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盤點NAND Flash與NOR Flash的區(qū)別
與DRAM內存不同，NAND在斷電后也能夠儲存數(shù)據(jù)。閃存斷電時，浮柵晶體管 (FGT) 的金屬氧化物半導體會向存儲單元供電，保持數(shù)據(jù)的完整性。NAND單元陣列存儲1到4位數(shù)據(jù)。
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閃存芯片市場韓國一家獨大！市場占有率超50%
據(jù)統(tǒng)計，隨著Intel閃存業(yè)務被SK海力士收購，韓國企業(yè)三星+SK海力士合計占市場份額已經超過50%。
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SK海力士成功研發(fā)全球最高層238層４D NAND閃存
新聞概要 公司全球首發(fā)238層 512Gb TLC 4D NAND閃存，將于明年上半年投入量產 成功研發(fā)層數(shù)最高，面積最小的NAND閃存，并顯著改善生產效率、數(shù)據(jù)傳輸速度、功耗等特性 "公司將持續(xù)創(chuàng)新并不斷突破技術瓶頸" 韓國首爾2022...
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SK海力士成功研發(fā)全球最高層238層4D NAND閃存
（全球TMT2022年8月3日訊）SK海力士于8月3日宣布成功研發(fā)全球首款業(yè)界最高層數(shù)的238層NAND閃存。SK海力士向客戶發(fā)送了238層 512Gb TLC(Triple Level Cell) 4D NAND閃存的樣品，并計劃在2023年上半年正式投入量產。 圖1...
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KIOXIA鎧俠慶祝NAND閃存發(fā)明35周年
顛覆性技術的深遠影響從根本上改變了人們的生活、工作和娛樂方式
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華為NAND閃存：與UFS3.1比較，速度大約提升了10-15%左右
據(jù)韓媒thelec報道，華為方面計劃采購NAND閃存晶圓，自行完成測試封裝工序，已為此籌建相關設施，或將于下半年開始量產。
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SK海力士完成收購英特爾NAND閃存及SSD業(yè)務案的第一階段
（全球TMT2021年12月30日訊）SK海力士宣布，已于12月30日圓滿完成了收購英特爾NAND閃存及SSD業(yè)務案的第一階段。繼12月22日獲得中國國家市場監(jiān)督管理總局的批準后，SK海力士完成了第一階段的后續(xù)流程，包括從英特爾接管SSD業(yè)務及其位于中國大連NAND閃存制造廠的...
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日本企業(yè)研發(fā)7bpc閃存！150℃高溫下數(shù)據(jù)可保存10年
SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND閃存的發(fā)展大家應該都比較熟悉了，它們代表了每個單元能夠存儲的比特數(shù)據(jù)，密度越來越高，容量越來越大，當然可靠性、壽命越來越低。
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SkyHigh擴展其SLC NAND閃存系列
（全球TMT2021年10月12日訊）嵌入式存儲解決方案全球領導者SkyHigh Memory Limited將在其NAND閃存系列中推出3.0V 1Gb-4Gb密度4KB頁面和2KB頁面ML-3產品。全新的1Gb-4Gb ML-3 SLC NAND閃存產品系列設備的設...
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Arasan推出NAND閃存全IP解決方案
（全球TMT2021年8月5日訊）面向物聯(lián)網（IoT）、移動和汽車SoC的半導體IP提供商Arasan Chip Systems宣布立即提供符合開放Nand閃存接口（ONFI）5.0規(guī)范的N
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長江存儲推出128層QLC閃存，單顆容量達1.33Tb
長江存儲科技有限責任公司128層QLC 3D NAND 閃存(型號： X2-6070)，已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。作為業(yè)內首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業(yè)內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量①。此次同時發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片(型號：X2-9060)，以滿足不同應用場景的需求。
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產業(yè)鏈人士預計存儲芯片價格四季度環(huán)比下滑10%
8月17日消息，據(jù)國外媒體報道，研究機構不久前曾預計，DRAM和NAND閃存這兩大存儲芯片的銷售額，今年均會有上漲，后者的同比增長率預計會達到27%。 但與銷售額同比增長不相匹配的是，目前的存儲芯片
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研究機構預計今年僅8類集成電路產品銷售額同比會有增長
8月10日消息，據(jù)國外媒體報道，今年眾多行業(yè)都受到了影響，需求明顯下滑，5G智能手機處理器、NAND閃存、DRAM等半導體產品雖然并未受到影響，但在集成電路領域的產品類別中，多數(shù)都受到了影響，大部分產
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宇瞻總經理：DRAM與NAND閃存供應過剩將持續(xù)到明年上半年
8月13日消息，據(jù)國外媒體報道，受疫情影響，眾多產品的市場需求都有不同程度的下滑，智能手機等電子產品也不例外，也影響到了存儲產品的市場需求，已經出現(xiàn)了供應過剩的情況。 而存儲模組供應商宇瞻的總經理張
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研究機構預計全球NAND閃存銷售額今年增至560億美元 同比大增27%
8月4日消息，據(jù)國外媒體報道，研究機構預計，銷售額在去年大幅下滑的NAND閃存，在今年將大幅增長，同比增長率將達到27.2%，銷售額將達到560.07億美元。 從研究機構的預計來看，在集成電路的33
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外媒：索尼微軟新品推動 游戲主機閃存需求三季度將回升
6月17日消息，據(jù)國外媒體報道，在索尼和微軟將推出的新一代游戲機的推動下，游戲主機對閃存的需求也將增加，產業(yè)鏈人士預計游戲主機對閃存的需求在今年三季度將回升。 索尼新一代游戲主機PS5 產業(yè)鏈人士表
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長江存儲推出了全球首款基于Xtacking架構的64層3D NAND閃存
2019年9月2日，中國武漢，紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”） 在IC China 2019前夕宣布，公司已開始量產基于Xtacking?架構的64層256 Gb T
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物聯(lián)網應用需要哪幾種存儲技術來支持
目前的內存技術以DRAM與NAND閃存為主流，但DRAM的讀寫速度快無法長時間儲存數(shù)據(jù)；NAND Flash能保存數(shù)據(jù)， 但讀寫速度不佳。同時兼具運算、儲存能力的下世代內存，如磁阻式內存（MRA
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一幅漫畫帶你了解什么是NAND閃存，為什么物聯(lián)網需要它
物聯(lián)傳媒本文作者：露西本文繪圖：市大媽無處不在的物聯(lián)網設備將產生龐大的數(shù)據(jù)，但問題在于是否保留所有數(shù)據(jù)，如果保留，數(shù)據(jù)將存儲在哪里？相比云計算存儲在過去幾年中成為目標，如今正在有越來越多的觀點認為應該轉向布局本地存儲和邊緣存儲，因為不是所有數(shù)據(jù)需要上云，并且時延要求較高的場景，比...
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厲害了！長江存儲官宣128層閃存芯片研發(fā)成功
網易科技訊 4月13日消息，長江存儲今日在官網宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片X2-6070研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。 長江存儲表示，X2-6070是業(yè)
