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三菱展示新一代概念電動(dòng)車(chē) 配3D抬頭顯示功能
三菱在四年前曾經(jīng)展示過(guò)一款Tron電動(dòng)概念車(chē)，不過(guò)在這四年里，似乎一直都沒(méi)有什么進(jìn)一步的消息。而現(xiàn)在經(jīng)過(guò)多年的努力，三菱近日終于對(duì)外展示了旗下第三代的Emirai電動(dòng)概念
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正確排查EMI問(wèn)題的四大實(shí)用性技巧
全世界幾乎所有政府都在嘗試控制他們國(guó)家生產(chǎn)的電子產(chǎn)品產(chǎn)生的有害電磁干擾(EMI)(見(jiàn)圖1)。為了向用戶提供一定的保護(hù)和安全等級(jí)，政府都會(huì)制訂涉及電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)的非常特殊的
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如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能
一、引言MOSFET作為主要的開(kāi)關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對(duì)其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少M(fèi)OSFET的損
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如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能
摘要： 本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應(yīng)用，分析了MOSFET損耗特點(diǎn)，提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關(guān)系。關(guān)鍵詞：MOSFET 損耗分析 EMI 金升陽(yáng)R3一
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量化射頻（RF）干擾對(duì)線性電路的影響
典型的精密運(yùn)算放大(運(yùn)放)器可以有1MHz的增益帶寬積。從理論上講，用戶可能期望千兆赫水平的RF信號(hào)衰減到非常低的水平，因?yàn)樗鼈冞h(yuǎn)遠(yuǎn)超出了放大器的帶寬范圍。然而，實(shí)際情況并非如此。
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高速PCB設(shè)計(jì)EMI之九大規(guī)則
隨著信號(hào)上升沿時(shí)間的減小及信號(hào)頻率的提高，電子產(chǎn)品的EMI問(wèn)題越來(lái)越受到電子工程師的關(guān)注，幾乎60%的EMI問(wèn)題都可以通過(guò)高速PCB來(lái)解決。以下是九大規(guī)則：規(guī)則一：高速信號(hào)走線屏蔽規(guī)則 在高速的PCB設(shè)計(jì)中，時(shí)鐘等關(guān)
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最新升壓-降壓型 LED 驅(qū)動(dòng)器拓?fù)?具低輸入和低輸出紋波以實(shí)現(xiàn)低 EMI
和正壓版本 Cuk 轉(zhuǎn)換器都有相像的地方，正壓版本 Cuk 轉(zhuǎn)換器也具備低輸入和低輸出紋波。整合的升壓-降壓電感器 (或耦合電感器) 的總體尺寸與降壓-升壓模式單電感器類(lèi)似。輸入紋波與 SEPIC 類(lèi)似，但是輸出紋波小得多。電感器尺寸與 SEPIC 相同，但采用了單而不是雙開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn) (熱環(huán)路更小)，而且降低了復(fù)雜性，因?yàn)閮蓚€(gè)繞組之間沒(méi)有耦合電容器。輸入和輸出紋波類(lèi)似于 Cuk 轉(zhuǎn)換器的低輸入和低輸出紋波 (負(fù)輸出)，但是繞組之間仍然沒(méi)有耦合電容器，而且最重要的是，無(wú)需以負(fù)壓為基準(zhǔn)的電路反饋架構(gòu)。正壓升壓-
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電子電路設(shè)計(jì)中EMC/EMI的模擬仿真
為了保證設(shè)計(jì)的PCB板具有高質(zhì)量和高可靠性，設(shè)計(jì)者通常要對(duì)PCB板進(jìn)行熱溫分析，機(jī)械可靠性分析。由于PCB板上的電子器件密度越來(lái)越大，走線越來(lái)越窄，信號(hào)的頻率越來(lái)越高，不
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車(chē)充、車(chē)載直流電源的拆解測(cè)試(1)
這次拆解測(cè)試使用的儀器，除了RIGOL的DSA815頻譜儀，自制的近場(chǎng)探頭，RIGOL的DP832直流電源,還需要一臺(tái)數(shù)字示波器，幾百兆Hz帶寬的通常就夠了，比如，RIGOL的DS4000,DS2000
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EMI和EMC電路中磁珠和電感起到的不同作用
磁珠和電感在解決EMI和EMC方面各與什么作用，首先我們來(lái)看看磁珠和電感的區(qū)別，電感是閉合回路的一種屬性，多用于電源濾波回路，而磁珠主要多 用于信號(hào)回路，用于EMC對(duì)策磁珠主要用于抑制電磁輻射干擾，而電感用于這
