-
模擬運(yùn)放分類以及特點(diǎn)
模擬運(yùn)算放大器從誕生至今，已有40多年的歷史了。最早的工藝是采用硅NPN工藝，后來改進(jìn)為硅NPN-PNP工藝(后面稱為標(biāo)準(zhǔn)硅工藝)。在結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管技術(shù)成熟后，又進(jìn)一步的加入了結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管工藝。當(dāng)MOS管技術(shù)成熟后，特別是CMOS技術(shù)成熟后，模擬運(yùn)算放大器有了質(zhì)的飛躍，一方面解決了低功耗的問題，另一方面通過混合模擬與數(shù)字電路技術(shù)，解決了直流小信號(hào)直接處理的難題。
-
MOS管為什么會(huì)被靜電擊穿？
MOS管一個(gè)ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓(想想U(xiǎn)=Q/
-
用MOS管防止電源反接的原理？
一般可以使用在電源的正極串入一個(gè)二極管解決，不過，由于二極管有壓降，會(huì)給電路造成不必要的損耗，尤其是電池供電場(chǎng)合，本來電池電壓就3.7V，你就用二極管降了0.6V，使得
-
MOS管驅(qū)動(dòng)電路詳解
使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的。
-
必藏！小功率 MOS管 選型手冊(cè)
絕對(duì)要收藏的小功率 MOS管 選型手冊(cè)。KD2300 N-Channel SOT23-3 封裝、電壓20V、內(nèi)阻28mΩ、電流6A、可兼容、代用、代換、替換市面上各類型的2300;Si2300，APM2300，
-
開關(guān)電源變壓器溫升過高問題改善方法
在開關(guān)電源變壓器的工作過程中，工程師不僅需要綜合考慮其設(shè)計(jì)構(gòu)造的合理性問題，還需要嚴(yán)格把控其溫升范圍，以免出現(xiàn)溫升過高導(dǎo)致工作效率下降的問題。而在實(shí)際應(yīng)用過程中
-
發(fā)光二極管與MOS中為何要添加多余的電流？
發(fā)光二極管就是俗稱的LED，由于較容易入門且普及率高，很多新手在進(jìn)行入門學(xué)習(xí)時(shí)經(jīng)常會(huì)選擇發(fā)光二極管來入手。本文將對(duì)發(fā)光二極管與MOS之間的特定關(guān)系進(jìn)行分析，從而幫助大
-
電源模塊熱設(shè)計(jì)分析
高溫對(duì)功率密度高的電源模塊的可靠性影響極其大。高溫會(huì)導(dǎo)致電解電容的壽命降低，變壓器漆包線的絕緣特性降低，晶體管損壞，材料熱老化，焊點(diǎn)脫落等現(xiàn)象。有統(tǒng)計(jì)資料表明，
-
一款實(shí)用的電源防反接電路
如果將電源的極性接反，可能會(huì)損壞電源或者燒掉電路板。下圖是一個(gè)實(shí)用的防反接電路。當(dāng)電源正向接入，且輸入電壓范圍為+9V～+28V時(shí)，MOS管的柵極電壓，為2/3Vin即6V～18.7
-
電源模塊熱設(shè)計(jì)分析
摘要：一摸電源模塊的表面，熱乎乎的，模塊壞了?!且慢，有一點(diǎn)發(fā)熱，僅僅只是因?yàn)樗Φ毓ぷ髦?。但高溫?duì)電源模塊的可靠性影響極其大!我們須致力于做好熱設(shè)計(jì)，減小電源
-
一款實(shí)用的電源防反接電路
如果將電源的極性接反，可能會(huì)損壞電源或者燒掉電路板。下圖是一個(gè)實(shí)用的防反接電路。 當(dāng)電源正向接入，且輸入電壓范圍為+9V～+28V時(shí)，MOS管的柵極電壓，為2/3Vin即6V～18
-
一款實(shí)用的電源防反接電路
如果將電源的極性接反，可能會(huì)損壞電源或者燒掉電路板。下圖是一個(gè)實(shí)用的防反接電路。 當(dāng)電源正向接入，且輸入電壓范圍為+9V～+28V時(shí)，MOS管的柵極電壓，為2/3Vin即6V～18
-
到底什么是fmax講解
簡(jiǎn)介： 今天一個(gè)剛剛?cè)胄械呐笥颜业轿艺f，他的老板給了他一個(gè)MOS管讓他測(cè)管子的fmax,幫他測(cè)完之后，他還問到怎么才能加大這個(gè)fmax~~想到自己也曾千辛萬苦的琢磨這個(gè)參數(shù)，就
