(1.重慶郵電學(xué)院 重慶 400065;2.信息產(chǎn)業(yè)部電子二十四所 重慶 400060) 摘 要:介紹了一種采用BiCMOS工藝技術(shù)制造的具有較大的驅(qū)動(dòng)能力、轉(zhuǎn)換速率和較低的功耗的AB類輸出級(jí)。他是利用跨導(dǎo)線性原理實(shí)現(xiàn)自適應(yīng)偏
【導(dǎo)讀】該Fab將耗資4億美元,預(yù)計(jì)每月投產(chǎn)3000片,此前的0.18微米生產(chǎn)線將主要專注于電源管理類、雙極類以及BiCMOS類芯片,而新Fab將主要用來生產(chǎn)RFD、智能卡以及工業(yè)級(jí)芯片。 摘要: 該Fab將耗資4億美元,預(yù)計(jì)
2012年,面臨國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體市場(chǎng)增速大幅放緩的不利影響,中國(guó)IC制造業(yè)整體仍然保持了穩(wěn)定增長(zhǎng)的勢(shì)頭,銷售規(guī)模已超過500億元,達(dá)到501.1億元,較2011年的431.6億元,增長(zhǎng)了16.1%。2013年前三季度,IC制造業(yè)規(guī)模達(dá)到45
LM358和LMV358有什么區(qū)別?LMV358為低電壓,但應(yīng)該不能算mos器件。工藝上叫BICMOS工藝。具體區(qū)別可以查看對(duì)比一下兩者的datasheet。
采用TDA7388調(diào)頻立體聲解碼器
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,ST)與CMP(Circuits Multi Projets®)攜手宣布,大專院校、研究實(shí)驗(yàn)室及企業(yè)可通過CMP提供的芯片中介服務(wù)使用意法半導(dǎo)體的28納米(nm)CMOS制程開發(fā)芯片設(shè)計(jì)。雙方在上一代CMOS合作項(xiàng)
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,ST)與CMP(Circuits Multi Projets?)攜手宣布,大專院校、研究實(shí)驗(yàn)室及企業(yè)可通過CMP提供的芯片中介服務(wù)使用意法半導(dǎo)體的28納米(nm)CMOS制程開發(fā)芯片設(shè)計(jì)。雙方在上一代CMOS合作
為了提高運(yùn)算放大器的驅(qū)動(dòng)能力,依據(jù)現(xiàn)有CMOS集成電路生產(chǎn)線,介紹一款新型BiCMOS集成運(yùn)算放大電路設(shè)計(jì),探討B(tài)iCMOS工藝的特點(diǎn)。在S-Edit中進(jìn)行“BiCMOS運(yùn)放設(shè)計(jì)”電路設(shè)計(jì),并對(duì)其電路各個(gè)器件參數(shù)進(jìn)行調(diào)
摘要:為了提高運(yùn)算放大器的驅(qū)動(dòng)能力,依據(jù)現(xiàn)有CMOS集成電路生產(chǎn)線,介紹一款新型BiCMOS集成運(yùn)算放大電路設(shè)計(jì),探討B(tài)iCMOS工藝的特點(diǎn)。在S-Edit中進(jìn)行“BiCMOS運(yùn)放設(shè)計(jì)”電路設(shè)計(jì),并對(duì)其電路各個(gè)器件參數(shù)
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,日前,俄羅斯芯片制造商JSCMikron宣布與意法半導(dǎo)體合資的90nm8寸生產(chǎn)線將于2011年年底前投片。此前雙方曾于2006年合資開展0.18微米制程工藝。該Fab將耗資4億美元,預(yù)計(jì)每月投產(chǎn)3000片,此前的0.18微
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,日前,俄羅斯芯片制造商JSC Mikron宣布與意法半導(dǎo)體合資的90nm 8寸生產(chǎn)線將于2011年年底前投片。此前雙方曾于2006年合資開展0.18微米制程工藝。該Fab將耗資4億美元,預(yù)計(jì)每月投產(chǎn)3000片,此前的0.18
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,日前,俄羅斯芯片制造商JSC Mikron宣布與意法半導(dǎo)體合資的90nm 8寸生產(chǎn)線將于2011年年底前投片。此前雙方曾于2006年合資開展0.18微米制程工藝。該Fab將耗資4億美元,預(yù)計(jì)每月投產(chǎn)3000片,此前的0.18
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,日前,俄羅斯芯片制造商JSC Mikron宣布與意法半導(dǎo)體合資的90nm 8寸生產(chǎn)線將于2011年年底前投片。此前雙方曾于2006年合資開展0.18微米制程工藝。 該Fab將耗資4億美元,預(yù)計(jì)每月投產(chǎn)3000片,此前的0.
