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太陽能發(fā)電將不再依賴補貼
2012年9月10日高科技產(chǎn)業(yè)整合解決方案供應(yīng)商Manz宣布其在CIGS薄膜太陽能領(lǐng)域取得巨大的技術(shù)進展。通過整合CIGS薄膜太陽能模塊生產(chǎn)線，Manz CIGSfab創(chuàng)造了薄膜技術(shù)的新世界紀(jì)錄：大規(guī)模生產(chǎn)的太陽能電池板其實際量
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太陽能發(fā)電將不再依賴補貼
2012年9月10日高科技產(chǎn)業(yè)整合解決方案供應(yīng)商Manz宣布其在CIGS薄膜太陽能領(lǐng)域取得巨大的技術(shù)進展。通過整合CIGS薄膜太陽能模塊生產(chǎn)線，Manz CIGSfab創(chuàng)造了薄膜技術(shù)的新世界紀(jì)錄：大規(guī)模生產(chǎn)的太陽能電池板其實際量
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《SEMICON》全球首座18吋Fab 今年12月就緒
SEMICON 2012今(7日)舉辦450mm(18吋) 晶圓供應(yīng)鏈論壇，由臺積電 (2330)處長林進祥說明目前全球450mm(18吋晶圓)聯(lián)盟針對18吋晶圓的推展?fàn)顩r。他指出，全球450mm聯(lián)盟希望在2015-2016年間建立18吋晶圓的IC試產(chǎn)線。而若依
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加快Fab-lite腳步富士通半導(dǎo)體出脫封測廠
日本半導(dǎo)體整合元件制造商(IDM)正積極轉(zhuǎn)型。繼瑞薩電子(Renesas Electronics)大舉調(diào)整制造策略后，富士通半導(dǎo)體(Fujitsu Semiconductor)也宣布，將其全資子公司FIM(Fujitsu Integrated Microtechnology)旗下的宮城廠
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臺積電稱28nm芯片良品率超80% 產(chǎn)能可滿足需求
臺積電可謂是全球芯片代工行業(yè)的老大級人物，不過每次制造工藝的提升都會帶來一次良品率不足或是產(chǎn)能不足的情況。當(dāng)年堪稱大雷45nm制造工藝將AMD/NVIDIA急的團團轉(zhuǎn)。在進入28nm時代之后，其產(chǎn)能不足更是飽受詬病。臺
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臺積電稱28nm芯片良品率超80% 產(chǎn)能可滿足需求
臺積電可謂是全球芯片代工行業(yè)的老大級人物，不過每次制造工藝的提升都會帶來一次良品率不足或是產(chǎn)能不足的情況。當(dāng)年堪稱大雷45nm制造工藝將AMD/NVIDIA急的團團轉(zhuǎn)。在進入28nm時代之后，其產(chǎn)能不足更是飽受詬病。臺
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臺積電稱28nm芯片良品率超80% 產(chǎn)能可滿足需求
臺積電可謂是全球芯片代工行業(yè)的老大級人物，不過每次制造工藝的提升都會帶來一次良品率不足或是產(chǎn)能不足的情況。當(dāng)年堪稱大雷45nm制造工藝將AMD/NVIDIA急的團團轉(zhuǎn)。在進入28nm時代之后，其產(chǎn)能不足更是飽受詬病。臺
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臺積電稱28nm芯片良品率超80% 產(chǎn)能可滿足需求
臺積電可謂是全球芯片代工行業(yè)的老大級人物，不過每次制造工藝的提升都會帶來一次良品率不足或是產(chǎn)能不足的情況。當(dāng)年堪稱大雷45nm制造工藝將AMD/NVIDIA急的團團轉(zhuǎn)。在進入28nm時代之后，其產(chǎn)能不足更是飽受詬病。臺
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臺積電稱28nm芯片良品率超80% 產(chǎn)能可滿足需求
臺積電可謂是全球芯片代工行業(yè)的老大級人物，不過每次制造工藝的提升都會帶來一次良品率不足或是產(chǎn)能不足的情況。當(dāng)年堪稱大雷45nm制造工藝將AMD/NVIDIA急的團團轉(zhuǎn)。在進入28nm時代之后，其產(chǎn)能不足更是飽受詬病。
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聯(lián)電解散UMC Japan，Q3/Q4將認列業(yè)外虧損
