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全球第一：海力士量產(chǎn)16nm 8GB閃存顆粒
韓國SK海力士今天宣布，已經(jīng)開始大規(guī)模量產(chǎn)16nm工藝的64Gb(8GB) MLC NAND閃存顆粒，這也是當今最先進的閃存制造工藝。其實早在今年六月，海力士就量產(chǎn)了第一版的16nm NAND閃存，最近投產(chǎn)的則是第二版，芯片尺寸更小，
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SK海力士開始量產(chǎn)64GB 16納米NAND閃存芯片
根據(jù)韓國內存芯片制造商SK海力士消息，公司已經(jīng)開始大規(guī)模批量生產(chǎn)64GB 16nmMLCNAND閃存芯片。公司表示，SK海力士的16nmNAND閃存已于6月進入第一版本的批量生產(chǎn)，最近已開始第二版本的大規(guī)模生產(chǎn)。由于芯片尺寸
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SK海力士開始量產(chǎn)64GB 16納米NAND閃存
元器件交易網(wǎng)訊 11月20日消息，根據(jù)韓國內存芯片制造商SK海力士消息，公司已經(jīng)開始大規(guī)模批量生產(chǎn)64GB 16nm MLC NAND閃存芯片。公司表示，SK海力士的16nm NAND閃存已于6月進入第一版本的批量生產(chǎn)，最近已開始第二版本
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東芝推出采用19納米工藝技術的嵌入式NAND閃存模塊
東芝公司（Toshiba Corporation, TOKYO:6502）今天宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術制造的NAND芯片。該模塊符合最新的e?MMCTM [1]標準，旨在應用于智能手機、平板電腦和數(shù)字攝
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東芝推出采用19納米第二代工藝技術的新型嵌入式NAND閃存模塊
21ic訊 東芝公司今天宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術制造的NAND芯片。該模塊符合最新的e･MMCTM [1]標準，旨在應用于智能手機
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東芝公布上半年財報：NAND閃存創(chuàng)最高營業(yè)利潤記錄
訊：東芝2013年10月30日發(fā)布了2013財年上半年（2013年4～9月）的合并財報。銷售額同比增加13％，為30392億日元，營業(yè)利潤同比增加54％，為1056億日元，實現(xiàn)大幅增益。其中，NAND閃存所屬的電子元器件部門業(yè)績尤
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東芝2013財年上半年大幅增益，NAND閃存業(yè)績喜人
東芝2013年10月30日發(fā)布了2013財年上半年（2013年4～9月）的合并財報。銷售額同比增加13％，為30392億日元，營業(yè)利潤同比增加54％，為1056億日元，實現(xiàn)大幅增益。其中，NAND閃存所屬的電子元器件部門業(yè)績尤其出色，“
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為嵌入式應用選擇 實現(xiàn)NAND閃存海量存儲
在嵌入式應用中，海量存儲密度正在以前所未有的速度增長。像便攜式媒體播放器、蜂窩電話、數(shù)碼相機、便攜式導航設備、無線網(wǎng)卡、閃盤這樣的消費產(chǎn)品由于需要處理越來越多的多媒體內容而要求更高的海量存儲密度。NAND
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未來閃存價格趨勢大預測
閃存的技術發(fā)展已經(jīng)邁入了一個新的臺階，比如堆疊式3D NAND芯片將在未來四年內成為閃存芯片市場上的主流方案。等到這些技術的量產(chǎn)，能在一定程度上降低閃存價格，同時隨著大數(shù)據(jù)時代的到來，人們對于閃存的需求也促進
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未來閃存價格趨勢大預測
訊：閃存的技術發(fā)展已經(jīng)邁入了一個新的臺階，比如堆疊式3D NAND芯片將在未來四年內成為閃存芯片市場上的主流方案。等到這些技術的量產(chǎn)，能在一定程度上降低閃存價格，同時隨著大數(shù)據(jù)時代的到來，人們對于閃存的
