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英特爾開始部署14nm產線
英特爾(Intel)日前公布了將部署14nm及以下制程的晶圓廠投資計劃。據表示，總投資金額將超過十億美元。英特爾(Intel)CEOPaulOtellini稍早前說明了英特爾的晶圓廠部署14nm及未來更先進制程的藍圖及相關投資規(guī)劃。這些晶
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英特爾開始部署14nm產線
英特爾(Intel)日前公布了將部署14nm及以下制程的晶圓廠投資計劃。據表示，總投資金額將超過十億美元。 英特爾(Intel) CEO Paul Otellini稍早前說明了英特爾的晶圓廠部署14nm及未來更先進制程的藍圖及相關投資規(guī)劃。
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聯(lián)華電子12英寸紀元 大幅提升28nm產能
聯(lián)華電子24日舉行南科十二寸晶圓廠Fab12A第五、第六期廠房動土典禮。此次擴建將開啟聯(lián)華電子12寸制造新紀元，不僅大幅提升28nm產能，也為20nm及以下制程奠定穩(wěn)固基石，除滿足客戶對先進制程的需求外，更將推動聯(lián)華電
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半導體廠20奈米和新廠投資
全球半導體大廠陸續(xù)轉進20奈米制程世代，晶圓代工業(yè)者受惠28奈米制程訂單熱絡大塞車，主要是行動通訊和行動運算需求崛起之賜，臺積電2011年28奈米制程有36個Tape-out，到2012年28奈米Tape-out已達132個，對于28奈米供
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英特爾開始部署14nm產線
英特爾開始部署14nm產線
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《半導體》看好景氣，聯(lián)電抗跌走揚
聯(lián)電（2303）積極在南科擴產，由于看好長期晶圓代工產業(yè)景氣，加上擴產氣勢如虹，昨日聯(lián)電股價一路維持在平盤之上，呈現(xiàn)抗跌走勢，終場聯(lián)電以12.5元收市，惟外資、投信仍持續(xù)出脫持股，呈現(xiàn)賣超動作。 聯(lián)電24日舉行
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聯(lián)華電子12英寸紀元 大幅提升28nm產能
聯(lián)華電子24日舉行南科十二寸晶圓廠Fab12A第五、第六期廠房動土典禮。此次擴建將開啟聯(lián)華電子12寸制造新紀元，不僅大幅提升28nm產能，也為20nm及以下制程奠定穩(wěn)固基石，除滿足客戶對先進制程的需求外，更將推動聯(lián)華電
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聯(lián)華電子12英寸紀元 大幅提升28nm產能
聯(lián)華電子24日舉行南科十二寸晶圓廠Fab12A第五、第六期廠房動土典禮。此次擴建將開啟聯(lián)華電子12寸制造新紀元，不僅大幅提升28nm產能，也為20nm及以下制程奠定穩(wěn)固基石，除滿足客戶對先進制程的需求外，更將推動聯(lián)華電
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聯(lián)華電子開啟12英寸紀元 為20nm及以下制程奠定基石
聯(lián)華電子24日舉行南科十二寸晶圓廠Fab12A第五、第六期廠房動土典禮。此次擴建將開啟聯(lián)華電子12寸制造新紀元，不僅大幅提升28nm產能，也為20nm及以下制程奠定穩(wěn)固基石，除滿足客戶對先進制程的需求外，更將推動聯(lián)華電
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聯(lián)華電子12英寸紀元 大幅提升28nm產能
聯(lián)華電子24日舉行南科十二寸晶圓廠Fab12A第五、第六期廠房動土典禮。此次擴建將開啟聯(lián)華電子12寸制造新紀元，不僅大幅提升28nm產能，也為20nm及以下制程奠定穩(wěn)固基石，除滿足客戶對先進制程的需求外，更將推動聯(lián)華電
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聯(lián)華電子12英寸紀元 大幅提升28nm產能
聯(lián)華電子24日舉行南科十二寸晶圓廠Fab12A第五、第六期廠房動土典禮。此次擴建將開啟聯(lián)華電子12寸制造新紀元，不僅大幅提升28nm產能，也為20nm及以下制程奠定穩(wěn)固基石，除滿足客戶對先進制程的需求外，更將推動聯(lián)華電
