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28奈米缺產(chǎn)能聯(lián)電擴(kuò)廠吃下
臺(tái)積電（2330）28奈米產(chǎn)能不足，部分客戶已開始轉(zhuǎn)單聯(lián)電（2303）、格羅方德（GlobalFoundries）、三星等其它晶圓代工廠，其中聯(lián)電受惠最大，手中已拿下80個(gè)28奈米晶片設(shè)計(jì)案，并已有15個(gè)晶片完成設(shè)計(jì)定案（tape-out）
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聯(lián)電南科12寸廠第五、六期24日動(dòng)土，擴(kuò)展高階制程
聯(lián)電(2303)將于本月24日舉辦南科廠區(qū)的12寸晶圓廠（Fab12A）之第五、六期動(dòng)土典禮，持續(xù)擴(kuò)充高階制程產(chǎn)能。聯(lián)電的12寸晶圓廠之一Fab12A位于臺(tái)南科學(xué)園區(qū)，自2002年起開始量產(chǎn)，目前單月晶圓產(chǎn)能超過(guò)50000片。聯(lián)電28納
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Intel已開始研發(fā)7nm及5nm工藝
IntelCEOPaulOtellini近日對(duì)投資者透露，半導(dǎo)體巨頭已經(jīng)開始了7nm、5nm工藝的研發(fā)工作，這也是Intel第一次官方披露后10nm時(shí)代的遠(yuǎn)景規(guī)劃。他說(shuō)：“我們的研究和開發(fā)是相當(dāng)深遠(yuǎn)的，我是說(shuō)(未來(lái))十年?！卑凑章肪€圖，2
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Intel已開始研發(fā)7nm、5nm制程
Intel CEO Paul Otellini近日對(duì)投資者透露，半導(dǎo)體巨頭已經(jīng)開始了7nm、5nm工藝的研發(fā)工作，這也是Intel第一次官方披露后10nm時(shí)代的遠(yuǎn)景規(guī)劃。他說(shuō)：“我們的研究和開發(fā)是相當(dāng)深遠(yuǎn)的，我是說(shuō)(未來(lái))十年?！卑凑章肪€圖
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聯(lián)電南科12寸廠第五、六期24日動(dòng)土，擴(kuò)展高階制程
聯(lián)電(2303)將于本月24日舉辦南科廠區(qū)的12寸晶圓廠（Fab12A）之第五、六期動(dòng)土典禮，持續(xù)擴(kuò)充高階制程產(chǎn)能。 聯(lián)電的12寸晶圓廠之一Fab 12A位于臺(tái)南科學(xué)園區(qū)，自2002年起開始量產(chǎn)，目前單月晶圓產(chǎn)能超過(guò)50000片。聯(lián)電
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3D工藝：模式之爭(zhēng) 讓數(shù)據(jù)來(lái)說(shuō)話
3D已經(jīng)成為半導(dǎo)體微細(xì)加工技術(shù)到達(dá)物理極限之后的必然趨勢(shì)，目前正處于3D工藝的探索期。在這一過(guò)程中，以及今后在實(shí)現(xiàn)3D工藝的發(fā)展趨勢(shì)中，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展模式到底如何演義，會(huì)不會(huì)成為Fabless+Foundry這種發(fā)展模式的
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歐巴馬人氣加持，全球晶圓：Fab 8今年底量產(chǎn)
美國(guó)總統(tǒng)歐巴馬(BarackObama)8日參觀紐約州立大學(xué)Albany分校奈米科學(xué)與工程學(xué)院(CNSE)，由全球晶圓(GLOBALFOUNDRIES；簡(jiǎn)稱GF)負(fù)責(zé)接待。GF在紐約州共有1,500名員工，包括分派至IBMEastFishkill、CNSE的研究人員。GF紐
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歐巴馬人氣加持，全球晶圓：Fab 8今年底量產(chǎn)
美國(guó)總統(tǒng)歐巴馬(Barack Obama)8日參觀紐約州立大學(xué)Albany分校奈米科學(xué)與工程學(xué)院(CNSE)，由全球晶圓(GLOBALFOUNDRIES；簡(jiǎn)稱GF)負(fù)責(zé)接待。GF在紐約州共有1,500名員工，包括分派至IBM East Fishkill、CNSE的研究人員。
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歐巴馬人氣加持，全球晶圓：Fab 8今年底量產(chǎn)
美國(guó)總統(tǒng)歐巴馬(Barack Obama)8日參觀紐約州立大學(xué)Albany分校奈米科學(xué)與工程學(xué)院(CNSE)，由全球晶圓 (GLOBALFOUNDRIES；簡(jiǎn)稱GF )負(fù)責(zé)接待。GF在紐約州共有1,500名員工，包括分派至IBM East Fishkill、CNSE的研究人員
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18寸晶圓14奈米研發(fā)人員 進(jìn)駐臺(tái)大竹北分部校區(qū)
臺(tái)大土木系「高科技廠房設(shè)施研究中心」研發(fā)人員將于5月中旬進(jìn)駐竹北分部校區(qū)臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及相關(guān)產(chǎn)業(yè)，預(yù)期將在3至5年內(nèi)進(jìn)入18寸(450mm)晶圓之量產(chǎn)及14奈米之制程。這種具前瞻性的大幅發(fā)展，不但將提升臺(tái)灣在國(guó)際間
