FET

為什么超低阻抗SiC FET受歡迎？

與包括SiC MOSFET、硅MOSFET和GaN HEMT在內(nèi)的其他可用功率晶體管相比，常開型SiC JFET的單位芯片面積具有更低的導(dǎo)通阻抗。如圖1a所示，當(dāng)?shù)蛪篗OSFET堆疊在JFET上時(shí)，為了實(shí)現(xiàn)圖1b的共源共柵架構(gòu)，就形成了低阻抗常關(guān)斷型開關(guān)

UnitedSiC發(fā)布首批RDS(on)低于10mΩ的碳化硅FET，具有更高效率和更低損耗

?2019年12月9日，美國新澤西州普林斯頓--新型功率半導(dǎo)體企業(yè)美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布將推出四種新型SiC FET，其RDS(ON)值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，適用于電動(dòng)汽車(EV)逆變器、高功率DC/DC轉(zhuǎn)換器、大電流電池充電器和固態(tài)斷路器等高功率應(yīng)用。

氮化鎵功率器件解析

隨著社會(huì)的不斷進(jìn)步，技術(shù)的不斷發(fā)展，科技產(chǎn)品也日新月異，產(chǎn)品都需要功率器件，好的功率器件需要更好的設(shè)計(jì)者來設(shè)計(jì)，功率器件對(duì)電子產(chǎn)品是功不可沒的。分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商N(yùn)experia，推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場效應(yīng)管(GaN)市場。

對(duì)更高功率密度的需求推動(dòng)電動(dòng)工具創(chuàng)新解決方案

德州儀器（英語：Texas Instruments，簡稱：TI），是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體跨國公司，以開發(fā)、制造、銷售半導(dǎo)體和計(jì)算機(jī)技術(shù)聞名于世，主要從事創(chuàng)新型數(shù)字信號(hào)處理與模擬電路方面的研究、制造和銷售。除半導(dǎo)體業(yè)務(wù)外，還提供包括傳感與控制、教育產(chǎn)品和數(shù)字光源處理解決方案。

新日本無線推出J-FET輸入運(yùn)算放大器NJM2749/274...

為集成型 FET 歡呼！

對(duì)于電源設(shè)計(jì)人員來說，PCB 布局是最重要的工作之一。每位從事電源工作的工程師都犯過導(dǎo)致電源無法正常工作的相關(guān) PCB 錯(cuò)誤。此外，如果讓對(duì)電源一無所知的人嘗試執(zhí)行電路板

FET是電壓控制器件

我們?nèi)绾卧O(shè)計(jì)一部以無線方式供電的電視機(jī)

作者：宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）Michael A. de Rooij博士及張遠(yuǎn)哲博士面向不同種類的家電，eGaN FET技術(shù)在推動(dòng)無線充電市場的發(fā)展扮演著重要的角色 這里展示出由無線充電推動(dòng)

如何使低功耗放大器在便攜式產(chǎn)品中提高性能

作者：John Ardizzoni，美國ADI公司 自我年青時(shí)代使用7個(gè)晶體管的對(duì)講機(jī)和AM收音機(jī)以來，我們已走過了很長的路。單一功能的設(shè)備已不能滿足要求，現(xiàn)在便攜式電子產(chǎn)品已兼

德州儀器1.5A 線性電池充電器可最大化AC 適配器與USB 輸入功率

日前，德州儀器 (TI) 宣布針對(duì)智能電話及其它便攜式電子產(chǎn)品應(yīng)用推出四款具備集成型 FET 的 28V、1.5A 線性充電管理 IC － bq2407x系列。bq2407x 系列鋰離子電池充電器即便

正確的同步降壓FET時(shí)序設(shè)計(jì)

由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時(shí)序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關(guān)期間，存在兩個(gè)過渡階段：低壓側(cè)開關(guān)開啟和高壓側(cè)開關(guān)開啟。低壓側(cè)開啟開關(guān)至關(guān)重要，

電源設(shè)計(jì)小貼士46：正確地同步降壓FET時(shí)序

由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時(shí)序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關(guān)期間，存在兩個(gè)過渡階段：低壓側(cè)開關(guān)開啟和高壓側(cè)開關(guān)開啟。低壓側(cè)開啟開關(guān)至關(guān)重要，

