電源工程師最怕什么?炸機!用著用著就壞了,莫名其妙MOS管就炸了,真是又怕又恨,可到底是哪里出問題了呢?這一切都和SOA相關(guān)。
電源工程師最怕什么?炸機!用著用著就壞了,莫名其妙MOS管就炸了,真是又怕又恨,可到底是哪里出問題了呢?這一切都和SOA相關(guān)。
模擬運算放大器從誕生至今,已有40多年的歷史了。最早的工藝是采用硅NPN工藝,后來改進為硅NPN-PNP工藝(后面稱為標(biāo)準(zhǔn)硅工藝)。在結(jié)型場效應(yīng)管技術(shù)成熟后,又進一步的加入了結(jié)型場效應(yīng)管工藝。當(dāng)MOS管技術(shù)成熟后,特別是CMOS技術(shù)成熟后,模擬運算放大器有了質(zhì)的飛躍,一方面解決了低功耗的問題,另一方面通過混合模擬與數(shù)字電路技術(shù),解決了直流小信號直接處理的難題。
MOS管一個ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓(想想U=Q/
一般可以使用在電源的正極串入一個二極管解決,不過,由于二極管有壓降,會給電路造成不必要的損耗,尤其是電池供電場合,本來電池電壓就3.7V,你就用二極管降了0.6V,使得
使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候,大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,但并不是優(yōu)秀的,作為正式的產(chǎn)品設(shè)計也是不允許的。
絕對要收藏的小功率 MOS管 選型手冊。KD2300 N-Channel SOT23-3 封裝、電壓20V、內(nèi)阻28mΩ、電流6A、可兼容、代用、代換、替換市面上各類型的2300;Si2300,APM2300,
在開關(guān)電源變壓器的工作過程中,工程師不僅需要綜合考慮其設(shè)計構(gòu)造的合理性問題,還需要嚴(yán)格把控其溫升范圍,以免出現(xiàn)溫升過高導(dǎo)致工作效率下降的問題。而在實際應(yīng)用過程中
發(fā)光二極管就是俗稱的LED,由于較容易入門且普及率高,很多新手在進行入門學(xué)習(xí)時經(jīng)常會選擇發(fā)光二極管來入手。本文將對發(fā)光二極管與MOS之間的特定關(guān)系進行分析,從而幫助大
高溫對功率密度高的電源模塊的可靠性影響極其大。高溫會導(dǎo)致電解電容的壽命降低,變壓器漆包線的絕緣特性降低,晶體管損壞,材料熱老化,焊點脫落等現(xiàn)象。有統(tǒng)計資料表明,
如果將電源的極性接反,可能會損壞電源或者燒掉電路板。下圖是一個實用的防反接電路。當(dāng)電源正向接入,且輸入電壓范圍為+9V~+28V時,MOS管的柵極電壓,為2/3Vin即6V~18.7
摘要:一摸電源模塊的表面,熱乎乎的,模塊壞了?!且慢,有一點發(fā)熱,僅僅只是因為它正努力地工作著。但高溫對電源模塊的可靠性影響極其大!我們須致力于做好熱設(shè)計,減小電源
如果將電源的極性接反,可能會損壞電源或者燒掉電路板。下圖是一個實用的防反接電路。 當(dāng)電源正向接入,且輸入電壓范圍為+9V~+28V時,MOS管的柵極電壓,為2/3Vin即6V~18
如果將電源的極性接反,可能會損壞電源或者燒掉電路板。下圖是一個實用的防反接電路。 當(dāng)電源正向接入,且輸入電壓范圍為+9V~+28V時,MOS管的柵極電壓,為2/3Vin即6V~18
簡介: 今天一個剛剛?cè)胄械呐笥颜业轿艺f,他的老板給了他一個MOS管讓他測管子的fmax,幫他測完之后,他還問到怎么才能加大這個fmax~~想到自己也曾千辛萬苦的琢磨這個參數(shù),就
【電路】 MOS-N 場效應(yīng)管 雙向電平轉(zhuǎn)換電路 -- 適用于低頻信號電平轉(zhuǎn)換的簡單應(yīng)用 (原文件名:MOS-N 場效應(yīng)管 雙向電平轉(zhuǎn)換電路.jpg) 如上圖所示,是 MOS-N 場效應(yīng)管 雙向電平轉(zhuǎn)換電路。 雙向傳輸原理:
1、芯片發(fā)熱 本次內(nèi)容主要針對內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上面,芯片的功耗為0.6W,當(dāng)然會引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動芯
摘要:分析了測量角度和角速度傳感器的選擇,通過Atmega16單片機多路信號AD采集陀螺儀和加速度計的信號,經(jīng)過Kalman濾波算法計算動態(tài)的角度和角速度,通過LCD1602顯示角速度和角度的值、轉(zhuǎn)向值。利用PID控制算法控制
我們常接觸到晶體三級管,對它的使用也比較熟悉,相對來說對晶體場效應(yīng)管就陌生一點,但是,由于場效應(yīng)管有其獨特的優(yōu)點,例輸入阻抗高,噪聲低,熱穩(wěn)定性好等,在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場效應(yīng)晶體管的
在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候,大部分人都會考慮MOS管的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,但并不是優(yōu)秀的,作為正式的產(chǎn)品設(shè)計也是不允