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聯(lián)電砸2,400億 南科大擴廠
聯(lián)電昨（24）日宣布斥資80億美元（約新臺幣2,368億元）擴充南科Fab 12A第5、6期廠房，全力發(fā)展28納米以下先進制程，加計臺積電先前在南科也啟動擴產計畫，晶圓雙雄今年投資總額近6,000億元，打造南科成為全球晶圓代工
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聯(lián)電砸80億美元南科擴廠，攻28納米以下制程
聯(lián)電(2303)南科擴廠，今早舉辦動土典禮；聯(lián)電Fab 12A第5、6期廠房預計新增投資80億美元，專攻28納米以下制程，月產能估新增12寸晶圓5萬片。 繼臺積電南科14廠第5期于上個月動土、預計將導入20納米產能；聯(lián)電(2303)F
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聯(lián)電Fab12A 5-6期動土月產能提升至13萬片創(chuàng)造2600個工作機會
聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)今天Fab12A舉行5-6期動土典禮，聯(lián)電表示，將創(chuàng)造逾2600個工作機會，最大規(guī)劃月產能將由8萬片提升至13萬片。聯(lián)電董事長洪嘉聰表示，樂觀看待市場發(fā)展，將持續(xù)適時投資，F(xiàn)ab12A 1-4期已投入達80億
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聯(lián)電南科第5、6期動土預計再投入80億美元
繼晶圓代工龍頭臺積電 (2330) 南科 14廠第5期于上月動土、投入20 奈米產能布建后，聯(lián)電 (2303) Fab 12A第5、6期廠房的動土典禮，也于今(24日)在南科舉行。聯(lián)電董事長洪嘉聰指出，F(xiàn)ab 12A第5、6期廠房將再投入80億美元
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聯(lián)電南科廠5、6期投資80億美元 產能將達5萬片
聯(lián)電(2303) Fab 12A第5、6期廠房動土典禮，于今(24日)在南科舉行。負責聯(lián)電12吋晶圓廠營運的資深副總顏博文指出，F(xiàn)ab 12A今日動土的的第5、6期廠房，投資金額約為80億美元，主要是為因應客戶強在先進製程的強勁需求，
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多核處理器成為動力系統(tǒng)新一代的產品設計標準
雙核CPU在汽車電子系統(tǒng)中取得了快速的應用，而系統(tǒng)軟硬件、電能消耗及散熱等也需要隨之作出相應的改變。今天汽車上采用的大多數微控制器基本都采用傳統(tǒng)的單核結構，不過已經在計算機行業(yè)取得廣泛應用的雙核處理器也將
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三星顯示器在中國的LCD FAB工廠16日開工
三星顯示器16日在中國江蘇省蘇州工業(yè)園區(qū)舉行了8.5G FAB棟開工典禮。蘇州三星LCD(SSL)為了在中國電視市場進行有效的應對，將原有的7.5G投資變更至8.5G，此次FAB工廠正式開工。SSL是三星電子與蘇州工業(yè)園區(qū)、TCL去年4
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臺積電訂單外溢聯(lián)電急擴28奈米產能
隨超乎預期的市場需求，臺積電(2330-TW)(TSM-US)28奈訂單外溢使聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)、格羅方德（GlobalFoundries）、三星等其它晶圓代工廠受惠。其中聯(lián)電因應客戶需求，沖刺28奈米產能并為明年20奈米作準備，24日將
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臺積電訂單外溢聯(lián)電急擴28奈米產能
隨超乎預期的市場需求，臺積電(2330-TW)(TSM-US)28奈訂單外溢使聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)、格羅方德（GlobalFoundries）、三星等其它晶圓代工廠受惠。其中聯(lián)電因應客戶需求，沖刺28奈米產能并為明年20奈米作準備，24日將
