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MOS管及簡單CMOS邏輯門電路原理圖
現(xiàn)代單片機主要是采用CMOS工藝制成的。1、MOS管 MOS管又分為兩種類型：N型和P型。如下圖所示：以N型管為例，2端為控制端，稱為“柵極”;3端通常接地，稱為“源極”;源極電壓記作Vss，1端接正電壓
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三極管比MOS管開關(guān)功能略勝一籌？
我們在做電路設(shè)計中三極管和mos管做開關(guān)用時候有什么區(qū)別 工作性質(zhì)：1.三極管用電流控制，MOS管屬于電壓控制.2、成本問題：三極管便宜，mos管貴。3、功耗問題：三極管損耗大
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開關(guān)式穩(wěn)壓電源電路之三
開關(guān)式穩(wěn)壓電源電路之三
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柵極電阻與泄放電阻
柵極與源極之間加一個電阻，這個電阻起到什么作用?一是為場效應(yīng)管提供偏置電壓;二是起到瀉放電阻的作用：保護柵極G-源極S;第一個作用好理解，這里解釋一下第二個作用的原理——保護柵極G-源極S：場效應(yīng)管的
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4G帶旺無線充電產(chǎn)業(yè) Qi標(biāo)準(zhǔn)將普及
【導(dǎo)讀】無線充電從誕生之日就飽受爭議，而實現(xiàn)之路也是困難重重，我們尋找了兩家涉足無線充電領(lǐng)域的公司，試圖從他們的現(xiàn)狀來一窺無線充電產(chǎn)業(yè)的最新動態(tài)。 成功的設(shè)計：不僅是性能，還需兼具工藝與良率 故事一
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MOS管擊穿原因和防護措施！
MOS管為什么會被靜電擊穿?靜電擊穿是指擊穿MOS管G極的那層絕緣層嗎?擊穿就一定短路了嗎?JFET管靜電擊穿又是怎么回事?MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或
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VMOS管開關(guān)穩(wěn)壓電源電路圖
如圖是另外一個VMOS管開關(guān)穩(wěn)壓電源電路。由于采用了電壓比較器710，因此該電路比前者有所簡化。圖中，電阻R1、R2、R3和穩(wěn)壓管VDl、 VD2 組成分壓穩(wěn)壓電路，從28V輸入電壓中
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MOS管驅(qū)動電路總結(jié)
在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但
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技術(shù)：CMOS集成電路電阻的應(yīng)用分析
目前，在設(shè)計中使用的主要有3種電阻器：多晶硅、MOS管以及電容電阻。在設(shè)計中，要根據(jù)需要靈活運用這3種電阻，使芯片的設(shè)計達到最優(yōu)。1CMOS集成電路的性能及特點1.1功耗低CMOS集成電路采用場效應(yīng)管，且都是互補結(jié)構(gòu)，
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N溝道增強型MOS管雙向低頻開關(guān)電路
MOS-N 場效應(yīng)管 雙向電平轉(zhuǎn)換電路 -- 適用于低頻信號電平轉(zhuǎn)換的簡單應(yīng)用(原文件名:MOS-N 場效應(yīng)管 雙向電平轉(zhuǎn)換電路.jpg)如上圖所示，是 MOS-N 場效應(yīng)管 雙向電平轉(zhuǎn)換電路。雙向傳輸原理：為了方便講述，定義 3.3V 為
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技術(shù)在線：探析CMOS集成電路電阻的應(yīng)用
目前，在設(shè)計中使用的主要有3種電阻器：多晶硅、MOS管以及電容電阻。在設(shè)計中，要根據(jù)需要靈活運用這3種電阻，使芯片的設(shè)計達到最優(yōu)。1CMOS集成電路的性能及特點1.1功耗低CMOS集成電路采用場效應(yīng)管，且都是互補結(jié)構(gòu)，
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技術(shù)在線：探析CMOS集成電路電阻的應(yīng)用
目前，在設(shè)計中使用的主要有3種電阻器：多晶硅、MOS管以及電容電阻。在設(shè)計中，要根據(jù)需要靈活運用這3種電阻，使芯片的設(shè)計達到最優(yōu)。1CMOS集成電路的性能及特點1.1功耗低CMOS集成電路采用場效應(yīng)管，且都是互補結(jié)構(gòu)，
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三極管和mos管在電路設(shè)計中的區(qū)別
我們在做電路設(shè)計中三極管和MOS管做開關(guān)用時候有什么區(qū)別工作性質(zhì)：1.三極管用電流控制，MOS管屬于電壓控制.2、成本問題：三極管便宜，MOS管貴。3、功耗問題：三極管損耗大。4、驅(qū)動能力：MOS管常用來電源開關(guān)，以及
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VMOS管優(yōu)質(zhì)功放電路
VMOS管優(yōu)質(zhì)功放電路
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一款-48V轉(zhuǎn)5VSTBY電源電路的設(shè)計
引言現(xiàn)代電子技術(shù)的應(yīng)用迅速地發(fā)展，對電子儀器和設(shè)備要求性能上更加安全可靠，功能上，不斷地增加。在使用上自動化程度越來越高。在體積上，要日趨小型化。這使采用具有眾
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MOS管被靜電擊穿的幾個原因
我們在實際電子產(chǎn)品設(shè)計調(diào)試過程中，經(jīng)常會有這樣的疑問，MOS管為什么會被靜電擊穿?靜電擊穿是指擊穿MOS管G極的那層絕緣層嗎?擊穿就一定短路了嗎?JFET管靜電擊穿又是怎么回事?其實MOS管一個ESD敏感器件,它本身的輸入
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MOS管使用掃盲
在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計也是不允
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MOS管發(fā)熱分析
做電源設(shè)計，或者做驅(qū)動方面的電路，難免要用到MOS管。MOS管有很多種類，也有很多作用。做電源或者驅(qū)動的使用，當(dāng)然就是用它的開關(guān)作用。無論N型或者P型MOS管，其工作原理本
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電動開關(guān)為何失效？
我們經(jīng)常會遇到設(shè)計的時候一些不經(jīng)意的問題，或者在先期設(shè)計的時候考慮不到的事情。我們來看這個例子： 在 設(shè)計系統(tǒng)的時候，為了增加系統(tǒng)的可靠性和防止意外情況發(fā)生，我們
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MOS/CMOS集成電路簡介及N溝道MOS管和P溝道MOS管
MOS/CMOS集成電路MOS集成電路特點：制造工藝比較簡單、成品率較高、功耗低、組成的邏輯電路比較簡單，集成度高、抗干擾能力強，特別適合于大規(guī)模集成電路。MOS集成電路包括:NMOS管組成的NMOS電路、PMOS管組成的PMOS電
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