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輕松解決汽車(chē)環(huán)境中的EMI問(wèn)題
背景印刷電路板布局決定著所有電源的成敗，決定著功能、電磁干擾(EMI)和受熱時(shí)的表現(xiàn)。開(kāi)關(guān)電源布局不是魔術(shù)，并不難，只不過(guò)在最初設(shè)計(jì)階段，可能常常被忽視。然而，因?yàn)楣?/p>
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拆解因遭受雷擊而關(guān)機(jī)的千兆以太網(wǎng)交換機(jī)
最近，我的落基山宅邸，因雷擊導(dǎo)致多個(gè)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備損毀，其中之一—LG愛(ài)立信公司5口千兆以太網(wǎng)(GbE)交換機(jī)ES-1105G(圖1～圖3)，便是本次拆解分析的對(duì)象。在經(jīng)歷電磁脈沖(EMP)輻射后，這臺(tái)ES-1105G設(shè)備便無(wú)法充電。
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防止過(guò)熱與EMI損壞的工業(yè)級(jí)設(shè)計(jì)考量
前言工業(yè)應(yīng)用中的電子控制與傳感組件能在制造、加工與生產(chǎn)的眾多方面提供支持或?qū)崿F(xiàn)顯著的性能提升。但是，電子設(shè)備必須能夠承受生產(chǎn)鋼材、石油產(chǎn)品與化工品等惡劣環(huán)境或是具有極端高溫、多灰塵以及潮濕的礦山環(huán)境。
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汽車(chē)電子MCU的抗EMI設(shè)計(jì)與測(cè)試方案
1 引言隨著集成電路集成度的提高，越來(lái)越多的元件集成到芯片上，電路功能變得復(fù)雜，工作電壓也在降低。當(dāng)一個(gè)或多個(gè)電路里產(chǎn)生的信號(hào)或噪聲與同一個(gè)芯片內(nèi)另一個(gè)電路的運(yùn)行彼此干擾時(shí)，就產(chǎn)生了芯片內(nèi)的EMC問(wèn)題，最
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負(fù)載點(diǎn)穩(wěn)壓器改善醫(yī)療成像質(zhì)量
成像技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新傳統(tǒng)模擬X射線成像系統(tǒng)以專(zhuān)門(mén)的感光膠片為介質(zhì)，將通過(guò)的X射線轉(zhuǎn)變成可視圖像。為了完成這一任務(wù)，該膠片必須經(jīng)過(guò)一種化學(xué)顯影過(guò)程，這個(gè)過(guò)程可能需要幾分鐘，因此推遲了開(kāi)始對(duì)病人進(jìn)行治療的時(shí)間
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構(gòu)建低電磁干擾原型的關(guān)鍵步驟
本文探討在微波暗室一致性測(cè)試之前構(gòu)建低電磁干擾(EMI)原型的關(guān)鍵步驟，包括設(shè)計(jì)低輻射的電路以及預(yù)兼容檢測(cè)。預(yù)兼容檢測(cè)包括使用三維電磁場(chǎng)仿真軟件對(duì)印刷電路板(PCB)
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電源技巧：一個(gè)小小的疏忽就會(huì)毀掉 EMI 性能
在您的電源中很容易找到作為寄生元件的100fF電容器。您必須明白，只有處理好它們才能獲得符合EMI標(biāo)準(zhǔn)的電源。從開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)到輸入引線的少量寄生電容(100 毫微微法拉)會(huì)讓您無(wú)
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幾招教你搞定LED的EMC/EMI問(wèn)題
針對(duì)于設(shè)計(jì)LED電源的工程師來(lái)說(shuō)，電磁干擾問(wèn)題應(yīng)該是一直存在于設(shè)計(jì)中的一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題，尤其是在今年7月16日中國(guó)國(guó)家認(rèn)監(jiān)委把LED驅(qū)動(dòng)電源納入了3C強(qiáng)制認(rèn)證的范疇。并且新
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使用示波器進(jìn)行EMI診斷
羅德與施瓦茨公司推出的RTO數(shù)字示波器可以幫助開(kāi)發(fā)工程師進(jìn)行電子設(shè)計(jì)時(shí)在時(shí)域和頻域來(lái)分析EMI問(wèn)題，并且能夠幫助定位EMI的產(chǎn)生原因。RTO數(shù)字示波器具備極低的輸入噪聲，在0-4GHz全帶寬范圍內(nèi)，靈敏度可以達(dá)到1mv/d
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ST全新單芯片整合EMI和ESD保護(hù)功能
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics, ST)推出新款 EMIF06-MSD03F3 單晶片，該元件整合 EMI 濾波與靜電放電(ESD)保護(hù)功能，適用于配備SD 3.0超高速(UHS-I)micro-SD卡的手機(jī)、平
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