-
N溝道增強(qiáng)型MOS管雙向低頻開關(guān)電路
【電路】 MOS-N 場(chǎng)效應(yīng)管 雙向電平轉(zhuǎn)換電路 -- 適用于低頻信號(hào)電平轉(zhuǎn)換的簡(jiǎn)單應(yīng)用 (原文件名:MOS-N 場(chǎng)效應(yīng)管 雙向電平轉(zhuǎn)換電路.jpg) 如上圖所示，是 MOS-N 場(chǎng)效應(yīng)管 雙向電平轉(zhuǎn)換電路。 雙向傳輸原理：
-
LED燈這五大技術(shù)難點(diǎn)不攻破，MOS管就燒不停
1、芯片發(fā)熱 本次內(nèi)容主要針對(duì)內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當(dāng)然會(huì)引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯
-
兩輪自平衡電動(dòng)車
摘要：分析了測(cè)量角度和角速度傳感器的選擇，通過Atmega16單片機(jī)多路信號(hào)AD采集陀螺儀和加速度計(jì)的信號(hào)，經(jīng)過Kalman濾波算法計(jì)算動(dòng)態(tài)的角度和角速度，通過LCD1602顯示角速度和角度的值、轉(zhuǎn)向值。利用PID控制算法控制
-
場(chǎng)效應(yīng)晶體管的幾點(diǎn)使用知識(shí)！
我們常接觸到晶體三級(jí)管，對(duì)它的使用也比較熟悉，相對(duì)來說對(duì)晶體場(chǎng)效應(yīng)管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場(chǎng)效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的
-
詳細(xì)講解MOS管驅(qū)動(dòng)電路
在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS管的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允
-
三極管基極下拉電阻的作用
1)防止三極管受噪聲信號(hào)的影響而產(chǎn)生誤動(dòng)作，使晶體管截止更可靠!三極管的基極不能出現(xiàn)懸空，當(dāng)輸入信號(hào)不確定時(shí)(如輸入信號(hào)為高阻態(tài)時(shí))，加下拉電阻，就能使有效接地。特別是GPIO連接此基極的時(shí)候，一般在GPIO所在I
-
國(guó)內(nèi)分立器件制造商積極拓路
【導(dǎo)讀】在“中國(guó)制造”的道路上國(guó)產(chǎn)分立器件已經(jīng)不可或缺的融入供應(yīng)鏈?，F(xiàn)階段，以客戶需求為出發(fā)點(diǎn)，調(diào)整并深化產(chǎn)品線，走專業(yè)化道路，合理的性價(jià)比成為國(guó)內(nèi)分立器件制造的主要目標(biāo)以及競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的體現(xiàn)。也只有這樣
527silence
rgjinxuan
K1Nn
18610005120
l4157
xdqfc
myzk001
cxshixilu
lemonhub
LLLemmm
lionpower
yaneda
氯化鈣補(bǔ)鈣
shenyaoo
18503088884
風(fēng)云ljh
mounthill
timixiaoyouxi
shell.albert
Benjaminsein
- ST首款邊緣AI通用MCU震撼登場(chǎng)， 設(shè)計(jì)創(chuàng)意DIY解鎖你的AI芯片創(chuàng)想力
- MAX30134讓血糖監(jiān)測(cè)系統(tǒng)更輕松與舒適，挑戰(zhàn)趣味測(cè)試
- 了解PI門柵極驅(qū)動(dòng)器，挑戰(zhàn)趣味拼圖游戲
- MPS粉絲團(tuán)招募，邀您解鎖新能源電源“芯”技術(shù)
- 我與貿(mào)澤不得不說的秘密——BOM與搜索功能，讓選型和采購(gòu)更絲滑更高效
- 加入Vishay電子學(xué)習(xí)社，優(yōu)質(zhì)資源限時(shí)免費(fèi)放送
- STM32H5系列高性能MCU，卓越性能和高安全性超乎你想象
