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今年28奈米營(yíng)收估翻3倍，BNP再升臺(tái)積目標(biāo)價(jià)
晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330)昨(3日)收盤價(jià)站上101元，沖上近12年來(lái)的最高價(jià)，而今(4日)股價(jià)雖出現(xiàn)回測(cè)，但外資對(duì)臺(tái)積今年展望仍持續(xù)看好。巴黎銀(BNP)出具最新報(bào)告指出，臺(tái)積電今年28奈米制程部分的營(yíng)收，可望提前在Q1
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今年28nm營(yíng)收估翻3倍 BNP再升臺(tái)積目標(biāo)價(jià)
晶圓代工龍頭臺(tái)積電3日收盤價(jià)站上101元，沖上近12年來(lái)的最高價(jià)，而4日股價(jià)雖出現(xiàn)回測(cè)，但外資對(duì)臺(tái)積今年展望仍持續(xù)看好。巴黎銀(BNP)出具最新報(bào)告指出，臺(tái)積電今年28nm制程部分的營(yíng)收，可望提前在Q1就超越40nm，成為
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今年28nm營(yíng)收估翻3倍 BNP再升臺(tái)積目標(biāo)價(jià)
晶圓代工龍頭臺(tái)積電3日收盤價(jià)站上101元，沖上近12年來(lái)的最高價(jià)，而4日股價(jià)雖出現(xiàn)回測(cè)，但外資對(duì)臺(tái)積今年展望仍持續(xù)看好。巴黎銀(BNP)出具最新報(bào)告指出，臺(tái)積電今年28nm制程部分的營(yíng)收，可望提前在Q1就超越40nm，成為
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臺(tái)積電2013年28nm營(yíng)收可望翻3倍
巴黎銀(BNP)出具最新報(bào)告指出，臺(tái)積電今年28nm制程部分的營(yíng)收，可望提前在Q1就超越40nm，成為支撐公司營(yíng)運(yùn)的主力，而這也不過(guò)是28nm開(kāi)始有營(yíng)收貢獻(xiàn)的第7個(gè)季度(相較于當(dāng)初40nm開(kāi)始量產(chǎn)后，對(duì)營(yíng)收的貢獻(xiàn)花了13季才超越
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今年28奈米營(yíng)收估翻3倍，BNP再升臺(tái)積目標(biāo)價(jià)
晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330)昨(3日)收盤價(jià)站上101元，沖上近12年來(lái)的最高價(jià)，而今(4日)股價(jià)雖出現(xiàn)回測(cè)，但外資對(duì)臺(tái)積今年展望仍持續(xù)看好。巴黎銀(BNP)出具最新報(bào)告指出，臺(tái)積電今年28奈米制程部分的營(yíng)收，可望提前在Q1
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今年28奈米營(yíng)收估翻3倍，BNP再升臺(tái)積目標(biāo)價(jià)
晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330)昨(3日)收盤價(jià)站上101元，沖上近12年來(lái)的最高價(jià)，而今(4日)股價(jià)雖出現(xiàn)回測(cè)，但外資對(duì)臺(tái)積今年展望仍持續(xù)看好。巴黎銀 (BNP)出具最新報(bào)告指出，臺(tái)積電今年28 奈米制程部分的營(yíng)收，可望提前在
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明年資本支出將再創(chuàng)高，外資調(diào)升臺(tái)積電目標(biāo)價(jià)
臺(tái)積電(2330)董事長(zhǎng)張忠謀于14日的供應(yīng)鏈論壇上，喊出明年資本支出將提高至90億美元，而外資也紛紛對(duì)臺(tái)積資本支出將再創(chuàng)高表態(tài)。巴克萊進(jìn)一步將臺(tái)積電目標(biāo)價(jià)由105元調(diào)高至114元，野村則是維持105元的目標(biāo)價(jià)以及買進(jìn)(
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GLOBALFOUNDRIES表示摩爾法則依然成立
美國(guó)GLOBALFOUNDRIES公司首席執(zhí)行官AjitManocha在“IEDM2012”第二天的午宴（Luncheon）上發(fā)表了題為“IstheFabless/FoundryModelDead?WeDon'tThinkSo.LongLiveFoundry2.0!”的演講。他指出今后代工企業(yè)與客戶企業(yè)的
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GLOBALFOUNDRIES表示摩爾法則依然成立
美國(guó)GLOBALFOUNDRIES公司首席執(zhí)行官Ajit Manocha在“IEDM 2012”第二天的午宴（Luncheon）上發(fā)表了題為“Is the Fabless/Foundry Model Dead? We Don't Think So. Long Live Foundry 2.0 !”的演講。他指出今后代工企
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Intel：14nm進(jìn)展順利 一兩年后量產(chǎn)
Intel CTO Justin Rattner近日對(duì)外披露說(shuō)，Intel 14nm工藝的研發(fā)正在按計(jì)劃順利進(jìn)行，會(huì)在一到兩年內(nèi)投入量產(chǎn)。 2013年底，Intel將完成P1272 14nm CPU、P1273 14nm SoC兩項(xiàng)新工藝的開(kāi)發(fā)，并為其投產(chǎn)擴(kuò)大對(duì)俄勒岡
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Intel：14nm進(jìn)展順利 一兩年后量產(chǎn)
