FET

雙十一送貨慢？這些機(jī)器人應(yīng)該排上用場(chǎng)

在雙十一這堪稱春運(yùn)的節(jié)日里，即使增加成倍的快遞員也無法承擔(dān)運(yùn)送如此量度的包裹，所以往往這個(gè)這個(gè)時(shí)候，我們收到快遞的時(shí)間比平時(shí)晚，甚至是晚上幾倍。

基于4CCM的場(chǎng)效應(yīng)晶體管源極輸出電路圖

場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(108～109Ω

基于4CCM的場(chǎng)效應(yīng)晶體管源極輸出電路圖

場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(108～109Ω

宜普電源轉(zhuǎn)換公司擴(kuò)大面向無線電源充電應(yīng)用的超小型及低成本eGaN FET產(chǎn)品系列

EPC2037增強(qiáng)型氮化鎵功率晶體管(100 V、1 A、550 mΩ)由一個(gè)數(shù)字驅(qū)動(dòng)器直接驅(qū)動(dòng)，于采用D類及E類放大器拓?fù)涞臒o線充電應(yīng)用中可以實(shí)現(xiàn)高頻開關(guān)及特別優(yōu)越的性能。

美經(jīng)濟(jì)學(xué)家安格斯·迪頓獲2015諾貝爾經(jīng)濟(jì)學(xué)獎(jiǎng)

當(dāng)?shù)貢r(shí)間12日下午1時(shí)，諾貝爾獎(jiǎng)評(píng)選委員會(huì)在瑞典斯德哥爾摩的瑞典皇家科學(xué)院揭曉了2015年諾貝爾經(jīng)濟(jì)學(xué)獎(jiǎng)得主。美國經(jīng)濟(jì)學(xué)家安格斯·迪頓(Angus Deaton)榮獲該獎(jiǎng)項(xiàng)，表彰其在消費(fèi)、貧窮與福利方面的研究貢獻(xiàn)。至

美國半導(dǎo)體研究聯(lián)盟推動(dòng)后硅晶技術(shù)基準(zhǔn)比較

導(dǎo)讀：美國半導(dǎo)體研究聯(lián)盟(SRC)旗下?lián)碛?ldquo;納米電子研究創(chuàng)新聯(lián)盟”(Nanoelectronics Research Initiative;NRI)以及“半導(dǎo)體先進(jìn)技術(shù)研發(fā)網(wǎng)絡(luò)”(Semiconductor Technology Advanced Research Ne

基于電流非隔離降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)使用的eGaN FETs

設(shè)計(jì)和建造隔離，降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器在可實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)的5伏輸出使用硅MOSFET但具有有限的性能寬輸入電壓范圍和高輸出電流，特別是在低負(fù)荷和高輸入電壓。更重要的是，硅成熟，從寬

單片機(jī)設(shè)計(jì)注意要點(diǎn)

首先介紹一下這樣做的優(yōu)點(diǎn)：采用低的晶振和總線頻率使得我們可以選擇較小的單片機(jī)滿足時(shí)序的要求，這樣單片機(jī)的工作電流可以變得更低，最重要的是VDD到VSS的電流峰值會(huì)更小。

生物傳感器的電氣特性測(cè)量工具和技術(shù)

隨著生物/醫(yī)藥、半導(dǎo)體、電子和納米科學(xué)領(lǐng)域的諸多技術(shù)進(jìn)步，生物電子技術(shù)有可能改變個(gè)人健康、加強(qiáng)安全系統(tǒng)、有利于保護(hù)環(huán)境、食物和水、改進(jìn)生活方式。通過半導(dǎo)體和納米技術(shù)，非侵入式物理生物傳感器、芯片實(shí)驗(yàn)室

高速FET輸入儀表放大器電路圖

　　下圖所示電路是一款高速FET輸入、增益為5的儀表放大器，具有35 MHz寬帶寬和10 MHz時(shí)55 dB的出色交流共模抑制(CMR)性能。該電路適用于需要高輸入阻抗、快速儀表放大器的

IR推出IRFHE4250D FastIRFET 6×6 PQFN頂部外露電源模塊器件

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRFHE4250D FastIRFET雙功率MOSFET，藉以擴(kuò)充電源模塊組件系列。新款25V器件在25A的電流下能夠比其它頂級(jí)的傳統(tǒng)電

可變?cè)鲆娴墓β史糯笃鲉纹⒉呻娐?/a>

采用MOS FET的寬帶放大電路

采用MOS FET的寬帶放大電路

基于GaAs工藝的可變?cè)鲆婀β史糯笃鞯膽?yīng)用設(shè)計(jì)

本文根據(jù)電壓控制增益電路理論及放大器設(shè)計(jì)原理，設(shè)計(jì)制作了一種基于GaAs工藝的可變?cè)鲆婀β史糯笃鲉纹⒉呻娐罚?MMIC）。

IR攜手兩家半導(dǎo)體公司，簽署DirectFET封裝技術(shù)授權(quán)

【導(dǎo)讀】IR攜手兩家半導(dǎo)體公司，簽署DirectFET封裝技術(shù)授權(quán) 國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)近日與兩家總部分別位于不同地區(qū)的半導(dǎo)體供應(yīng)商達(dá)成協(xié)議，授權(quán)他們使用IR的DirectFET封裝技術(shù)。

IR授權(quán)兩家公司使用DirectFET封裝技術(shù)

【導(dǎo)讀】IR授權(quán)兩家公司使用DirectFET封裝技術(shù) 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日與兩家總部分別位于不同地區(qū)的半導(dǎo)體供應(yīng)商達(dá)成協(xié)議，授權(quán)他們使用 IR 的 DirectFET 封裝技術(shù)。

友達(dá)光電宣布收購Field Emission Technologies公司之FED資產(chǎn)及技術(shù)

【導(dǎo)讀】友達(dá)光電今（20日）宣布，與由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司（以下簡稱FET）及FET Japan Inc.（以下簡稱FETJ）簽署資產(chǎn)收購技術(shù)移轉(zhuǎn)協(xié)議，收購FET的場(chǎng)發(fā)射顯示器(field emiss

分析師稱渾水做空展訊大肆宣傳未違規(guī)

【導(dǎo)讀】持有頭寸并以近乎直播的方式廣為宣傳，這種做法值得商榷。從本質(zhì)上，它倒不是一個(gè)內(nèi)幕交易的問題，而是交易行為與言論自由問題相遭遇。昨天展訊通信成了大家議論的焦點(diǎn)，是的，又一個(gè)中國會(huì)計(jì)問題。 摘要

IR擴(kuò)充StrongIRFET系列

國際整流器(IR)擴(kuò)充StrongIRFET系列，為高效能運(yùn)算及通訊等應(yīng)用推出20～30伏特(V)元件；其中的IRL6283M 20伏特DirectFET為該系列重點(diǎn)元件，備有極低導(dǎo)通電阻(RDS(on))。IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示，StrongIRFET系

IR推出20V至30V的全新 StrongIRFET系列 提供極低導(dǎo)通電阻

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴(kuò)充StrongIRFET系列，為高性能運(yùn)算和通信等應(yīng)用提供20V至30V的器件。IR L6283M 20V DirectFET是該系列的重點(diǎn)器件，具有極低