NAND閃存

關(guān)注20人關(guān)注

我要報(bào)錯(cuò)

蘋果去年買進(jìn)了全球NAND閃存的1/4

根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Bernstein Research 公司分析師Toni Sacconaghi 報(bào)告指出，蘋果公司在上一季買了全球NAND 快閃記憶體出貨量的23% ，憑借著這么大的采購量，蘋果拿到的成本價(jià)格可說是出乎意料之外的低。 Saccon

消費(fèi)電子
2012-01-10

NAND閃存蘋果 GB iPhone
韓國周三批準(zhǔn)三星在華投建40億美元閃存廠

北京時(shí)間1月4日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，周三，韓國政府宣布，已經(jīng)批準(zhǔn)三星電子在中國建設(shè)一座閃存芯片工廠。這家工廠計(jì)劃投資40億美元，是三星在海外的第二座芯片工廠。工廠將使用20納米或以下半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝，大規(guī)模

智能硬件
2012-01-05

三星三星電子閃存芯片 NAND閃存
超越NAND閃存的新一代內(nèi)存技術(shù)

雖然NAND閃存可能在2020年末引領(lǐng)企業(yè)級(jí)固態(tài)存儲(chǔ)的蓬勃發(fā)展，不過這種技術(shù)潛在的對(duì)手已經(jīng)出現(xiàn)，并開始獲得業(yè)內(nèi)關(guān)注。這些技術(shù)包括相變內(nèi)存(PCM)、磁阻隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)和電阻式隨機(jī)存取內(nèi)存(RRAM)。在過去的數(shù)年中，

智能硬件
2012-01-04

內(nèi)存 PCM NAND閃存
三星閃存廠選址中國，為了廉價(jià)勞工還是技術(shù)轉(zhuǎn)移？

無論你是在西方市場(chǎng)、東方市場(chǎng)或是不屬于這兩個(gè)陣營的開發(fā)中國家，中國以及其貿(mào)易伙伴之間的關(guān)系，將會(huì)在接下來幾年主導(dǎo)輿論與決策方向，而且我敢說，時(shí)間將長(zhǎng)達(dá)數(shù)十年。更進(jìn)一步說，無論你是美國小鎮(zhèn)一家小型零售商

消費(fèi)電子
2011-12-16

三星制程技術(shù) ELECTRONICS NAND閃存
親力親為？傳蘋果欲收購閃存廠Anobit

根據(jù)一份名為Calcalist的希伯來文刊物報(bào)導(dǎo)，PC與消費(fèi)性電子大廠蘋果(Apple)正在洽商收購以色列新創(chuàng)公司 Anobit Technologies ，價(jià)格在4億至5億美元之間； Anobit 是 NAND閃存控制器開發(fā)商，號(hào)稱可提升閃存的耐久度(最

消費(fèi)電子
2011-12-16

控制器 AN NAND閃存蘋果
英特爾和美光發(fā)布20nm工藝的128Gbit MLC NAND閃存

通過20nm工藝，在單枚芯片上實(shí)現(xiàn)128Gbit。　　美國英特爾和美光科技（Micron Technology）于2011年12月6日（當(dāng)?shù)貢r(shí)間）發(fā)布了通過20nm級(jí)工藝技術(shù)制造的128Gbit MLC（2bit/單元）NAND閃存。美光科技NAND解決方案部門

汽車電子
2011-12-13

英特爾美光 NAND閃存 GB
樹立行業(yè)新標(biāo)桿：全球首款20納米制程N(yùn)AND設(shè)備

英特爾公司和美光科技公司日前宣布推出全球首款20納米制程128 Gb多層單元（MLC）NAND設(shè)備，在NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域樹立了新的標(biāo)桿。兩家公司還宣布開始量產(chǎn)其20納米制程64Gb NAND閃存，進(jìn)一步擴(kuò)展了雙方在NAND制程工藝技

智能硬件
2011-12-12

英特爾 NAND NAND閃存 GB
IMFT推出20納米制程的NAND閃存

日前，英特爾(Intel)與美光(Micron)合資成立的IM Flash Technology(IMFT)推出以20納米制程生產(chǎn)之128GB NAND閃存。兩家公司的20納米制程的64GB NAND閃存也將進(jìn)入量產(chǎn)；128GB NAND閃存預(yù)計(jì)于2012年進(jìn)行量產(chǎn)。 20納米