Intel CTO Justin Rattner近日對(duì)外披露說(shuō)，Intel 14nm工藝的研發(fā)正在按計(jì)劃順利進(jìn)行，會(huì)在一到兩年內(nèi)投入量產(chǎn)。2013年底，Intel將完成P1272 14nm CPU、P1273 14nm SoC兩項(xiàng)新工藝的開(kāi)發(fā)，并為其投產(chǎn)擴(kuò)大對(duì)俄勒岡州Fab
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MEMS生產(chǎn)與COMS工藝融合趨勢(shì)剖析
標(biāo)準(zhǔn)化生產(chǎn)是趨勢(shì)8英寸線是主流目前MEMS的生產(chǎn)工藝確有與COMS工藝融合的趨勢(shì)，但不一定什么工藝都可以和COMS工藝融合在一起，一些大批量應(yīng)用的器件，工藝標(biāo)準(zhǔn)化是一個(gè)趨勢(shì)，也有此必要。在不斷優(yōu)化生產(chǎn)工藝，實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)
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Intel：14nm進(jìn)展順利 一兩年后量產(chǎn)
IntelCTOJustinRattner近日對(duì)外披露說(shuō)，Intel14nm工藝的研發(fā)正在按計(jì)劃順利進(jìn)行，會(huì)在一到兩年內(nèi)投入量產(chǎn)。2013年底，Intel將完成P127214nmCPU、P127314nmSoC兩項(xiàng)新工藝的開(kāi)發(fā)，并為其投產(chǎn)擴(kuò)大對(duì)俄勒岡州FabD1X、亞利
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英特爾14nm工藝開(kāi)封順利 預(yù)計(jì)一兩年后量產(chǎn)
近日，Intel CTO Justin Rattner對(duì)外表示，Intel 14nm工藝的開(kāi)發(fā)正按計(jì)劃順利進(jìn)行，預(yù)計(jì)在一到兩年內(nèi)投入量產(chǎn)。2013年底，Intel將完成P1272 14nm CPU、P1273 14nmSoC兩項(xiàng)新工藝的開(kāi)發(fā)，并為其投產(chǎn)擴(kuò)大對(duì)俄勒岡州Fab
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Intel 14nm工藝研發(fā)很順利 一兩年后量產(chǎn)
Intel CTO Justin Rattner近日對(duì)外披露說(shuō)，Intel 14nm工藝的研發(fā)正在按計(jì)劃順利進(jìn)行，會(huì)在一到兩年內(nèi)投入量產(chǎn)。2013年底，Intel將完成P1272 14nm CPU、P1273 14nm SoC兩項(xiàng)新工藝的開(kāi)發(fā)，并為其投產(chǎn)擴(kuò)大對(duì)俄勒岡州Fab
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Intel：14nm進(jìn)展順利 一兩年后量產(chǎn)
Intel CTO Justin Rattner近日對(duì)外披露說(shuō)，Intel 14nm工藝的研發(fā)正在按計(jì)劃順利進(jìn)行，會(huì)在一到兩年內(nèi)投入量產(chǎn)。 2013年底，Intel將完成P1272 14nm CPU、P1273 14nm SoC兩項(xiàng)新工藝的開(kāi)發(fā)，并為其投產(chǎn)擴(kuò)大對(duì)俄勒岡州F
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X-FAB與深迪合作，搶占MEMS陀螺儀市場(chǎng)前沿
如今，各類電子產(chǎn)品成為人們生活中不可或缺的部分，無(wú)論是手機(jī)、平板電腦、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)還是游戲手柄、遙控器、電玩，甚至是汽車和醫(yī)療器械領(lǐng)域，這些在人們生活中占據(jù)重要地位的產(chǎn)品，都離不開(kāi)MEMS陀螺儀?；蛟S
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臺(tái)積電Fab14晶圓廠6期工程開(kāi)建
臺(tái)灣半導(dǎo)體制造公司（TSMC）Fab14晶圓廠六期工程開(kāi)始建設(shè)，其中包括在臺(tái)灣南部科學(xué)工業(yè)園區(qū)（南科）建立一座12英寸晶圓工廠。臺(tái)積電COO表示，除了）Fab14晶圓廠六期工程之外，臺(tái)積電將在明年第一季度開(kāi)始）Fab14晶圓
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傳紐約設(shè)12寸廠 臺(tái)積不評(píng)論
半導(dǎo)體界傳出，臺(tái)積電（2330）本月聘請(qǐng)顧問(wèn)公司尋找面積320萬(wàn)平方英尺的生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)，外界推測(cè)臺(tái)積電有意在紐約設(shè)12寸廠，將是臺(tái)積電第一座海外12寸晶圓廠。臺(tái)積電發(fā)言系統(tǒng)昨（26）日不予評(píng)論。 臺(tái)積電在美國(guó)僅擁透過(guò)轉(zhuǎn)
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臺(tái)積砸5,000億 攻先進(jìn)制程
臺(tái)積電執(zhí)行副總暨共同營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)蔣尚義。記者周宗禎／攝影 臺(tái)積電旗下南科14廠（Fab 14）第6期昨（23）日動(dòng)土，未來(lái)5年要在南科投資5,000億元擴(kuò)產(chǎn)，臺(tái)積電內(nèi)部規(guī)劃，F(xiàn)ab 14第6期將以20納米以下先進(jìn)制程為主力，第7期
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