聯(lián)電 (2303)今(21日)董事會通過，為整合制造資源并降低營運成本，決議結(jié)束日本晶圓制造業(yè)務(wù)，解散并清算直接持有100%股份之子公司UMC Japan。聯(lián)電表示，因解散清算所認列資產(chǎn)減損的業(yè)外損失，多會于今年第3、第4季認
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臺積28納米產(chǎn)能 季增3倍
晶圓代工龍頭臺積電力拚28納米擴產(chǎn)，隨著良率拉升到8成以上，及中科12寸廠Fab15新產(chǎn)能大量開出，本季已安裝產(chǎn)能（installedcapacity）較上季大增3倍，為第4季營運淡季不淡埋下伏筆。臺積電上半年投入超過36億美元資本
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臺積28納米產(chǎn)能 季增3倍
晶圓代工龍頭臺積電力拚28納米擴產(chǎn)，隨著良率拉升到8成以上，及中科12寸廠Fab15新產(chǎn)能大量開出，本季已安裝產(chǎn)能（installed capacity）較上季大增3倍，為第4季營運淡季不淡埋下伏筆。 臺積電上半年投入超過36億美
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臺積砸830億 強攻20納米
晶圓代工龍頭臺積電昨（14）日董事會核準(zhǔn)約830億元資本預(yù)算用以建置、擴充先進制程廠房。除了28納米產(chǎn)能持續(xù)擴充，這次的投資預(yù)算更是因應(yīng)20納米提早量產(chǎn)而卡位，顯示大廠先進制程投資未受景氣回檔而停歇。 臺積電的
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臺積砸830億 強攻20納米
晶圓代工龍頭臺積電昨（14）日董事會核準(zhǔn)約830億元資本預(yù)算用以建置、擴充先進制程廠房。除了28納米產(chǎn)能持續(xù)擴充，這次的投資預(yù)算更是因應(yīng)20納米提早量產(chǎn)而卡位，顯示大廠先進制程投資未受景氣回檔而停歇。 臺積電
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臺積砸830億 強攻20納米
臺積砸830億 強攻20納米
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聯(lián)電FAB 12A第3、4期廠房獲美LEED綠建筑認證
聯(lián)電于30日宣布，其位于臺南科學(xué)園區(qū)Fab12A廠第3、4期新建廠房已通過美國綠建筑協(xié)會(USGreenBuildingCouncil,USGBC)綠建筑評估系統(tǒng)審查，獲得「前瞻能源與環(huán)境設(shè)計–新建工程類」(LeadershipinEnergyandEnvironmenta
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聯(lián)華南科三、四期廠房獲美國LEED綠色建筑黃金級認證
聯(lián)華電子日前宣布，其位于臺南科學(xué)園區(qū)Fab 12A廠第三、四期新建廠房已通過美國綠色建筑協(xié)會(U.S. Green Building Council, USGBC)綠色建筑評估系統(tǒng)審查，獲得“前瞻能源與環(huán)境設(shè)計 – 新建工程類” (Leadership in E
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聯(lián)華電子日前宣布，其位于臺南科學(xué)園區(qū)Fab 12A廠第三、四期新建廠房已通過美國綠色建筑協(xié)會(U.S. Green Building Council, USGBC)綠色建筑評估系統(tǒng)審查，獲得“前瞻能源與環(huán)境設(shè)計 – 新建工程類” (Leadership in E
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聯(lián)電FAB 12A第3、4期廠房獲美LEED綠建筑認證
聯(lián)電于30日宣布，其位于臺南科學(xué)園區(qū)Fab 12A廠第3、4期新建廠房已通過美國綠建筑協(xié)會(US Green Building Council, USGBC) 綠建筑評估系統(tǒng)審查，獲得“前瞻能源與環(huán)境設(shè)計–新建工程類”(Leadership in Energy and En
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聯(lián)電Fab 12A新建廠房獲美國綠建筑協(xié)會黃金認證
晶圓代工大廠聯(lián)電 (UMC)日前宣布，其位于臺南科學(xué)園區(qū)Fab 12A廠第三、四期新建廠房已通過美國綠建筑協(xié)會(US Green Building Council, USGBC)綠建筑評估系統(tǒng)審查，獲得「前瞻能源與環(huán)境設(shè)計──新建工程類」 (Leaders