如何針對(duì)反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓而進(jìn)行緩沖

本文來研究如何對(duì)反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖。 圖1顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級(jí)和一次側(cè)MOSFET電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲(chǔ)于一個(gè)變壓器主繞組電感中并在MOSFET關(guān)閉時(shí)

設(shè)計(jì)一款超低噪聲的S頻段放大器

工程師們一般都把RF低噪聲放大器設(shè)計(jì)視為畏途。要在穩(wěn)定高增益情況下獲得低噪聲系數(shù)可能極具挑戰(zhàn)性，甚至使人畏懼。不過，采用最新的GaAs(砷化鎵)異質(zhì)結(jié)FET，可以設(shè)計(jì)出有高

eGaN FET與硅功率器件比拼之六：隔離型PoE-PSE轉(zhuǎn)換器

隔離型磚式轉(zhuǎn)換器被廣泛應(yīng)用于電信系統(tǒng)，為網(wǎng)絡(luò)設(shè)備供電，這些轉(zhuǎn)換器可以提供各種標(biāo)準(zhǔn)尺寸及輸入/輸出電壓范圍。它們的模塊性、功率密度、可靠性和多功能性簡化了隔離式電源

獨(dú)特的柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用支持高功率放大器快速開啟/關(guān)閉

本文提出了一種獨(dú)特但簡單的柵極脈沖驅(qū)動(dòng)電路，為快速開關(guān) HPA 提供了另一種方法，同時(shí)消除了與漏極開關(guān)有關(guān)的電路。實(shí)測切換時(shí)間小于 200 ns，相對(duì)于 1 μs 的目標(biāo)還有一些裕量。其他特性包括：解決器件間差異的偏置編程能力，保護(hù) HPA 免受柵極電壓增加影響的柵極箝位，以及用于優(yōu)化脈沖上升時(shí)間的過沖補(bǔ)償。

EPC eGaN®技術(shù)在性能及成本上實(shí)現(xiàn)質(zhì)的飛躍

全球增強(qiáng)型氮化鎵晶體管領(lǐng)袖廠商、致力于開發(fā)創(chuàng)新的硅基功率場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)及集成電路的宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出全新的EPC2045(7 mΩ、100 V)及EPC2047(10 mΩ、200 V)晶體管，在提升產(chǎn)品性能之同時(shí)也可以降低成本。而EPC2046(25 mΩ、200 V)比等效MOSFET小型化12倍!

TI推出業(yè)界首款 100 V 高壓側(cè) FET 驅(qū)動(dòng)器 可驅(qū)動(dòng)高電壓電池

具備前所未有的靈活性和電源保護(hù)適用于先進(jìn)的工業(yè)電池應(yīng)用21ic電源網(wǎng)訊 近日，德州儀器(TI)推出了首款面向高功率鋰離子電池應(yīng)用的單芯片100V高壓側(cè) FET 驅(qū)動(dòng)器。該驅(qū)動(dòng)器可

EPC推出面向擴(kuò)增實(shí)景和全自動(dòng)駕駛汽車應(yīng)用的eGaN FET

宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出EPC2040功率晶體管，它是一種超小型、具備快速開關(guān)性能的氮化鎵功率晶體管，面向高速終端應(yīng)用，可實(shí)現(xiàn)優(yōu)越的分辨率、更快速的響應(yīng)時(shí)間及更高準(zhǔn)確度。此外，由于在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)，器件具有高準(zhǔn)確度門限，因此當(dāng)鐳射受熱，可確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性。例如該晶體管在LiDAR技術(shù)所采用的脈沖式鐳射驅(qū)動(dòng)器是理想的器件。LiDAR技術(shù)是全自動(dòng)駕駛汽車的導(dǎo)航系統(tǒng)及擴(kuò)增實(shí)景平臺(tái)的重要技術(shù)。EPC2040的優(yōu)越性能在這些系統(tǒng)中可以實(shí)現(xiàn)更高準(zhǔn)確度及分辨率。

GaN FET與硅FET的比較

功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時(shí)間執(zhí)行數(shù)個(gè)供貨商所使用的成本縮減策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板，以及更低成本的塑料封裝。對(duì)于電源設(shè)計(jì)人員來說，理解