對于攻城獅而言,MOS管算不上陌生,遇到電源設計或者驅動方面的電路,難免會用到它,當然,MOS管也有很多種類和作用。其實MOS管是一個ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電,又因在靜電較強的場合難于泄放電荷,容易引起...
寫在前面MOS管是常用的電子元器件,由于導通內(nèi)阻小,在電源、電力電子、電機控制等行業(yè)應用廣泛。既然常用,那么遇到失效的概率就非常大。好在MOS管的失效就那幾種情況,今天和大家分享一下MOS管的幾種失效模式。失效模式一:雪崩如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓,而且...
今天,我們在了解5V單片機驅動mos管電路之前,先了解一下單片機驅動mos管電路圖及原理。單片機驅動mos管電路主要根據(jù)MOS管要驅動什么東西,要只是一個繼電器之類的小負載的話直接用51的引腳驅動就可以,要注意電感類負載要加保護二極管和吸收緩沖,最好用N溝道的MOS。如果驅動的東...
大家可能并不陌生MOS管,由于MOS管不具備防靜電、防浪涌,ESD靜電和浪涌無處不在,存在于任何的電子產(chǎn)品中,令人防不勝防。然而MOS管卻又是一個ESD靜電極具敏感器件,它本身的輸入電阻很高。而柵-源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電;又因在靜電較強的場合難...
今天的文章內(nèi)容很簡單,也很簡短,但卻很實用。以NMOS舉例,只用萬用表二極管檔測量MOS管的好壞。NMOS的D極和S極之間有一個寄生二極管,方向為S到D,利用二極管單向導電性以及MOS管導通時寄生二極管截止的特性,可以快速測量MOS好壞。1、測量之前將MOS的3個極短接,可以用一...
MOS管因為其導通內(nèi)阻低,開關速度快,因此被廣泛應用在開關電源上。而用好一個MOS管,其驅動電路的設計就很關鍵。下面分享幾種常用的驅動電路。一、電源IC直接驅動電源IC直接驅動是最簡單的驅動方式,應該注意幾個參數(shù)以及這些參數(shù)的影響。①查看電源IC手冊的最大驅動峰值電流,因為不同芯...
▼點擊下方名片,關注公眾號▼?MOS管即場效應管(MOSFET),屬于壓控型,是一種應用非常廣泛的功率型開關元件,在開關電源、逆變器、直流電機驅動器等設備中很常見,是電力電子的核心元件。?MOS管有N溝道和P溝道之分,N溝道相當于NPN的三極管;P溝道相當于PNP的三極管。實際設...
MOS管規(guī)格書中有三個寄生電容參數(shù),分別是:輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳輸電容Crss。該三個電容參數(shù)具體到管子的本體中,分別代表什么?是如何形成的?功率半導體的核心是PN結,從二極管、三極管到場效應管,都是根據(jù)PN結特性所做的各種應用。場效應管分為結型、絕緣柵型,...
怎么做到MOS管的快速開啟和關閉呢?
曾經(jīng)的我,還是一個單純的小攻城獅……
在科學技術高度發(fā)達的今天,各種各樣的高科技出現(xiàn)在我們的生活中,為我們的生活帶來便利,那么你知道這些高科技可能會含有的隔離電源與非隔離電源嗎?
功率MOS在使用過程中是否能夠安全持續(xù)的工作,是設計者必須要考慮的問題,設計者在應用MOS時,必須考慮MOS的SOA區(qū)間,我們知道開關電源中的MOS長期工作在高電流高電壓下,很容易出現(xiàn)過熱燒毀的情況,如果散熱不及時的話,很容易發(fā)生爆炸。
對于電源工程師來說,很多時候都在看波形,比如看輸入波形、MOS開關波形、電流波形、輸出二極管波形、芯片波形、MOS管的GS波形……
隨著社會的快速發(fā)展,我們的MOS管開關電路也在快速發(fā)展,那么你知道MOS管開關電路的詳細資料解析嗎?接下來讓小編帶領大家來詳細地了解有關的知識。MOS管開關電路是利用MOS管柵極(g)控制MOS管源極(s)和漏極(d)通斷的原理構造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道,所以開關電路也主要分為兩種。
人類社會的進步離不開社會上各行各業(yè)的努力,各種各樣的電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代離不開我們的設計者的努力,其實很多人并不會去了解電子產(chǎn)品的組成,比如MOS管。MOS管由多數(shù)載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高(10^7~10^12Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域寬等優(yōu)點,現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
為什么有些電路用MOS管,而有些電路用IGBT管?
本文詳細介紹了電阻、電容、電感、二極管、三極管、mos管知識點。
如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓,而且達到擊穿電壓V(BR)DSS (根據(jù)擊穿電流其值不同),并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。
在絕緣柵型場效應管中,目前常用二氧化硅作金屬鋁柵極和半導體之間的絕緣層,稱為金屬一氧化物-半導體場效應晶體管,簡稱為MOSFET或者MOS管。
H橋是一個典型的直流電機控制電路,因為它的電路形狀酷似字母H,故得名與“H橋”。