在模擬及數(shù)/?;旌霞呻娐吩O(shè)計(jì)中,電壓基準(zhǔn)是非常重要的電路模塊之一,而通過巧妙設(shè)計(jì)的帶隙電壓基準(zhǔn)更是以其與電源電壓、工藝、溫度變化幾乎無關(guān)的特點(diǎn),廣泛應(yīng)用在LDO及DC-DC集成穩(wěn)壓器、射頻電路、高精度A/D
在模擬及數(shù)/?;旌霞呻娐吩O(shè)計(jì)中,電壓基準(zhǔn)是非常重要的電路模塊之一,而通過巧妙設(shè)計(jì)的帶隙電壓基準(zhǔn)更是以其與電源電壓、工藝、溫度變化幾乎無關(guān)的特點(diǎn),廣泛應(yīng)用在LDO及DC-DC集成穩(wěn)壓器、射頻電路、高精度A/D
采用Xfab O.35μm BiCMOS工藝設(shè)計(jì)了一種高電源抑制比(PSRR)、低溫漂、輸出0.5 V的帶隙基準(zhǔn)源電路。該設(shè)計(jì)中,電路采用新型電流模帶隙基準(zhǔn),解決了傳統(tǒng)電流模帶隙基準(zhǔn)的第三簡(jiǎn)并態(tài)的問題,且實(shí)現(xiàn)了較低的基準(zhǔn)電壓;增加了修調(diào)電路,實(shí)現(xiàn)了基準(zhǔn)電壓的微調(diào)。利用Cadence軟件對(duì)其進(jìn)行仿真驗(yàn)證,其結(jié)果顯示,當(dāng)溫度在-40~+120℃范圍內(nèi)變化時(shí),輸出基準(zhǔn)電壓的溫度系數(shù)為15 ppm/℃;電源電壓在2~4 V范圍內(nèi)變化時(shí),基準(zhǔn)電壓擺動(dòng)小于O.06 mV;低頻下具有-102.6 dB的PSRR,40
采用Xfab O.35μm BiCMOS工藝設(shè)計(jì)了一種高電源抑制比(PSRR)、低溫漂、輸出0.5 V的帶隙基準(zhǔn)源電路。該設(shè)計(jì)中,電路采用新型電流模帶隙基準(zhǔn),解決了傳統(tǒng)電流模帶隙基準(zhǔn)的第三簡(jiǎn)并態(tài)的問題,且實(shí)現(xiàn)了較低的基準(zhǔn)電壓;增加了修調(diào)電路,實(shí)現(xiàn)了基準(zhǔn)電壓的微調(diào)。利用Cadence軟件對(duì)其進(jìn)行仿真驗(yàn)證,其結(jié)果顯示,當(dāng)溫度在-40~+120℃范圍內(nèi)變化時(shí),輸出基準(zhǔn)電壓的溫度系數(shù)為15 ppm/℃;電源電壓在2~4 V范圍內(nèi)變化時(shí),基準(zhǔn)電壓擺動(dòng)小于O.06 mV;低頻下具有-102.6 dB的PSRR,40
基于柵壓控制MOS管等效電阻實(shí)現(xiàn)放大器輸出電阻和射極電阻同時(shí)改變的原理,構(gòu)造一種新型可變?cè)鲆娣糯笃?,通過控制電路和穩(wěn)壓電路提高了增益動(dòng)態(tài)范圍和電路穩(wěn)定性。采用UMC O.5μm BiCMOS工藝,使用HSpice軟件仿真,結(jié)果表明該放大器可在O~70μA的較小控制電流下實(shí)現(xiàn)增益在O~66 dB寬范圍內(nèi)連續(xù)變化,帶寬超過73 MHz,具有良好的線性度。