半導(dǎo)體
2011-12-08

英特爾 Flash NAND閃存 GB
英特爾和美光推出20nm 128Gb多層單元NAND閃存

21ic訊英特爾公司和美光科技公司今天宣布推出全球首款20納米制程128 Gb多層單元（MLC）NAND設(shè)備，在NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域樹立了新的標(biāo)桿。兩家公司還宣布開始量產(chǎn)其20納米制程64Gb NAND閃存，進(jìn)一步擴(kuò)展了雙方在NAND制程

智能硬件
2011-12-07

英特爾美光 NAND閃存 GB
2011年芯片廠商TOP20排名，英特爾雄風(fēng)大振

英特爾（Intel）即將成為市值500億美元的公司，在2011年漲幅高達(dá)23%，在市場(chǎng)分析公司IHS的20大芯片廠商排名中,IHS初步預(yù)測(cè)英特爾在全球芯片產(chǎn)業(yè)的市場(chǎng)份額將由2010年的13.2%增長(zhǎng)至2011年的15.9%。考慮到過去幾年里

消費(fèi)電子
2011-12-05

芯片廠商英特爾 TOP NAND閃存
日本地震過后，NAND營業(yè)收入回升：可供泰國硬盤產(chǎn)業(yè)參考

據(jù)IHS iSuppli公司的移動(dòng)與嵌入記憶體市場(chǎng)簡(jiǎn)報(bào)，在日本3月地震之后，NAND閃存產(chǎn)業(yè)快速復(fù)蘇，為目前遭受泰國洪水沖擊的硬盤廠商提供了寶貴經(jīng)驗(yàn)。第三季度NAND閃存營業(yè)收入增長(zhǎng)9.9%，達(dá)到52億美元，扭轉(zhuǎn)了第二季度下滑

智能硬件
2011-11-23

東芝硬盤 NAND NAND閃存
對(duì)于iPhone 4S，重要的是內(nèi)部使用了什么元件

雖然從外部來看，iPhone 4S可能因?yàn)槿狈π绿厣钜恍┤烁械绞?。但?jù)IHS iSuppli公司的拆機(jī)分析，從內(nèi)部來看，這款手機(jī)進(jìn)行了大量的創(chuàng)新，包括采用了安華高科技的新款無線模塊，并在蘋果iPhone產(chǎn)品中首次使用海力

消費(fèi)電子
2011-10-27

元件器件 NAND閃存 iPhone
取代NAND閃存，惠普和海力士擬于2013年推出憶阻器

（21ic電子網(wǎng)配圖）【OFweek電子工程網(wǎng)原創(chuàng)】：惠普實(shí)驗(yàn)室高級(jí)研究員Stan Williams表示，惠普公司自2008年開始研發(fā)的憶阻器非易失性內(nèi)存技術(shù)將于一年半后上市，將搶占閃存芯片市場(chǎng)。Williams在國際電子論壇上表示：&

智能硬件
2011-10-13

惠普海力士憶阻器 NAND閃存
東芝半導(dǎo)體業(yè)務(wù)新戰(zhàn)略，致力BSI型CMOS傳感器

東芝在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)中提出了新戰(zhàn)略。東芝計(jì)劃將把瞄準(zhǔn)全球份額首位的NAND閃存業(yè)務(wù)實(shí)力，應(yīng)用于其他半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。具體做法是在分離式半導(dǎo)體業(yè)務(wù)、從原系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)中剝離出來的模擬成像IC業(yè)務(wù)、以及與硬盤業(yè)務(wù)進(jìn)行了整合的

模擬
2011-09-27

東芝半導(dǎo)體 CMOS傳感器 NAND閃存
東芝半導(dǎo)體業(yè)務(wù)新戰(zhàn)略致力BSI型CMOS傳感器

東芝在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)中提出了新戰(zhàn)略。東芝計(jì)劃將把瞄準(zhǔn)全球份額首位的NAND閃存業(yè)務(wù)實(shí)力，應(yīng)用于其他半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。具體做法是在分離式半導(dǎo)體業(yè)務(wù)、從原系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)中剝離出來的模擬成像IC業(yè)務(wù)、以及與硬盤業(yè)務(wù)進(jìn)行了整合的

模擬
2011-09-27

東芝半導(dǎo)體 CMOS傳感器 NAND閃存
蘋果采購日本內(nèi)存芯片減少對(duì)三星依賴

據(jù)科技網(wǎng)站DigiTimes報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士稱，蘋果公司從日本購買的DRAM和NAND閃存量大幅增加，主要來源為東芝和Elpida Memory公司。消息稱，蘋果和三星之間的專利訴訟促使蘋果分散其訂單。三星一直是蘋果公司最大的零部件

