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東芝研發(fā)全球首款搭載TSV技術(shù)的16顆粒堆疊式NAND閃存
東芝公司今日宣布研發(fā)全球首款*1運(yùn)用硅通孔(TSV)技術(shù)的16顆粒(最大)堆疊式NAND閃存。將于8月11日至13日在美國圣克拉拉舉行的2015年閃存峰會(Flash Memory Summit 2015)上展示其原型。
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紫光將收購目標(biāo)瞄準(zhǔn)NAND閃存廠商SanDisk和東芝
業(yè)內(nèi)消息人士的說法稱，清華紫光正在將收購目標(biāo)瞄準(zhǔn)NAND閃存廠商SanDisk和東芝。消息人士透露，清華紫光旗下Unisplendor已達(dá)成協(xié)議，收購硬盤廠商西部數(shù)據(jù)的約15%股份。近期，中國正試圖發(fā)展自主的存儲設(shè)備、DRAM和N
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美光英特爾推出3D NAND閃存新品
21ic訊 近日，美光科技有限公司(Micron Technology, Inc. )和英特爾公司發(fā)布雙方聯(lián)合研發(fā)的世界上密度最大的3D NAND閃存技術(shù)。閃存是在最輕的筆記本電腦、最快的數(shù)據(jù)中心和幾乎所有手機(jī)、平板電腦和移動設(shè)備中使用的
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第三季度NAND閃存市場不樂觀
NAND閃存的平均銷售價(jià)格在2013上半年一路上漲，但是第三季度的市場卻不容樂觀，由于庫存的壓力，平均售價(jià)在下半年預(yù)計(jì)會下挫，廠商們應(yīng)該持有一個審慎的態(tài)度，據(jù)trendforce
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ST閃存技術(shù)解析
前言閃存是手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、數(shù)字電視和機(jī)頂盒或發(fā)動機(jī)控制模塊等數(shù)字應(yīng)用中一種十分常見的半導(dǎo)體存儲器，這類芯片需具備系統(tǒng)級編程功能和斷電數(shù)據(jù)保存功能。閃存兼?zhèn)涓叽鎯?/p>
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IBM重大技術(shù)突破 能耗低于NAND閃存技術(shù)
根據(jù)Computerworld網(wǎng)站報(bào)道，IBM研究人員在自旋電子學(xué)領(lǐng)域(“自旋遷移電子學(xué)”的簡稱)取得了重大技術(shù)突破，能夠利用電子在磁場內(nèi)的自旋并結(jié)合讀寫頭，在半導(dǎo)體材
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主導(dǎo)閃存發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)
閃存幾乎無處不在，特別是在移動設(shè)備中。閃存具有各種外形尺寸，隨著成本的不斷降低以及容量和工作壽命的不斷增加，閃存不斷地推動著越來越多的平臺中硬盤驅(qū)動器的發(fā)展。NAND和NOR閃存主導(dǎo)著固態(tài)非易失性存儲器(NVM
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東芝將新建NAND閃存芯片工廠
北京時(shí)間4月4日下午消息，據(jù)《日刊工業(yè)新聞》報(bào)道，由于移動設(shè)備的需求持續(xù)增加，東芝最早計(jì)劃今年夏天興建一座新的NAND閃存芯片工廠。該工廠是東芝第五座NAND工廠的二期項(xiàng)
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今年NAND閃存營業(yè)收入預(yù)計(jì)增長8%
據(jù)IHS iSuppli公司的數(shù)據(jù)閃存市場研究報(bào)告，雖然2011年情況不如人意，但今年NAND閃存市場可望有不錯的表現(xiàn)，裝備固態(tài)硬盤的超級本(Ultrabook)等產(chǎn)品將助其一臂之力。今年全
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東芝將加大Fab5工廠NAND閃存產(chǎn)能
根據(jù)東京《日刊工業(yè)新聞》報(bào)的報(bào)道稱，東芝公司將會加大位于日本三重縣四日市的Fab5工廠的NAND閃存芯片的產(chǎn)能。業(yè)內(nèi)預(yù)計(jì)，東芝的這項(xiàng)決定將會導(dǎo)致全球NAND閃存芯片價(jià)格在20
