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全差分BiCMOS采樣 保持電路仿真設計
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一種BiCMOS工藝的AB類自適應偏置輸出級
(1．重慶郵電學院 重慶 400065；2．信息產業(yè)部電子二十四所 重慶 400060) 摘 要：介紹了一種采用BiCMOS工藝技術制造的具有較大的驅動能力、轉換速率和較低的功耗的AB類輸出級。他是利用跨導線性原理實現(xiàn)自適應偏
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全差分BiCMOS采樣 保持電路仿真設計
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意法半導體與Mikron二度聯(lián)手開發(fā)90nm生產線
【導讀】該Fab將耗資4億美元，預計每月投產3000片，此前的0.18微米生產線將主要專注于電源管理類、雙極類以及BiCMOS類芯片，而新Fab將主要用來生產RFD、智能卡以及工業(yè)級芯片。 摘要： 該Fab將耗資4億美元，預計
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集成電路產業(yè)細分領域行業(yè)概況分析之IC制造
2012年，面臨國內外半導體市場增速大幅放緩的不利影響，中國IC制造業(yè)整體仍然保持了穩(wěn)定增長的勢頭，銷售規(guī)模已超過500億元，達到501.1億元，較2011年的431.6億元，增長了16.1%。2013年前三季度，IC制造業(yè)規(guī)模達到45
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LM358和LMV358有什么區(qū)別?
LM358和LMV358有什么區(qū)別?LMV358為低電壓，但應該不能算mos器件。工藝上叫BICMOS工藝。具體區(qū)別可以查看對比一下兩者的datasheet。
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采用TDA7388調頻立體聲解碼器
采用TDA7388調頻立體聲解碼器
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ST28納米CMOS制程開發(fā)向客戶開發(fā)
意法半導體(STMicroelectronics，ST)與CMP(Circuits Multi Projets®)攜手宣布，大專院校、研究實驗室及企業(yè)可通過CMP提供的芯片中介服務使用意法半導體的28納米(nm)CMOS制程開發(fā)芯片設計。雙方在上一代CMOS合作項
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ST通過CMP提供28納米CMOS制程
意法半導體（STMicroelectronics，ST）與CMP（Circuits Multi Projets?）攜手宣布，大專院校、研究實驗室及企業(yè)可通過CMP提供的芯片中介服務使用意法半導體的28納米（nm）CMOS制程開發(fā)芯片設計。雙方在上一代CMOS合作
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新型BiCMOS集成運算放大器設計
為了提高運算放大器的驅動能力，依據(jù)現(xiàn)有CMOS集成電路生產線，介紹一款新型BiCMOS集成運算放大電路設計，探討B(tài)iCMOS工藝的特點。在S-Edit中進行“BiCMOS運放設計”電路設計，并對其電路各個器件參數(shù)進行調
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基于0．5μm CMOS工藝的一款新型BiCMOS集成運算放大器設計
摘要：為了提高運算放大器的驅動能力，依據(jù)現(xiàn)有CMOS集成電路生產線，介紹一款新型BiCMOS集成運算放大電路設計，探討B(tài)iCMOS工藝的特點。在S-Edit中進行“BiCMOS運放設計”電路設計，并對其電路各個器件參數(shù)
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俄羅斯Mikron與意法二度聯(lián)手 開發(fā)90nm生產線
據(jù)國外媒體報道，日前，俄羅斯芯片制造商JSCMikron宣布與意法半導體合資的90nm8寸生產線將于2011年年底前投片。此前雙方曾于2006年合資開展0.18微米制程工藝。該Fab將耗資4億美元，預計每月投產3000片，此前的0.18微
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俄羅斯Mikron與意法聯(lián)手開發(fā)90nm生產線
據(jù)國外媒體報道，日前，俄羅斯芯片制造商JSC Mikron宣布與意法半導體合資的90nm 8寸生產線將于2011年年底前投片。此前雙方曾于2006年合資開展0.18微米制程工藝。該Fab將耗資4億美元，預計每月投產3000片，此前的0.18
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Mikron與意法二度聯(lián)手 開發(fā)90nm生產線
據(jù)國外媒體報道，日前，俄羅斯芯片制造商JSC Mikron宣布與意法半導體合資的90nm 8寸生產線將于2011年年底前投片。此前雙方曾于2006年合資開展0.18微米制程工藝。該Fab將耗資4億美元，預計每月投產3000片，此前的0.18
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Mikron 意法二度聯(lián)手 開發(fā)90nm生產線
據(jù)國外媒體報道，日前，俄羅斯芯片制造商JSC Mikron宣布與意法半導體合資的90nm 8寸生產線將于2011年年底前投片。此前雙方曾于2006年合資開展0.18微米制程工藝。 該Fab將耗資4億美元，預計每月投產3000片，此前的0.