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分析稱芯片工廠建設(shè)成本高企 美國(guó)或失去優(yōu)勢(shì)
5月2日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾投資50億美元在亞利桑那州建設(shè)的Fab 42芯片制造工廠，將是有史以來(lái)最先進(jìn)的芯片制造工廠。在它生產(chǎn)的芯片中，一個(gè)針頭大的地方就能容納逾1億個(gè)晶體管。Fab 42是英特爾的一大賭注：
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18寸晶圓14奈米研發(fā)人員 進(jìn)駐臺(tái)大竹北分部校區(qū)
臺(tái)大土木系「高科技廠房設(shè)施研究中心」研發(fā)人員將于5月中旬進(jìn)駐竹北分部校區(qū)臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及相關(guān)產(chǎn)業(yè)，預(yù)期將在3至5年內(nèi)進(jìn)入18寸(450mm)晶圓之量產(chǎn)及14奈米之制程。這種具前瞻性的大幅發(fā)展，不但將提升臺(tái)灣在國(guó)際間
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18寸晶圓14奈米研發(fā)人員 進(jìn)駐臺(tái)大竹北分部校區(qū)
臺(tái)大土木系「高科技廠房設(shè)施研究中心」研發(fā)人員將于5月中旬進(jìn)駐竹北分部校區(qū)臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及相關(guān)產(chǎn)業(yè)，預(yù)期將在3至5年內(nèi)進(jìn)入18寸(450mm)晶圓之量產(chǎn)及14奈米之制程。這種具前瞻性的大幅發(fā)展，不但將提升臺(tái)灣在國(guó)際間
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GLOBALFOUNDRIES在美國(guó)紐約的“Fab 8”采用支持20nm工藝的TSV技術(shù)
【日經(jīng)BP社報(bào)道】美國(guó)GLOBALFOUNDRIES公司于2012年4月26日（美國(guó)時(shí)間）宣布，可在20nm工藝半導(dǎo)體晶圓上形成TSV（through-silicon via，硅通孔）的生產(chǎn)設(shè)備，已開始在該公司位于美國(guó)紐約州薩拉托加郡（Saratoga）的生
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分析稱芯片工廠建設(shè)成本高企 美國(guó)或失去優(yōu)勢(shì)
北京時(shí)間5月2日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾投資50億美元在亞利桑那州建設(shè)的Fab 42芯片制造工廠，將是有史以來(lái)最先進(jìn)的芯片制造工廠。在它生產(chǎn)的芯片中，一個(gè)針頭大的地方就能容納逾1億個(gè)晶體管。Fab 42是英特爾的一
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GLOBALFOUNDRIES Fab 8添置工具以實(shí)現(xiàn)20nm及更尖端工藝的3D芯片堆疊
GLOBALFOUNDRIES日前宣布，在為新一代移動(dòng)和消費(fèi)電子應(yīng)用實(shí)現(xiàn)3D芯片堆疊的道路上，公司達(dá)到了一個(gè)重要的里程碑。在其位于美國(guó)紐約薩拉托加郡的Fab 8，GLOBALFOUNDRIES已開始安裝一套可在尖端20納米技術(shù)平臺(tái)上的半導(dǎo)體
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IC觀察:意法·愛(ài)立信是進(jìn)還是退?
IC觀察意法·愛(ài)立信是進(jìn)還是退? 稿件來(lái)源：郭毅然郭毅然 4月23日，意法·愛(ài)立信在日內(nèi)瓦宣布了三點(diǎn)新的戰(zhàn)略方向及合作伙伴關(guān)系，乍看起來(lái)有些積極要向前走的意思，但進(jìn)一步分析，再結(jié)合意法·愛(ài)立信近年來(lái)
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3D芯片堆疊漸流行！GLOBALFOUNDRIES Fab 8添置工具以實(shí)現(xiàn)20納米及3D芯片堆疊
GLOBALFOUNDRIES今天宣布，在為新一代移動(dòng)和消費(fèi)電子應(yīng)用實(shí)現(xiàn)3D芯片堆疊的道路上，公司達(dá)到了一個(gè)重要的里程碑。在其位于美國(guó)紐約薩拉托加郡的Fab 8，GLOBALFOUNDRIES已開始安裝一套可在尖端20納米技術(shù)平臺(tái)上的半導(dǎo)體
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GLOBALFOUNDRIES將啟用3D芯片堆疊技術(shù)
公司今天宣布，在以3D芯片堆疊為基礎(chǔ)的下一代移動(dòng)和消費(fèi)應(yīng)用芯片制造道路上達(dá)成重要的里程碑。表示，旗下位于紐約州薩拉托加縣的Fab 8晶圓廠，已開始安裝一套特殊的生產(chǎn)工具于公司領(lǐng)先的20nm技術(shù)平臺(tái)，在半導(dǎo)體晶圓處
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GLOBALFOUNDRIES將啟用3D芯片堆疊技術(shù)
【IT168 資訊】GLOBALFOUNDRIES公司今天宣布，在以3D芯片堆疊為基礎(chǔ)的下一代移動(dòng)和消費(fèi)應(yīng)用芯片制造道路上達(dá)成重要的里程碑。 GLOBALFOUNDRIES表示，旗下位于紐約州薩拉托加縣的Fab 8晶圓廠，已開始安裝一套特殊
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