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HOLTEK新推出HT66F0172、HT66F0174 Enhanced A/D Flash MCU系列
21ic訊 Holtek新推出Enhanced A/D Flash Type MCU系列，此系列有兩顆MCU分別為HT66F0172及HT66F0174，符合工業(yè)上-40℃ ~ 85℃工作溫度與高抗噪聲之性能要求，并具有2Kx16 Flash程序內存，SRAM為128 Bytes、I/O 18個
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基于TMSF240芯片的內部FLASH自測試方法
飛控計算機CPU模塊的處理器通常選用PowerPC或X86系列，CPU模塊設計有專門的FLASH芯片，為保證飛控程序存放的正確無誤，F(xiàn)LASH測試必不可少。而智能接口模塊的處理器通常選用TMSF240、TMSF2812等，采用片內FLASH存放自
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HOLTEK推出HT85F2280/70/60 8051 A/D Flash Type MCU系列
21ic訊 Holtek推出全新的8051 A/D Flash Type MCU的HT85F2280、HT85F2270、HT85F2260系列，全系列寬工作電壓范圍2.2V~5.5V，符合工業(yè)等級-40℃ ~ 85℃工作溫度與高抗噪聲之性能要求，是一系列混合信號高性能MCU，使
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擴張嵌入式版圖 飛索啟動購并/多代工廠策略
飛索(Spansion)于2013年上半年接連展開與武漢XMC和聯(lián)電分別達成32奈米(nm)和40奈米的晶圓代工合作協(xié)議，以及收購富士通半導體(Fujitsu Semiconductor)微控制器(MCU)部門布
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武漢“新芯”能成為亮點
沉默了一段時間之后的武漢“新芯“，近期又開始顯聲。它的變化主要有兩個方面，更英文名為XMC，以及宣布與中芯國際之間已不再是姊妹公司關系。 觀看EE Times采訪它的市場營銷經理Walter Lange談話之后，發(fā)現(xiàn)該公司
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武漢“新芯”能成為亮點
沉默了一段時間之后的武漢“新芯“，近期又開始顯聲。它的變化主要有兩個方面，更英文名為XMC，以及宣布與中芯國際之間已不再是姊妹公司關系。觀看EE Times采訪它的市場營銷經理Walter Lange談話之后，發(fā)現(xiàn)
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北美半導體設備制造商B/B值連續(xù)5個月逾1
5月北美半導體設備制造商訂單出貨(B/B)值為1.08，與4月持平，已連續(xù)5個月維持在1以上水準。 國際半導體設備材料產業(yè)協(xié)會(SEMI)指出，北美半導體設備廠商5月的3個月平均訂單金額為13.2億美元，較4月11.7億美元增加12.
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封測廠動能穩(wěn)健 日月光5月封測營收創(chuàng)新高 力成營收也同升
IC封測日月光(2311-TW)今(7)日公布 5 月營收，封測營收為124.1億元，較 4 月增加6.3%，較去年同期成長12.2%，創(chuàng)下封測營收歷史新高，合并營收則達174.4億元，較 4 月成長4.3%，較去年同期成長11.5%；另一家封測廠力成
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HOLTEK推出BS84xxxA-3系列新一代Flash觸控單片機
21ic訊 Holtek推出新一代內建8通道的12-bit ADC的Flash觸控MCU BS84xxxA-3系列，此系列共有2顆，BS84B08A-3與BS84C12A-3分別支持8個及12個觸控按鍵，可應用于溫度或其它電壓訊號量測等應用，如溫控電茶壺、電陶爐、
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HOLTEK推出BS83xxxA系列新一代Flash觸控單片機
21ic訊 Holtek推出新一代Flash觸控MCU BS83xxxA，除了保有上一代的優(yōu)點之外還比上一代觸控MCU更省電，觸控偵測的更新率更高，并且抗干擾的能力更好。在產品開發(fā)階段還提供了OCDS EV及新的Touch Key開發(fā)平臺，使用簡