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新型BiCMOS帶隙基準電路的設計
在模擬及數(shù)/?；旌霞呻娐吩O計中，電壓基準是非常重要的電路模塊之一，而通過巧妙設計的帶隙電壓基準更是以其與電源電壓、工藝、溫度變化幾乎無關的特點，廣泛應用在LDO及DC-DC集成穩(wěn)壓器、射頻電路、高精度A/D
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新型BiCMOS帶隙基準電路的設計
在模擬及數(shù)/?；旌霞呻娐吩O計中，電壓基準是非常重要的電路模塊之一，而通過巧妙設計的帶隙電壓基準更是以其與電源電壓、工藝、溫度變化幾乎無關的特點，廣泛應用在LDO及DC-DC集成穩(wěn)壓器、射頻電路、高精度A/D
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一種高精度BiCMOS電流模帶隙基準源
采用Xfab O．35μm BiCMOS工藝設計了一種高電源抑制比(PSRR)、低溫漂、輸出0．5 V的帶隙基準源電路。該設計中，電路采用新型電流模帶隙基準，解決了傳統(tǒng)電流模帶隙基準的第三簡并態(tài)的問題，且實現(xiàn)了較低的基準電壓；增加了修調電路，實現(xiàn)了基準電壓的微調。利用Cadence軟件對其進行仿真驗證，其結果顯示，當溫度在-40～+120℃范圍內變化時，輸出基準電壓的溫度系數(shù)為15 ppm／℃；電源電壓在2～4 V范圍內變化時，基準電壓擺動小于O．06 mV；低頻下具有-102．6 dB的PSRR，40
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一種高精度BiCMOS電流模帶隙基準源
采用Xfab O．35μm BiCMOS工藝設計了一種高電源抑制比(PSRR)、低溫漂、輸出0．5 V的帶隙基準源電路。該設計中，電路采用新型電流模帶隙基準，解決了傳統(tǒng)電流模帶隙基準的第三簡并態(tài)的問題，且實現(xiàn)了較低的基準電壓；增加了修調電路，實現(xiàn)了基準電壓的微調。利用Cadence軟件對其進行仿真驗證，其結果顯示，當溫度在-40～+120℃范圍內變化時，輸出基準電壓的溫度系數(shù)為15 ppm／℃；電源電壓在2～4 V范圍內變化時，基準電壓擺動小于O．06 mV；低頻下具有-102．6 dB的PSRR，40
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基于BiCMOS寬動態(tài)可變增益放大器的設計
基于柵壓控制MOS管等效電阻實現(xiàn)放大器輸出電阻和射極電阻同時改變的原理，構造一種新型可變增益放大器，通過控制電路和穩(wěn)壓電路提高了增益動態(tài)范圍和電路穩(wěn)定性。采用UMC O．5μm BiCMOS工藝，使用HSpice軟件仿真，結果表明該放大器可在O～70μA的較小控制電流下實現(xiàn)增益在O～66 dB寬范圍內連續(xù)變化，帶寬超過73 MHz，具有良好的線性度。
