Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的一種,其內(nèi)部采用非線(xiàn)性宏單元模式,為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大,改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn),適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等
固態(tài)硬盤(pán)(Solid State Drives),簡(jiǎn)稱(chēng)固盤(pán),固態(tài)硬盤(pán)(Solid State Drive)用固態(tài)電子存儲(chǔ)芯片陣列而制成的硬盤(pán),由控制單元和存儲(chǔ)單元(FLASH芯片、DRAM芯片)組成。固態(tài)硬盤(pán)在接口的規(guī)范和定義、功能及使用方法上與普通硬盤(pán)的完全相同,在產(chǎn)品外形和尺寸上也完全與普通硬盤(pán)一致。被廣泛應(yīng)用于軍事、車(chē)載、工控、視頻監(jiān)控、網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控、網(wǎng)絡(luò)終端、電力、醫(yī)療、航空、導(dǎo)航設(shè)備等領(lǐng)域。
SK海力士(SK Hynix)入主東芝(Toshiba)半導(dǎo)體事業(yè)部的競(jìng)爭(zhēng)即將進(jìn)入白熱化,但規(guī)模上看26兆韓元(約228億美元)的鉅額投資計(jì)劃,是否能為SK海力士帶來(lái)1加1大于2的事業(yè)綜效,外界出現(xiàn)不同評(píng)價(jià)。
NAND Flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的一種,其內(nèi)部采用非線(xiàn)性宏單元模式,為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND Flash存儲(chǔ)器具有容量較大,改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn),適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
3D 架構(gòu)的 NAND 型快閃內(nèi)存(Flash Memory)競(jìng)爭(zhēng)越來(lái)越激烈,東芝(Toshiba)于去年 7 月宣布領(lǐng)先全球同業(yè)開(kāi)始提供堆疊 64 層的 256Gb(32GB)3D Flash 的樣品出貨,之后三星于去年 8 月宣布,堆疊 64 層的 3D Flash 產(chǎn)品將在 2016 年 Q4(10-12月)開(kāi)賣(mài)。而現(xiàn)在又換東芝出手,宣布容量提高 1 倍的 64 層 512Gb(64GB)3D Flash 已進(jìn)行送樣,且將在今年下半年量產(chǎn)。
存儲(chǔ)器是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。存儲(chǔ)器的主要功能是存儲(chǔ)程序和各種數(shù)據(jù),并能在計(jì)算機(jī)運(yùn)行過(guò)程中高速、自動(dòng)的完成程序或數(shù)據(jù)的存取。存儲(chǔ)器是具有記憶功能的設(shè)備,它采用具有兩種穩(wěn)定狀態(tài)的物理器件來(lái)存儲(chǔ)信息。
近年來(lái),企業(yè)加速整合并購(gòu),有一些企業(yè)也自我斷臂修整,以讓關(guān)鍵業(yè)務(wù)盈利能力更強(qiáng),由于經(jīng)濟(jì)效益不明顯,美光計(jì)劃出售Nor Flash業(yè)務(wù),全力發(fā)展 DRAM 及 NAND FLASH 。 根據(jù)
存儲(chǔ)器產(chǎn)品主要包括DRAM內(nèi)存和FLASH閃存。從歷史發(fā)展經(jīng)驗(yàn)來(lái)看,存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)是一個(gè)周期波動(dòng)的產(chǎn)業(yè),同時(shí)也是一個(gè)高度壟斷和高風(fēng)險(xiǎn)的產(chǎn)業(yè)。2016年12月底總投資240億美元的長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)家存儲(chǔ)器基地正式開(kāi)工建設(shè),同時(shí)福建晉華和合肥長(zhǎng)芯等存儲(chǔ)器項(xiàng)目也正在積極籌備和建設(shè)當(dāng)中。