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常用Nor Flash操作
SST39VF160芯片介紹SST39VF160是一個1M×16的CMOS多功能FlashMPF器件，由SST特有的高性能SuperFlash技術制造而成(SuperFlash技術的分裂閘split-gate單元結構和厚氧化物
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100萬次擦寫！三星首創(chuàng)45nm嵌入式閃存
三星電子近日宣布，正在開發(fā)全球首款采用45nm工藝的嵌入式閃存eFlash，并且已經成功在智能卡測試芯片上部署了新工藝，為量產和商用打下了堅實基礎。三星宣稱，基于其45nm e
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199元，800臺工程版PPBox今日被速搶
PPTV攜手華數(shù)傳媒合作推出了機頂盒產品PPBox，299元售價在業(yè)界引起了不小的轟動。今日零點800臺工程版PPBox的網絡預售正式首發(fā)了，工程版的售價為199元，但僅過了3分鐘的時間，800臺PPBox就被速搶一空。
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全球首創(chuàng)45nm嵌入式閃存 100萬次擦寫！
三星電子近日宣布，正在開發(fā)全球首款采用45nm工藝的嵌入式閃存eFlash，并且已經成功在智能卡測試芯片上部署了新工藝，為量產和商用打下了堅實基礎。三星宣稱，基于其45nm eFlash的智能卡電路具備極高的可靠性、耐久性
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盛群低功耗LCD Flash MCU 滿足溫度與高抗雜訊要求
盛群推全新系列的TinyPower液晶(LCD)快閃記憶體(Flash)微控制器(MCU)，全系列包含HT69F30A、HT69F40A及HT69F50A三個微控制器，符合工業(yè)上-40°C～85°C工作溫度與高抗雜訊之性能要求，且提供48～80接腳的不同封
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三星淡出microSD，NAND Flash供應鏈再洗牌
近期內存業(yè)界傳出三星電子(Samsung Electronics)將策略性淡出小型內存卡microSD生產行列，未來僅針對少數(shù)幾家客戶以供應Wafer方式，讓客戶自行生產并封裝 microSD成卡，至于三星既有資源將全數(shù)投注于eMMC、eMCP、固態(tài)
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MSP430---FLASH 讀寫
MSP430 FLASH型單片機的FLASH存儲器模塊根據不同的容量分為若干段，其中信息存儲器SegmengA及SegmentB各有128字節(jié)，其他段有512字節(jié)。SegmentB的地址是：0x01000h到0x107F，SegmentA的地址是：0x01080h到0x010FFh。其
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Holtek全新TinyPowerTM LCD Flash MCU適合各應用領域
Holtek推出全新系列的TinyPowerTM LCD Flash MCU，全系列包含HT69F30A、HT69F40A及HT69F50A三個MCU，符合工業(yè)上-40℃ ~ 85℃工作溫度與高抗噪聲之性能要求，且提供48 ~ 80-pin的不同封裝型式，搭配TinyPowerTM Flash
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因應產業(yè)變化 宇瞻以前瞻思考再創(chuàng)新局
今年智慧型手機、平板等行動裝置快速成長、DRAM及NAND Flash價格也不斷走高，整體景氣看旺，對于數(shù)位儲存市場來說，將會有很大的發(fā)展空間。然而也正因為智慧手機和平板裝置成為未來主流、亦隨著云端熱潮崛起，產業(yè)典
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英飛凌與格羅方德共同開發(fā)40nm嵌入式Flash制程
英飛凌科技與格羅方德公司 (Globalfoundries Inc.) 今日宣佈共同開發(fā)并合作生產 40 奈米 (nm) 嵌入式快閃記憶體 (eFlash) 製程技術。這項合作案將著重于以英飛凌 eFlash 晶片設計為基礎的技術開發(fā)，以及採用 40nm 製