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閃存技術新起點：三星3D V-NAND技術解析
三星這兩年已經(jīng)是全球最大的NAND供應商，不僅生產(chǎn)能力強大，技術實力也是頂級的。本月初宣布量產(chǎn)世界首款3D垂直閃存V-NAND，月中就有相關的企業(yè)級V-NAND閃存發(fā)布了。海力士、SanDisk、美光、東芝等其他NAND廠商也有各
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只對高端，三星推首款3D垂直NAND閃存技術SSD
在硬盤廠商之間的較量中，比拼的不僅僅是性能參數(shù)上的快速，對于推出新技術、新產(chǎn)品的速度也同樣要追求一個“快”字。 一周之前，三星公司才剛剛宣布推出了世界上首款擁有3D垂直NAND Flash技術的內存產(chǎn)
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三星宣布量產(chǎn)全球首個3D垂直閃存V-NAND
三星電子在存儲技術上的領先的確無可匹敵，今天又宣布已經(jīng)批量投產(chǎn)全球第一個采用3D垂直設計的NAND閃存“V-NAND”。這年頭，3D堆疊已經(jīng)成了潮流，處理器、內存
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三星宣布量產(chǎn)全球首個3D垂直閃存V-NAND
三星電子繼續(xù)確立在存儲技術上的領先地位，今天又宣布已經(jīng)批量投產(chǎn)全球第一個采用3D垂直設計的NAND閃存“V-NAND”。這年頭，3D堆疊已經(jīng)成了潮流，處理器、內存什么的都要堆起來。三星的V-NAND單顆芯片容量
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NAND閃存第一季度意外出現(xiàn)短缺
21ic訊 據(jù)IHS公司的移動與嵌入存儲市場追蹤報告，今年第一季度中國低端智能手機的需求大增，讓內存供應商措手不及，刺激了NAND閃存市場的增長并導致其出現(xiàn)供應短缺。第一季度NAND閃存出貨量為87億個(1GB當量)，高于去
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三星第一季NAND閃存銷售額突破20億美元
據(jù)市場調研機構iSuppli于7日公布的統(tǒng)計數(shù)據(jù)，三星電子今年第一季度NAND閃存銷售額達到20.32億美元。該公司單季度的NAND閃存銷售額超過20億美元是2011年第三季度以來的首次。三星在NAND閃存市場的份額達38.5%，穩(wěn)居第
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東芝將于今年八月激活Fab 5新廠 用于3D NAND閃存生產(chǎn)
東芝公司(Toshiba)宣布將在今年八月激活位于日本三重縣四日市的 Fab 5 新廠第二期工程，準備增加NAND閃存的制造產(chǎn)能，同時轉移至3D NAND生產(chǎn)。這項工程預計將在2014年夏天完成，東芝強調，目前尚未決定任何設備投資等
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中國廠商成全球芯片行業(yè)增長新引擎
重新掌握主動隨著中國低端智能手機和平板電腦的需求激增，以及華為等中國移動設備廠商的強勢崛起，東芝、SKHynix等亞洲存儲芯片廠商有望從這種趨勢中獲得重要回報。中國目前已取代美國，成為全球第一大智能手機市場。
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東芝Fab 5新廠激活用于3D NAND閃存生產(chǎn)
東芝公司(Toshiba)宣布將在今年八月激活位于日本三重縣四日市的 Fab 5 新廠第二期工程，準備增加 NAND 閃存的制造產(chǎn)能，同時轉移至 3D NAND 生產(chǎn)。 這項工程預計將在2014年夏天完成，東芝強調，目前尚未決定任何設備
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賺翻了！本季度閃存供應依然供不應求
根據(jù)行業(yè)觀察家表示，由于需求旺盛，智能手機、平板電腦、固態(tài)硬盤在服務器和大型數(shù)據(jù)中心越來越多地被采用，2013年第三季度，全球NAND閃存供應仍將偏緊。 供應持續(xù)緊張，將進一步推高NAND閃存芯片價格，在第三季度
