臺(tái)積電在先進(jìn)制程技術(shù)加緊腳步,擴(kuò)充產(chǎn)能不遺余力,中科Fab15廠房的28納米新一期廠房本月投產(chǎn),負(fù)責(zé)20納米的南科Fab14第五、六期陸續(xù)裝機(jī),第3季12寸月產(chǎn)能將突破40萬片,與英特爾并駕齊驅(qū)。 臺(tái)積電今年資本支出調(diào)
晶圓代工大廠聯(lián)華電子(UMC,以下簡稱聯(lián)電)宣布,已將其于新加坡12寸晶圓廠Fab12i,打造為引領(lǐng)先進(jìn)特殊技術(shù)研發(fā)制造的基地「CenterofExcellence」。此特殊技術(shù)中心設(shè)立時(shí)的投入金額為1.1億美元,將會(huì)與諸如微電子研究
晶圓代工大廠聯(lián)華電子(UMC,以下簡稱聯(lián)電)宣布,已將其于新加坡 12寸晶圓廠Fab 12i,打造為引領(lǐng)先進(jìn)特殊技術(shù)研發(fā)制造的基地「Center of Excellence」。此特殊技術(shù)中心設(shè)立時(shí)的投入金額為1.1億美元,將會(huì)與諸如微電子
晶圓代工大廠聯(lián)華電子(UMC,以下簡稱聯(lián)電)宣布,已將其于新加坡 12寸晶圓廠Fab 12i,打造為引領(lǐng)先進(jìn)特殊技術(shù)研發(fā)制造的基地「Center of Excellence」。此特殊技術(shù)中心設(shè)立時(shí)的投入金額為1.1億美元,將會(huì)與諸如微電子
晶圓代工大廠聯(lián)華電子(UMC,以下簡稱聯(lián)電)宣布,已將其于新加坡 12寸晶圓廠Fab 12i,打造為引領(lǐng)先進(jìn)特殊技術(shù)研發(fā)制造的基地「Center of Excellence」。此特殊技術(shù)中心設(shè)立時(shí)的投入金額為1.1億美元,將會(huì)與諸如微電子
聯(lián)華電子股份有限公司(UMC,簡稱「聯(lián)電」)今天宣布,該公司在新加坡建立了作為「卓越中心」的Fab12i,以引領(lǐng)其先進(jìn)特殊工藝技術(shù)的研發(fā)(R&D)和生產(chǎn)的發(fā)展。該卓越中心初期投資為1.1億美元,將與新加坡微電子研究院等
新加坡, 2013年5月22日 /美通社-PR Newswire/ -- 聯(lián)華電子股份有限公司(UMC,簡稱「聯(lián)電」)今天宣布,該公司在新加坡建立了作為「卓越中心」的 Fab 12i,以引領(lǐng)其先進(jìn)特殊工藝技術(shù)的研發(fā) (R&D) 和生產(chǎn)的發(fā)展。該卓
晶圓代工廠聯(lián)電(2303)昨(22)日宣布以1.1億美元(約新臺(tái)幣32.9億元)在新加坡12i設(shè)立特殊技術(shù)研發(fā)制造的基地「Center of Excellence」,市場(chǎng)解讀,聯(lián)電與臺(tái)積電在28納米以下力拚之余,將透過特殊制程與現(xiàn)有大廠差
晶圓代工二哥聯(lián)電今年將追求獲利成長,不再與臺(tái)積電及格羅方德(GlobalFoundries)進(jìn)行先進(jìn)制程開發(fā)競(jìng)賽。聯(lián)電開始針對(duì)本身產(chǎn)能進(jìn)行重新調(diào)配,未來先進(jìn)技術(shù)產(chǎn)能將以南科12寸廠Fab 12A為重心,位于新加坡的12寸晶圓廠
臺(tái)積電第2季產(chǎn)能利用率沖上100%滿水位,但28納米、20納米等先進(jìn)制程需求有增無減,臺(tái)積電已加快建廠擴(kuò)產(chǎn)腳步,昨(14)日董事會(huì)核準(zhǔn)1,460億7,668萬元資本預(yù)算。隨著新產(chǎn)能逐步開出,今年底臺(tái)積電擁有的非存儲(chǔ)器產(chǎn)能
晶圓龍頭臺(tái)積電昨(14)日董事會(huì)通過核準(zhǔn)1,460億元的資本預(yù)算,將投入擴(kuò)充先進(jìn)制程產(chǎn)能,由于這次資本預(yù)算的金額,已占今年資本支出的一半以上,顯示臺(tái)積電今年資本支出,很有可能逼近百億美元上限。 臺(tái)積電表示,
