàn)室(HP Labs)日前在加州柏克萊(Berkeley)舉行的一場(chǎng)研討會(huì)上，介紹了該機(jī)構(gòu)正在研發(fā)中的首款3D憶阻器(memristor)芯片原型。該原型是惠普研究人員Qiangfei Xia將憶阻器縱橫栓(crossbar)內(nèi)

研究人員將CMOS電路和柔性基板結(jié)合打造“柔性芯片”

傳統(tǒng)的硅電路雖然速度飛快，但是因?yàn)镃MOS晶圓制程的溫度很高，所以不能放置在軟性聚合物基板上。市面上雖有能將電子元件以低溫印刷到軟性基板上的硅墨水以及有機(jī)電路，但速度總是比不上CMOS。現(xiàn)在，有研究人員聲稱(chēng)解

美國(guó)第二大電路城申請(qǐng)破產(chǎn) 友訊影響不大

【提要】美國(guó)第二大電子零售產(chǎn)品通路商-電路城（Circuit City）申請(qǐng)破產(chǎn)，導(dǎo)致部分品牌廠(chǎng)商的帳款恐怕收不回來(lái)。 美國(guó)第二大電子零售產(chǎn)品通路商-電路城（Circuit City）申請(qǐng)破產(chǎn)，導(dǎo)致部分品牌廠(chǎng)商的帳款恐怕收不回