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2011年NOR閃存營業(yè)收入預計下滑6%
21ic訊 據(jù)IHS iSuppli公司最新研究，繼去年大增之后，2011年全球NOR閃存市場將下降近6%。該產(chǎn)業(yè)面臨一系列挑戰(zhàn)，這將是其未來幾年面臨困境的初步跡象。預計2011年NOR閃存營業(yè)收入從去年的51億美元降到46億美元。去年
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iPad將推動今年NAND閃存出貨量增長近五倍
據(jù)國外媒體報道，據(jù)市場研究公司iSuppli星期五發(fā)表的研究報告稱，隨著消費者越來越多地使用平板電腦，蘋果的iPad今年將推動NAND閃存芯片的應用增長將近五倍。 iSuppli稱，用于制作移動設備中使用的固態(tài)硬盤的N
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iSuppli：iPad將推動今年NAND閃存出貨量增長近五倍
據(jù)市場研究公司iSuppli星期五發(fā)表的研究報告稱，隨著消費者越來越多地使用平板電腦，蘋果的iPad今年將推動NAND閃存芯片的應用增長將近五倍。iSuppli稱，用于制作移動設備中使用的固態(tài)硬盤的NAND閃存芯片今年的消費量
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iPad將推動今年NAND閃存出貨量增長近五倍
據(jù)市場研究公司iSuppli星期五發(fā)表的研究報告稱，隨著消費者越來越多地使用平板電腦，蘋果的iPad今年將推動NAND閃存芯片的應用增長將近五倍。iSuppli稱，用于制作移動設備中使用的固態(tài)硬盤的NAND閃存芯片今年的消費量
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iPad將推動今年NAND閃存出貨量增長近五倍
iPad將推動今年NAND閃存出貨量增長近五倍
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iSuppli：iPad將推動今年NAND閃存出貨量增長近五倍
iSuppli：iPad將推動今年NAND閃存出貨量增長近五倍
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SanDisk聯(lián)手東芝進軍10nm級別閃存工藝
SanDisk近日就表示：“2011年我們的首要營業(yè)費用投資就是研發(fā)，包括Fab 5晶圓廠上線投產(chǎn)，以及(10nm級別)和更先進NAND閃存制造工藝的技術(shù)投資?！? SanDisk指出，得益于移動設備的全球浪潮，閃存的市場需求正在迅
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ClearNAND閃存改善系統(tǒng)設計
自問世以來，NAND閃存對ECC(糾錯碼)糾錯能力的要求越來越高。雖然這不是一個新問題，但是支持最新的多層單元(MLC)架構(gòu)和每單元存儲三位數(shù)據(jù)(three-bit-per-cell)技術(shù)所需的ECC糾錯能力讓系統(tǒng)人員越來越難以應付?！ ?/p>
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2011年NAND閃存市場七大趨勢預測
2011年的 NAND閃存市場將會發(fā)生哪些情況？以下是投資銀行Barclays Capital分析師C.J. Muse所預測的該市場七大發(fā)展趨勢：1. 2011將是 NAND 閃存年Muse認為，2011年將是屬于 NAND 的年份；明年3x奈米將是主流制程，2x納
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2011年NAND閃存市場七大趨勢預測
2011年的NAND閃存市場將會發(fā)生哪些情況？以下是投資銀行BarclaysCapital分析師C.J.Muse所預測的該市場七大發(fā)展趨勢：1.2011將是NAND閃存年Muse認為，2011年將是屬于NAND的年份；明年3x奈米將是主流制程，2x納米也將揚
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近距離接觸 25nm NAND閃存制造技術(shù)
目前，限制SSD普及的門檻依然是昂貴的價格和較小的容量，而各大閃存制造廠商也在為SSD的普及，積極地研制新制程技術(shù)，以期望帶來更具性價比的產(chǎn)品。顯然，英特爾和美光的合作，使兩家公司在技術(shù)和創(chuàng)新上走在了其他公
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東芝停電事故將導致NAND閃存芯片價格上漲15%
亞洲最大的半導體交易市場Dramexchange分析師周三表示，由于東芝一家芯片工廠因短時電力故障而停產(chǎn)的影響，到2011年1月中旬之前，NAND閃存芯片的價格可能會上漲15%。Dramexchange分析師希恩-楊（SeanYang）表示，32G
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硅CMOS技術(shù)可擴展到10nm以下
“硅CMOS技術(shù)完全可以擴展至10nm以下。如果能夠充分導入三維NAND閃存技術(shù)、可變電阻式存儲器(ReRAM)以及EUV曝光技術(shù)等新構(gòu)造、新材料和新工藝，硅CMOS技術(shù)將繼續(xù)保持其主導地位”。半導體制造技術(shù)國際會議
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三星主題演講:通過導入新技術(shù)，硅CMOS可延長至10nm以下工藝
“硅CMOS技術(shù)完全可以擴展至10nm以下。如果能夠充分導入三維NAND閃存技術(shù)、可變電阻式存儲器（ReRAM）以及EUV曝光技術(shù)等新構(gòu)造、新材料和新工藝，硅CMOS技術(shù)將繼續(xù)保持其主導地位”。 半導體制造技術(shù)國際會議“2
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Micron 推出創(chuàng)新閃存裝置，延長 NAND閃存生命周期
2010年12月6日 美光科技 (Micron Technology Inc.) 近日宣布推出高容量閃存產(chǎn)品組合，其將在未來延長數(shù)年NAND產(chǎn)品的生命周期。通過在同一個 NAND 封裝內(nèi)整合錯誤管理技術(shù)， 新的 Micron? ClearNAND? 裝置解決了 NAND
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Micron推出創(chuàng)新閃存延長NAND閃存生命周期
美光科技近日宣布推出高容量閃存產(chǎn)品組合，其將在未來延長數(shù)年NAND產(chǎn)品的生命周期。通過在同一個 NAND 封裝內(nèi)整合錯誤管理技術(shù)， 新的 Micron? ClearNAND? 裝置解決了NAND在傳統(tǒng)上面臨的由工藝微縮方面所帶來的問題。
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南北韓危機致MLC NAND閃存芯片漲價
據(jù)inSpectrum報道，由于擔心南北韓之間最近發(fā)生的沖突事件會對產(chǎn)品的運輸狀況造成不良影響，不少NAND閃存代理商，商家等紛紛增加了NAND閃存芯片的訂貨量，結(jié)果導致NAND閃存芯片價格持續(xù)走高。本周16Gb密度MLC NAND閃
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明年NAND閃存價格將下跌35%
集邦科技發(fā)布近日報告稱，明年全球閃存芯片銷售額將達到215億美元，同比上漲16%，但是其平均價格將同比下降35%。集邦科技稱，新款智能機、平板機的發(fā)布以及春節(jié)期間的采購將緩解明年一季度閃存市場受到的季節(jié)性銷售因
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明年NAND閃存價格將下跌35%
集邦科技發(fā)布近日報告稱，明年全球閃存芯片銷售額將達到215億美元，同比上漲16%，但是其平均價格將同比下降35%。集邦科技稱，新款智能機、平板機的發(fā)布以及春節(jié)期間的采購將緩解明年一季度閃存市場受到的季節(jié)性銷售因
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2010年NAND閃存營收將創(chuàng)新高 但面臨供應過
據(jù)iSuppli公司，由于智能手機以及平板電腦的使用量增加，2010年全球NAND閃存營業(yè)收入將達到最高紀錄。預計2010年NAND閃存營業(yè)收入將達到187億美元，比去年的135億美元勁增38%，部分利益于智能手機和蘋果iPad等消費電
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