臺(tái)積電第2季產(chǎn)能利用率沖上100%滿水位,但28納米、20納米等先進(jìn)制程需求有增無減,臺(tái)積電已加快建廠擴(kuò)產(chǎn)腳步,昨(14)日董事會(huì)核準(zhǔn)1,460億7,668萬元資本預(yù)算。隨著新產(chǎn)能逐步開出,今年底臺(tái)積電擁有的非存儲(chǔ)器產(chǎn)能
晶圓龍頭臺(tái)積電先進(jìn)制程產(chǎn)能擴(kuò)建速度一代比一代快,臺(tái)積電12寸營運(yùn)資深副總王建光昨(9)日表示,28納米主力廠房中科Fab15新一期(P3與P4)的產(chǎn)能已在本(5)月投產(chǎn),28納米年底月產(chǎn)能將上看10萬片,較去年底大增一倍
晶圓龍頭臺(tái)積電先進(jìn)制程產(chǎn)能擴(kuò)建速度一代比一代快,臺(tái)積電12寸營運(yùn)資深副總王建光昨(9)日表示,28納米主力廠房中科Fab15新一期(P3與P4)的產(chǎn)能已在本(5)月投產(chǎn),28納米年底月產(chǎn)能將上看10萬片,較去年底大增一倍
封測(cè)大廠日月光(2311)財(cái)務(wù)長董宏思(見附圖)表示,隨著通訊應(yīng)用晶片出貨量增溫、Fabless客戶需求成長,預(yù)期Q2封測(cè)與材料出貨可較Q1季增11-14%,同時(shí)因金價(jià)趨跌、臺(tái)幣走貶等因素「讓成本環(huán)境變友善了」,日月光Q2封測(cè)材
晶圓代工廠GlobalFoundries今年將投入44~45億美元資本支出,除了加速美國紐約州12寸廠Fab8導(dǎo)入量產(chǎn)時(shí)程,也計(jì)劃明年開始提供客戶14納米鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)制程,縮短與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電之間的制程技術(shù)差距。根據(jù)市
晶圓代工廠格羅方德(GlobalFoundries)今年將投入44~45億美元資本支出,除了加速美國紐約州12寸廠Fab8導(dǎo)入量產(chǎn)時(shí)程,也計(jì)劃明年開始提供客戶14納米鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)制程,縮短與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電之間的制程技術(shù)差
晶圓代工廠格羅方德(GlobalFoundries)今年將投入44~45億美元資本支出,除了加速美國紐約州12寸廠Fab8導(dǎo)入量產(chǎn)時(shí)程,也計(jì)劃明年開始提供客戶14納米鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)制程,縮短與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電之間的制程技術(shù)差
晶圓代工廠格羅方德(GlobalFoundries)今年將投入44~45億美元資本支出,除了加速美國紐約州12寸廠Fab8導(dǎo)入量產(chǎn)時(shí)程,也計(jì)劃明年開始提供客戶14納米鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)制程,縮短與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電之間的制程技術(shù)差
晶圓代工廠格羅方德(GlobalFoundries)今年將投入44~45億美元資本支出,除了加速美國紐約州12寸廠Fab8導(dǎo)入量產(chǎn)時(shí)程,也計(jì)劃明年開始提供客戶14納米鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)制程,縮短與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電之間的制程技