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東芝建NAND閃存芯片工廠
北京時(shí)間4月4日下午消息，據(jù)《日刊工業(yè)新聞》報(bào)道，由于移動設(shè)備的需求持續(xù)增加，東芝最早計(jì)劃今年夏天興建一座新的NAND閃存芯片工廠。該工廠是東芝第五座NAND工廠的二期項(xiàng)
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三星電子宣布量產(chǎn)3bit 3D V-NAND閃存
近日消息，三星電子宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)用于固態(tài)硬盤的業(yè)內(nèi)首個3bit MLC 3D V-NAND閃存。 三星電子存儲芯片營銷部門負(fù)責(zé)人韓宰洙高級副總裁表示：“通過推出一條全新的高性能高密度固態(tài)硬盤產(chǎn)品線，我們相信3bit V
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中芯國際推出自主研發(fā)的38納米NAND閃存工藝制程
21ic訊 中芯國際集成電路制造有限公司今日宣布38納米 NAND 閃存工藝制程已準(zhǔn)備就緒，中芯國際憑此成為唯一一家可為客戶生產(chǎn) NAND 產(chǎn)品的代工廠。該工藝平臺完全由中芯國際自
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預(yù)計(jì)明年NAND閃存價(jià)格將下跌35%
臺灣媒體報(bào)道，集邦科技發(fā)布近日報(bào)告稱，明年全球閃存芯片銷售額將達(dá)到215億美元，同比上漲16%，但是其平均價(jià)格將同比下降35%。集邦科技稱，新款智能機(jī)、平板機(jī)的發(fā)布以及春
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南北韓危機(jī)致MLC NAND閃存芯片漲價(jià)
據(jù)inSpectrum報(bào)道，由于擔(dān)心南北韓之間最近發(fā)生的沖突事件會對產(chǎn)品的運(yùn)輸狀況造成不良影響，不少NAND閃存代理商，商家等紛紛增加了NAND閃存芯片的訂貨量，結(jié)果導(dǎo)致NAND閃存
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東芝晶圓廠停電事故或致閃存價(jià)格大漲
當(dāng)?shù)貢r(shí)間周三凌晨，東芝位于日本四日市境內(nèi)的晶圓廠發(fā)生停電事故。雖然時(shí)間非常短暫，卻給東芝的NAND閃存生產(chǎn)線帶來了相當(dāng)嚴(yán)重的影響，甚至?xí)暗轿磥韼讉€月的全球閃存市
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Hynix公司宣稱已量產(chǎn)20nm NAND閃存
南韓內(nèi)存廠商Hynix公司日前宣布已開始量產(chǎn)20nm制程級別64Gb NAND閃存芯片，這款芯片是在公司位于Cheong-ju的300mm M11工廠生產(chǎn)的。Hynix公司表示，升級為2xnm制程節(jié)點(diǎn)后，
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06年半導(dǎo)體板塊總銷量將突破2400億美元
【導(dǎo)讀】06年半導(dǎo)體板塊總銷量將突破2400億美元 9月8日消息，據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會SIA提供的最新數(shù)字，今年半導(dǎo)體板塊的總銷量將超過2400億美元大關(guān)，據(jù)悉在剛剛過去的七月份中，全球半導(dǎo)體板塊的銷量達(dá)到201
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東芝四日市工廠NAND閃存第4車間動工建設(shè)
【導(dǎo)讀】東芝四日市工廠NAND閃存第4車間動工建設(shè) 東芝在其內(nèi)存生產(chǎn)基地四日市工廠（三重縣四日市市），開始建設(shè)支持300mm晶圓的NAND型閃存的新車間（以下稱為第4車間）。預(yù)計(jì)在2006年和2007年的2年內(nèi)，東芝將
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趨穩(wěn)還是下降？專家釋疑NAND市場迷局
【導(dǎo)讀】趨穩(wěn)還是下降？專家釋疑NAND市場迷局 NAND閃存市場是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中增長最快的芯片領(lǐng)域之一，其增長速度可能正在放緩。市場調(diào)研公司Gartner日前把2006年NAND閃存銷售額預(yù)估砍掉了15億美元，并預(yù)測200
