在2010年全球半導(dǎo)體業(yè)增長(zhǎng)32%之后,2011年及2012年連續(xù)兩年增長(zhǎng)在1%左右,因此業(yè)界部分人士根據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)周期性的規(guī)律,預(yù)測(cè)2013年會(huì)是又一個(gè)高增長(zhǎng)年。這一預(yù)測(cè)可信度有多高?2012不平靜 近期部分市場(chǎng)分析公司又下調(diào)
德國(guó)艾爾芙特 – X-FAB Silicon Foundries,日前宣布為了MEMS的營(yíng)運(yùn)將在未來(lái)的三年投資5000萬(wàn)美金以上在無(wú)塵室、新設(shè)備、研發(fā)與人員,這些投資也反映X-FAB意義深遠(yuǎn)地聚焦在MEMS以因應(yīng)預(yù)期中MEMS的成長(zhǎng)。新品牌&
一般來(lái)說(shuō),中國(guó)企業(yè)給人的印象,便是制造廉價(jià)產(chǎn)品,以及針對(duì)中國(guó)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)。然而,北京兆易創(chuàng)新科技(GigaDevice)總裁朱一明認(rèn)為,中國(guó)的無(wú)晶圓廠芯片應(yīng)該超越擁有13億人口的中國(guó),將目光放在全球共擁有60億人口的開(kāi)發(fā)
X-FAB Silicon Foundries近日宣布為了MEMS的營(yíng)運(yùn)將在未來(lái)的三年投資5000萬(wàn)美金以上在無(wú)塵室、新設(shè)備、研發(fā)與人員,這些投資也反映X-FAB意義深遠(yuǎn)地聚焦在MEMS以因應(yīng)預(yù)期中MEMS的成長(zhǎng)。新品牌”X-FAB MEMS Foundry”在
臺(tái)積電 (2330)于今(9日)公告9月合并營(yíng)收,在7、8月接連創(chuàng)下單月新高后,9月出現(xiàn)明顯回落,月減12.4%來(lái)到433.53億元、年增29.8%??傆?jì)臺(tái)積電第3季合并營(yíng)收在行動(dòng)通訊訂單暢旺,且部分客戶提前出貨帶動(dòng)下,季增10.4%達(dá)
在2010年全球半導(dǎo)體業(yè)增長(zhǎng)32%之后,2011年及2012年連續(xù)兩年增長(zhǎng)在1%左右,因此業(yè)界部分人士根據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)周期性的規(guī)律,預(yù)測(cè)2013年會(huì)是又一個(gè)高增長(zhǎng)年。這一預(yù)測(cè)可信度有多高?2012不平靜近期部分市場(chǎng)分析公司又下調(diào)
1990年代末,輕晶圓廠/資產(chǎn)減輕(Fab-lite/asset-lite)策略開(kāi)始成形,當(dāng)時(shí) ??美國(guó)幾家IDM大廠相繼推出相關(guān)策略,將運(yùn)用第三方代工廠的比例調(diào)高,以降低制造成本。1998年,摩托羅拉半導(dǎo)體產(chǎn)品部門(之后獨(dú)立為飛思卡爾[
1990年代末,輕晶圓廠/資產(chǎn)減輕(Fab-lite/asset-lite)策略開(kāi)始成形,當(dāng)時(shí)美國(guó)幾家 IDM 大廠相繼推出相關(guān)策略,將運(yùn)用第三方代工廠的比例調(diào)高,以降低制造成本。1998年,摩托羅拉半導(dǎo)體產(chǎn)品部門(之后獨(dú)立為飛思卡爾[F
拓墣今(2日)舉辦2013年IT產(chǎn)業(yè)大預(yù)測(cè)研討會(huì),拓墣半導(dǎo)體研究中心副理陳蘭蘭指出,明年會(huì)是三星「全面進(jìn)攻」的一年,主要是三星將記憶體產(chǎn)能大舉轉(zhuǎn)進(jìn)晶圓代工,臺(tái)積電(2330)將面臨強(qiáng)烈挑戰(zhàn)。她指出,今年臺(tái)積電的28奈米
全球半導(dǎo)體業(yè):明年是黃金年?特約撰稿莫大康在2010年全球半導(dǎo)體業(yè)增長(zhǎng)32%之后,2011年及2012年連續(xù)兩年增長(zhǎng)在1%左右,因此業(yè)界部分人士根據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)周期性的規(guī)律,預(yù)測(cè)2013年會(huì)是又一個(gè)高增長(zhǎng)年。這一預(yù)測(cè)可信度有