消費(fèi)電子
2011-09-23

三星內(nèi)存芯片 NAND閃存蘋果
蘋果采購日本內(nèi)存芯片減少對(duì)三星依賴

據(jù)科技網(wǎng)站DigiTimes報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士稱，蘋果公司從日本購買的DRAM和NAND閃存量大幅增加，主要來源為東芝和ElpidaMemory公司。消息稱，蘋果和三星之間的專利訴訟促使蘋果分散其訂單。三星一直是蘋果公司最大的零部件供

模擬
2011-09-23

三星內(nèi)存芯片 NAND閃存蘋果
蘋果因?qū)＠麠壢?加大日本內(nèi)存購買力度

北京時(shí)間9月23日上午消息（艾斯）根據(jù)DIGITIMES報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士透露，蘋果已經(jīng)加大了從日本進(jìn)行DRAM和NAND閃存的購買力度，而東芝和爾必達(dá)（Elpida Memory）則被證實(shí)是這些增加采購的受益者。業(yè)內(nèi)人士聲稱，蘋果已經(jīng)

通信技術(shù)
2011-09-23

三星內(nèi)存 NAND閃存蘋果
蘋果采購日本內(nèi)存芯片減少對(duì)三星依賴

據(jù)科技網(wǎng)站DigiTimes報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士稱，蘋果公司從日本購買的DRAM和NAND閃存量大幅增加，主要來源為東芝和Elpida Memory公司。消息稱，蘋果和三星之間的專利訴訟促使蘋果分散其訂單。三星一直是蘋果公司最大的零部件

消費(fèi)電子
2011-09-23

三星內(nèi)存芯片 NAND閃存蘋果
第二季度NAND閃存銷售額下降4.3%

據(jù)IHSiSuppli公司的閃存市場(chǎng)報(bào)告，由于一家大型廠商的銷售額下降，第二季度NAND閃存市場(chǎng)意外下滑。根據(jù)最終數(shù)據(jù)，第二季度全球NAND銷售額為47億美元，比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場(chǎng)降幅大于預(yù)期，主要是因?yàn)?/p>
模擬
2011-09-05

美光東芝海力士 NAND閃存

首頁上一頁 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 下一頁尾頁

神奇號(hào)
grhr
Yitian7777
empirepan
empirepan
empirepan
empirepan
wangly26
明銳佳源
yoyows
z8848
LEDS
葉春勇
xiaoxiao521
安泰測(cè)試Agitek
JYLBW
JWT20202
jack821119
wolfskin
206022219002

NAND閃存

蘋果去年買進(jìn)了全球NAND閃存的1/4

韓國周三批準(zhǔn)三星在華投建40億美元閃存廠

超越NAND閃存的新一代內(nèi)存技術(shù)

三星閃存廠選址中國，為了廉價(jià)勞工還是技術(shù)轉(zhuǎn)移？

親力親為？傳蘋果欲收購閃存廠Anobit

英特爾和美光發(fā)布20nm工藝的128Gbit MLC NAND閃存

樹立行業(yè)新標(biāo)桿：全球首款20納米制程N(yùn)AND設(shè)備

IMFT推出20納米制程的NAND閃存

英特爾和美光推出20nm 128Gb多層單元NAND閃存

2011年芯片廠商TOP20排名，英特爾雄風(fēng)大振

日本地震過后，NAND營業(yè)收入回升：可供泰國硬盤產(chǎn)業(yè)參考

對(duì)于iPhone 4S，重要的是內(nèi)部使用了什么元件

取代NAND閃存，惠普和海力士擬于2013年推出憶阻器

東芝半導(dǎo)體業(yè)務(wù)新戰(zhàn)略，致力BSI型CMOS傳感器

東芝半導(dǎo)體業(yè)務(wù)新戰(zhàn)略致力BSI型CMOS傳感器

蘋果采購日本內(nèi)存芯片減少對(duì)三星依賴

蘋果采購日本內(nèi)存芯片減少對(duì)三星依賴

蘋果因?qū)＠麠壢?加大日本內(nèi)存購買力度

蘋果采購日本內(nèi)存芯片減少對(duì)三星依賴

第二季度NAND閃存銷售額下降4.3%

相關(guān)標(biāo)簽

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(20人)

熱門活動(dòng)

課程視頻