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全新低電流BiCMOS光電煙霧探測器IC（Allegro）
Allegro MicroSystems 推出一款全新的低電流 BiCMOS 光電煙霧探測器 IC，該 IC 具有超低待機(jī)電流，平均電池壽命長達(dá) 10 年。 Allegro 的 A5303 器件可與紅外光室配合使用，感測煙霧微粒散發(fā)的光線。聯(lián)網(wǎng)功能讓設(shè)備實(shí)
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全差分BiCMOS采樣/保持電路仿真設(shè)計(jì)
0 引言隨著數(shù)字技術(shù)、微機(jī)和模數(shù)轉(zhuǎn)換技術(shù)的研究與進(jìn)展，作為模擬和數(shù)字信號(hào)接口電路的模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)得到了廣泛應(yīng)用。由于ADc中的重要組成單元——采樣／保持(S／H)電路的精度和速度直接決定ADC的性能，所以設(shè)計(jì)高
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恩智浦將推出50種采用SiGe:C BiCMOS工藝技術(shù)的射頻/微波產(chǎn)品
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）近日宣布推出一系列采用最新SiGe（硅鍺）工藝技術(shù)開發(fā)、針對高頻無線電應(yīng)用的新產(chǎn)品，旨在滿足行業(yè)對更強(qiáng)大、高性價(jià)比和高集成度硅基技術(shù)日益增長的需求。恩智浦將在2010年底前推
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臺(tái)積電聯(lián)手IMEC公司開發(fā)22nm制程技術(shù)
最近芯片制造業(yè)各大巨頭連連作出合并動(dòng)作，繼不久前GF的大股東ATIC買下新加坡特許半導(dǎo)體之后，最近臺(tái)積電與比利時(shí)IMEC公司也正式簽署了合作開發(fā) 協(xié)議，雙方將協(xié)力進(jìn)行混合信號(hào)IC,3D,MEMS以及BiCMOS等有關(guān)技術(shù)產(chǎn)品的研
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光通信芯片將趨向于采用CMOS工藝
在3G之后，F(xiàn)TTx將是光通信建設(shè)的又一高潮，我們將進(jìn)入一個(gè)全新的寬帶時(shí)代。從目前三大運(yùn)營商對FTTx的部署來看，光節(jié)點(diǎn)會(huì)越來越多，可預(yù)見不久的將來出現(xiàn)光通信新一輪井噴式的發(fā)展。EPON、GPON是目前FTTx的主流網(wǎng)絡(luò)方
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新一代硅鍺碳BiCMOS QUBIC4技術(shù)（恩智浦）
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors，由飛利浦成立的獨(dú)立半導(dǎo)體公司），近日推出業(yè)界領(lǐng)先的QUBIC4 BiCMOS硅技術(shù)，鞏固了其在射頻領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，實(shí)現(xiàn)在高頻率上提供更優(yōu)的性能和更高集成度的同時(shí)，為客戶帶來成本優(yōu)勢
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英特爾將二期制造設(shè)備和技術(shù)售與方正微電子
英特爾將二期制造設(shè)備和技術(shù)售與方正微電子
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射頻芯片：工藝成本功耗是永恒熱點(diǎn)
射頻芯片：工藝成本功耗是永恒熱點(diǎn)
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射頻芯片：工藝成本功耗是永恒熱點(diǎn)
支持手機(jī)功能的兩大核心芯片之一的射頻收發(fā)芯片一直被認(rèn)為是中國無線通信和3G產(chǎn)業(yè)的薄弱環(huán)節(jié)。去年下半年，國內(nèi)兩家領(lǐng)先的射頻芯片企業(yè)銳迪科微電子(上海)有限公司(以下簡稱“銳迪科”)和鼎芯通訊(上海)有限公司(以下
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射頻芯片：工藝成本功耗是永恒熱點(diǎn)
支持手機(jī)功能的兩大核心芯片之一的射頻收發(fā)芯片一直被認(rèn)為是中國無線通信和3G產(chǎn)業(yè)的薄弱環(huán)節(jié)。去年下半年，國內(nèi)兩家領(lǐng)先的射頻芯片企業(yè)銳迪科微電子(上海)有限公司(以下簡稱“銳迪科”)和鼎芯通訊(上海)有限公司(以下
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Jazz有意并購8英寸廠 目標(biāo)不在亞洲
由于第三季度產(chǎn)能利用率激增，Jazz半導(dǎo)體日前有意收購或合作運(yùn)營一座8英寸工廠，Jazz市場營銷部副總裁ChuckFox表示。 Fox表示，8英寸廠很可能不會(huì)位于亞洲，而是坐落在生產(chǎn)成本更加低廉的地區(qū)。 他另外指出
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臺(tái)積電將建立12寸晶圓級封裝技術(shù)與產(chǎn)能
全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電表示，該公司董事會(huì)已核準(zhǔn)資本預(yù)算5,980萬美元，建立12寸晶圓級封裝(WaferLevelPackage)技術(shù)與產(chǎn)能。 臺(tái)積電董事會(huì)并核準(zhǔn)資本預(yù)算2,280萬美元，將原本每月可生產(chǎn)12,600片八寸晶圓的0.18微米邏
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臺(tái)積電加碼5980萬美元投資晶圓級封裝技術(shù)
晶圓代工廠商臺(tái)積電(TSMC)宣布，核準(zhǔn)資本預(yù)算5,980萬美元(約19.7億新臺(tái)幣)，建立300mm廠晶圓級封裝(WaferLevelPackage)技術(shù)及產(chǎn)能。臺(tái)積電指出，晶圓級封裝技術(shù)可有效縮小終端產(chǎn)品尺寸，順應(yīng)了應(yīng)未來市場需求，提高臺(tái)
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1.5GHz BiCMOS級間電感匹配低噪聲放大器設(shè)計(jì)
由于共源共柵級結(jié)構(gòu)能同時(shí)滿足噪聲和功率匹配的要求，因此在LNA的設(shè)計(jì)中被廣泛采用。但共源級和共柵級之間的匹配是個(gè)關(guān)鍵問題，筆者通過在其之間插入一個(gè)級間匹配電感，使得這個(gè)問題得以解決。
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東芝推出支持WLAN、PHS及藍(lán)牙的SiGe BiCMOS功放IC
東芝美國電子元器件公司(Toshiba America Electronic Components, TAEC)日前發(fā)布一款中等功率SiGe BiCMOS功率放大器TA4401CT，該產(chǎn)品適合于1.9GHz至2.5GHz頻帶的無線應(yīng)用，包括無線LAN(WLAN)、PHS以及藍(lán)牙等。
