SRAM

我要報(bào)錯(cuò)

靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（StaticRandom-AccessMemory，SRAM）是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失（被稱為volatilememory），這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。

單粒子翻轉(zhuǎn)與醫(yī)療器件

引言CMOS存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)(如靜態(tài)RAM單元和觸發(fā)器)在受到高能粒子轟擊時(shí)容易發(fā)生翻轉(zhuǎn)(即狀態(tài)改變)。這些高能粒子可能是阿爾法(alpha)粒子、中子、質(zhì)子或各種重離子，他們是由宇宙射線與大氣外層中的粒子碰撞，或宇宙射線釋放

醫(yī)療電子
2012-04-09

器件 SE SRAM 醫(yī)療設(shè)備
單粒子翻轉(zhuǎn)與醫(yī)療器件

引言CMOS存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)(如靜態(tài)RAM單元和觸發(fā)器)在受到高能粒子轟擊時(shí)容易發(fā)生翻轉(zhuǎn)(即狀態(tài)改變)。這些高能粒子可能是阿爾法(alpha)粒子、中子、質(zhì)子或各種重離子，他們是由宇宙射線與大氣外層中的粒子碰撞，或宇宙射線釋放

數(shù)字電源
2012-04-07

器件 SE SRAM 醫(yī)療設(shè)備
基于單片機(jī)實(shí)現(xiàn)FPGA的加載配置

隨著電子技術(shù)的發(fā)展，數(shù)字系統(tǒng)的設(shè)計(jì)正朝著速度快、容量大、體積小、重量輕的方向發(fā)展。高密度現(xiàn)場可編程邏輯器件的出現(xiàn)將大量邏輯功能集成于一個(gè)單片 IC之中。對基于 E2PROM (或 Flash Memory)工藝的器件，配置數(shù)據(jù)

單片機(jī)
2012-03-29

FPGA 基于單片機(jī) FPGA器件 SRAM
太空射線-中子對汽車電子設(shè)備影響及分析

設(shè)想一下：如果你驅(qū)車以每小時(shí)75英里的速度在高速公路上疾馳，一邊駕駛著2006才購買的新車，一邊欣賞著Steve Miller的Greatest Hits樂曲。突然間，引擎管理系統(tǒng)或穩(wěn)定控制系統(tǒng)失效。如果出現(xiàn)這一幕，您不僅僅可能會(huì)遭

汽車電子
2012-03-26

固件汽車電子設(shè)備 SRAM
用單片機(jī)實(shí)現(xiàn)可編程邏輯器件的配置

基于單片機(jī)的復(fù)雜可編程邏輯器件快速配置方法基于SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）的可重配置PLD（可編程邏輯器件）的出現(xiàn)，為系統(tǒng)設(shè)計(jì)者動(dòng)態(tài)改變運(yùn)行電路中PLD的邏輯功能創(chuàng)造了條件。PLD使用SRAM單元來保存配置數(shù)據(jù)。這些配置

單片機(jī)
2012-03-20

單片機(jī) 可編程邏輯器件 OV SRAM
SoC用低電壓SRAM技術(shù)

東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，發(fā)布了采用09年開始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術(shù)。該技術(shù)為主要用于便攜產(chǎn)品及消費(fèi)類產(chǎn)品的低功耗工藝技術(shù)。通過控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時(shí)變化，可抑

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-02-22

晶體管 SoC 低電壓 SRAM
Linux下ColdFire片內(nèi)SRAM的應(yīng)用程序優(yōu)化設(shè)計(jì)

Linux下ColdFire片內(nèi)SRAM的應(yīng)用程序優(yōu)化設(shè)計(jì)

嵌入式軟件
2012-02-19

Linux 應(yīng)用程序 COLDFIRE SRAM
Linux下ColdFire片內(nèi)SRAM的應(yīng)用程序優(yōu)化設(shè)計(jì)

Linux下ColdFire片內(nèi)SRAM的應(yīng)用程序優(yōu)化設(shè)計(jì)

嵌入式教程
2012-02-19

Linux 應(yīng)用程序 COLDFIRE SRAM
使用新SRAM工藝實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)

基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲(chǔ)單元的靜態(tài)RAM存儲(chǔ)器塊一直是許多嵌入式設(shè)計(jì)中使用ASIC/SoC實(shí)現(xiàn)的開發(fā)人員所采用的利器，因?yàn)檫@種存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)非常適合主流的CMOS工藝流程，不需要增添任何額外的工藝步驟。如圖1a中所示的那樣

數(shù)字電源
2012-02-15

存儲(chǔ)器 SoC ASIC SRAM
使用新SRAM工藝實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)

使用新SRAM工藝實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)