受益于智能手機(jī)搭載的NAND Flash存儲(chǔ)容量持續(xù)提升,以及PC、服務(wù)器、資料中心積極導(dǎo)入固態(tài)硬盤(pán)(SSD),NAND Flash需求正快速成長(zhǎng),各家存儲(chǔ)器廠(chǎng)亦由2D NAND Flash加速轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND Flash。中國(guó)已吹響進(jìn)軍3D NAND Flash沖鋒號(hào),若能整合好跨領(lǐng)域人才和技術(shù),中國(guó)3D NAND Flash有望彎道超車(chē)。
Holtek推出BC68F0031 RF透?jìng)鲗?zhuān)用Flash MCU,作為RF IC與主控系統(tǒng)芯片間橋接應(yīng)用,讓通信格式自定義化,使復(fù)雜系統(tǒng)能快速增添RF通信功能。
最近幾年存儲(chǔ)器市場(chǎng)大熱,儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)、DARM在淡季爆出“大冷門(mén)”,飆出歷年最大漲幅后,編碼型快閃存儲(chǔ)也緊隨其后,在蟄伏4年后,首次漲價(jià),首季調(diào)漲5~7%不等,下季漲幅更大,估計(jì)會(huì)超過(guò)10%。
單片機(jī)運(yùn)行時(shí)的數(shù)據(jù)都存在于RAM(隨機(jī)存儲(chǔ)器)中,在掉電后RAM 中的數(shù)據(jù)是無(wú)法保留的,那么怎樣使數(shù)據(jù)在掉電后不丟失呢?這就需要使用EEPROM 或FLASHROM 等存儲(chǔ)器來(lái)實(shí)現(xiàn)。
近日SK海力士為滿(mǎn)足NAND Flash市場(chǎng)增加的需求,宣布將在忠清北道清州市新建一個(gè)存儲(chǔ)器晶圓廠(chǎng)。新工廠(chǎng)將坐落在清州科技園。SK海力士下個(gè)月開(kāi)始設(shè)計(jì)外部的建設(shè),2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備,總投資達(dá)2.2兆韓元(18.4億美金)。
在這個(gè)信息時(shí)代,海量的文字、音樂(lè)、視頻內(nèi)容如潮水般涌來(lái),令人沉迷在信息海洋中流連忘返。這背后,是不斷推陳出新的技術(shù)。就拿上網(wǎng)來(lái)說(shuō),從最初簡(jiǎn)單的圖文混編,到帶上了音樂(lè)視頻的立體視聽(tīng),再到現(xiàn)在的4K超高清交互,網(wǎng)頁(yè)有無(wú)數(shù)新技術(shù)上位,也有很多經(jīng)典的老技術(shù)正在遠(yuǎn)去。
目前大家都已經(jīng)習(xí)慣和接受了“iPhone 不支持 Flash”這個(gè)事實(shí)。但作為 Flash 技術(shù)的持有者,Adobe 稱(chēng)蘋(píng)果此舉是“反競(jìng)爭(zhēng)”,而后者回應(yīng)稱(chēng)“Flas
什么是閃存?了解閃存最好的方式就是從它的“出生”它的“組成”均研究的透徹底底的。閃存的存儲(chǔ)單元為三端器件,與場(chǎng)效應(yīng)管有相同的名稱(chēng):源極、漏極和
Holtek推出專(zhuān)門(mén)應(yīng)用于多彩RGB LED產(chǎn)品的USB Flash MCU - HT66FB576,除適用于一般計(jì)算機(jī)外設(shè)與消費(fèi)性產(chǎn)品外,其最大的特點(diǎn)是以?xún)?nèi)建定電流源配合48個(gè)PWM輸出.
Holtek推出全新的A/D型Full Speed USB Flash MCU–HT66FB570為Holtek 8-bit Flash USB MCU新成員.
Holtek繼HT66F4360/HT66F4370之后再度推出HT66F4390 Smart Card Reader Flash MCU.
數(shù)字信號(hào)處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時(shí)鐘性能超過(guò)100MHZ)和高速先進(jìn)外圍設(shè)備,通過(guò)CMOS處理技術(shù),DSP芯片的功耗越來(lái)越低。這些巨大的進(jìn)步增加了DSP電路板設(shè)計(jì)的復(fù)雜性