GLOBALFOUNDRIES(格羅方德)今(28日)召開(kāi)記者會(huì),說(shuō)明其于14 nm-XM制程技術(shù)的最新進(jìn)展。格羅方德全球行銷暨業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁Michael Noonen(見(jiàn)左圖)指出,格羅方德的14 nm-XM技術(shù)將在2013年底有第1個(gè)客戶的tape-out,
一般來(lái)說(shuō),中國(guó)企業(yè)給人的印象,便是制造廉價(jià)產(chǎn)品,以及針對(duì)中國(guó)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)。然而,北京兆易創(chuàng)新科技(GigaDevice)總裁朱一明認(rèn)為,中國(guó)的無(wú)晶圓廠晶片應(yīng)該超越擁有13億人口的中國(guó),將目光放在全球共擁有60億人口的開(kāi)發(fā)
X-FAB 進(jìn)入 3D 為三軸慣性傳感器啟動(dòng)代工服務(wù)并提供開(kāi)放性平臺(tái)的工藝X-FAB,這家已經(jīng)出貨超過(guò)十億MEMS器件的晶圓廠,日前又再次發(fā)表業(yè)界首個(gè)為微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)三軸慣性傳感器(3D inertial sensor)提供的開(kāi)放性平臺(tái),
X-FAB 進(jìn)入 3D 為三軸慣性傳感器啟動(dòng)代工服務(wù)并提供開(kāi)放性平臺(tái)的工藝 X-FAB,這家已經(jīng)出貨超過(guò)十億MEMS器件的晶圓廠,日前又再次發(fā)表業(yè)界首個(gè)為微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)三軸慣性傳感器(3D inertial sensor)提供的開(kāi)放性平臺(tái)
X-FAB 進(jìn)入 3D 為三軸慣性傳感器啟動(dòng)代工服務(wù)并提供開(kāi)放性平臺(tái)的工藝 X-FAB,這家已經(jīng)出貨超過(guò)十億MEMS器件的晶圓廠,日前又再次發(fā)表業(yè)界首個(gè)為微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)三軸慣性傳感器(3D inertial sensor)提供的開(kāi)放性平臺(tái)
大多數(shù)中國(guó)廠商還是以國(guó)內(nèi)市場(chǎng)為主,但也有越來(lái)越多的中國(guó)廠商開(kāi)始涉足全球市場(chǎng)。美國(guó)EE Times前主編吉田順子從另一個(gè)角度來(lái)看中國(guó)IC廠商的競(jìng)爭(zhēng)力,探討了他們?cè)诿绹?guó)市場(chǎng)的機(jī)會(huì)。從蘋果說(shuō)開(kāi)去自2007年推出iPhone以后
大多數(shù)中國(guó)廠商還是以國(guó)內(nèi)市場(chǎng)為主,但也有越來(lái)越多的中國(guó)廠商開(kāi)始涉足全球市場(chǎng)。美國(guó)EE Times前主編吉田順子從另一個(gè)角度來(lái)看中國(guó)IC廠商的競(jìng)爭(zhēng)力,探討了他們?cè)诿绹?guó)市場(chǎng)的機(jī)會(huì)。從蘋果說(shuō)開(kāi)去自2007年推出iPhone以后
據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,英特爾已經(jīng)宣布CPU和SoC的生產(chǎn)工藝將在2013年底升級(jí)到14納米制程,并從2015年開(kāi)始10納米及更低制程的工藝研發(fā)。英特爾高級(jí)副總裁Mark Bohr在舊金山召開(kāi)的英特爾開(kāi)發(fā)者論壇大會(huì)(IDF)上展示了一張關(guān)
英特爾公司在最近召開(kāi)的英特爾信息技術(shù)峰會(huì)(IDF)上表示,他們將在2013年年底之前進(jìn)入14nm時(shí)代。目前,英特爾的22nm工藝技術(shù)已經(jīng)相當(dāng)成熟,它大量用于Haswell處理器的生產(chǎn)線上。據(jù)悉,在公司內(nèi)部代號(hào)分別為P1272以及P
英特爾公司在最近召開(kāi)的英特爾信息技術(shù)峰會(huì)(IDF)上表示,他們將在2013年年底之前進(jìn)入14nm時(shí)代。目前,英特爾的22nm工藝技術(shù)已經(jīng)相當(dāng)成熟,它大量用于Haswell處理器的生產(chǎn)線上。據(jù)悉,在公司內(nèi)部代號(hào)分別為P1272以及P