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美光：NAND尺寸持續(xù)微縮，有望挺進(jìn)10納米級
在日前的快閃內(nèi)存高峰會(Flash Memory Summit)上，人們普遍對該產(chǎn)業(yè)的前途感到悲觀。有人說，NAND供貨商在可預(yù)見的未來都將繼續(xù)虧損。另一些人則認(rèn)為，新的應(yīng)用如固態(tài)硬盤(SSD)所需的起飛時間遠(yuǎn)較預(yù)期來得長。當(dāng)然，
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美光：TMC模式不會成功
隨著TMC股東和班底逐漸浮上臺面，美光(Micron)和臺塑集團(tuán)將加速送出整合計(jì)畫書，美光在臺代表暨華亞科執(zhí)行副總勒松言(Michael Sadler)表示，TMC模式不會成功，即使成功亦不會解決臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)問題，但臺系DRAM廠并不
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美光：NAND尺寸持續(xù)微縮，挺進(jìn)10納米級有望
在日前的快閃內(nèi)存高峰會(Flash Memory Summit)上，人們普遍對該產(chǎn)業(yè)的前途感到悲觀。有人說，NAND供貨商在可預(yù)見的未來都將繼續(xù)虧損。另一些人則認(rèn)為，新的應(yīng)用如固態(tài)硬盤(SSD)所需的起飛時間遠(yuǎn)較預(yù)期來得長。當(dāng)然，
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美光對NAND未來充滿樂觀 挺進(jìn)1x-nm有望
在日前的閃存高峰會(Flash Memory Summit)上，人們普遍對該產(chǎn)業(yè)的前途感到悲觀。 有人說，NAND供貨商在可預(yù)見的未來都將繼續(xù)虧損。另一些人則認(rèn)為，新的應(yīng)用如固態(tài)硬盤(SSD)所需的起飛時間遠(yuǎn)較預(yù)期來得長。當(dāng)然，還
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美光新加坡廠年底導(dǎo)入40納米 為明年大戰(zhàn)暖身
2009、2010年對美光而言，最大的挑戰(zhàn)是從目前的68納米和華亞科的70納米制程，大量轉(zhuǎn)進(jìn)50納米制程，就技術(shù)角度而言相當(dāng)艱鉅，且同時也需要龐大的資金挹注，才能完成整個轉(zhuǎn)換過程。 美光分析，在50納米制程上，預(yù)計(jì)每
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美光新加坡廠年底導(dǎo)入40納米 為明年大戰(zhàn)暖身
三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)40納米制程開始試產(chǎn)，爾必達(dá)(Elpida)也考慮在2010年直接從65納米跳至40納米制程，美光計(jì)劃年底在新加坡12寸廠率先導(dǎo)入40納米制程，將成為美光旗下第1個導(dǎo)入40納米制程
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DRAM市場觸底，Q3出貨成長有望超過30%
市場研究機(jī)構(gòu)DIGITIMES Research 指出，2008年下半在全球金融海嘯沖擊下，終端消費(fèi)市場需求快速萎縮，造成DRAM現(xiàn)貨市場報價在這半年間下跌幅度超過50%，連帶使得原本就虧損累累、財務(wù)體質(zhì)日漸惡化的DRAM制造廠商營運(yùn)
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英特爾、美光合力3bps技術(shù)，推出業(yè)界最高效NAND產(chǎn)品
英特爾公司（Intel Corporation）和美光科技股份有限公司（Micron Technology Inc.）近日宣布，雙方依靠其獲獎的34納米NAND工藝，推出每單元儲存3比特（3-bit-per-cell，簡稱3bps）的多層單元（MLC）NAND技術(shù)試用產(chǎn)品
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英特爾聯(lián)手美光推34納米工藝NAND芯片
8月12日消息，據(jù)國外媒體報道，英特爾和美光科技今天宣布，雙方已將當(dāng)今最小的NAND芯片應(yīng)用于消費(fèi)存儲設(shè)備。 新NAND閃存芯片采用34納米生產(chǎn)工藝，每單元可儲存3比特。新產(chǎn)品由兩家公司合資企業(yè)IM Flash Technology公
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英特爾和美光利用34納米工藝開發(fā)32Gb 3bpc NAND芯片
英特爾公司（Intel Corporation）和美光科技股份有限公司（Micron Technology Inc.）宣布，雙方依靠其獲獎的34納米NAND工藝，推出每單元儲存3比特（3-bit-per-cell，簡稱3bps）的多層單元（MLC）NAND技術(shù)試用產(chǎn)品。這