嵌入式教程
2012-02-15

存儲(chǔ)器 SoC ASIC SRAM
FPGA的分類

1.按邏輯功能塊的大小分類可編程邏輯塊是FPGA的基本邏輯構(gòu)造單元。按照邏輯功能塊的大小不同，可將FPGA分為細(xì)粒度結(jié)構(gòu)和粗粒度結(jié)構(gòu)兩類。細(xì)粒度FPGA的邏輯功能塊一般較小，僅由很小的幾個(gè)晶體管組成，非常類似于半定

充電吧
2012-02-07

元件 FPGA EPROM SRAM
2012-2015年全球Pseudo SRAM市場預(yù)測

根據(jù)臺(tái)灣工業(yè)技術(shù)研究院，從Pseudo SRAM產(chǎn)品容量來看，2011年以64Mb的出貨量最大，約有2.3億顆，而32Mb與128Mb的市場量都約有8千萬顆。預(yù)估2010年~2015年的主流容量仍為64Mb與128Mb?！?2010~2015全球Pseudo SRAM市場

消費(fèi)電子
2012-02-02

DRAM PSE SRAM
2011年歐司朗營收50億歐元增長7.5%

Osram 2011會(huì)計(jì)年度(10年10月至11年9月)營收達(dá)50億歐元(約65億美元)，年增7.5%，全球員工數(shù)高達(dá)約4萬人，股票雖未上市，但市值估計(jì)高達(dá)50至70億歐元。西門子一直持有Osram 100%的股份，原本計(jì)劃在2011年秋季為Osram進(jìn)

消費(fèi)電子
2012-01-06

西門子歐司朗 OS SRAM
簡述嵌入式系統(tǒng)的高速度大容量非易失隨機(jī)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

簡述嵌入式系統(tǒng)的高速度大容量非易失隨機(jī)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

嵌入式教程
2012-01-04

嵌入式系統(tǒng) 數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 隨機(jī)數(shù) SRAM
Aclara® 在AMI模塊中選用賽普拉斯串行nvSRAM

21ic 訊賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布 Aclara Technologies 已在其全新 UMT-R 家用電表中選用賽普拉斯帶 SPI 接口的串行非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (nvSRAM)。串行 nvSRAM 可為 UMT-R 提供高速故障安全型存儲(chǔ)器功能，

廠商文章
2011-12-20

賽普拉斯 AC 器件 SRAM
輻射對FPGA應(yīng)用的影響及解決方案

以前很多人認(rèn)為，半導(dǎo)體器件只會(huì)在太空應(yīng)用中受到輻射的影響，但是隨著半導(dǎo)體工藝的進(jìn)步，很多地面的應(yīng)用也會(huì)受到輻射的影響。今天，我們會(huì)介紹不同的輻射效應(yīng)和對FPGA的影響，比較不同的FPGA的耐輻射性。輻射的影響

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-12-15

FPGA Flash 固件 SRAM
CPLD與FPGA的用途及區(qū)別

FPGA/CPLD能做什么呢？可以毫不夸張的講，F(xiàn)PGA/CPLD能完成任何數(shù)字器件的功能，上至高性能CPU,下至簡單的74電路，都可以用FPGA/CPLD來實(shí)現(xiàn)。FPGA/CPLD如同一張白紙或是一堆積木，工程師可以通過傳統(tǒng)的原理圖輸入法，

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-12-15

FPGA CPLD FPGA/CPLD SRAM
SoC測試的概念及實(shí)例詳解

本文主要介紹了一個(gè)具有可測性設(shè)計(jì)和可制造性設(shè)計(jì)的新型單片系統(tǒng)，該系統(tǒng)由硬盤控制器(HDC)、16位微控制器、微控制器使用的程序和數(shù)據(jù)SRAM以及用8M位DRAM實(shí)現(xiàn)的片上緩存組成，再加上時(shí)鐘綜合PLL、帶外部旁路晶體管的

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-12-14

DRAM SoC 器件 SRAM
利用永久性存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)智能汽車功能的全面調(diào)用

假設(shè)8個(gè)月前你駕車駛上了一個(gè)帶急轉(zhuǎn)彎的高速公路坡道。由于轉(zhuǎn)彎時(shí)速度太快，汽車自動(dòng)采取了主動(dòng)安全和懸掛措施來避免駛離道路。主動(dòng)安全措施包括汽車制動(dòng)、電子穩(wěn)定控制和安全帶的預(yù)拉。智能汽車可以記憶曾采取的主動(dòng)

汽車電子
2011-12-14

存儲(chǔ)器智能汽車 BSP SRAM
富士通新技術(shù)：0.4V電壓即可驅(qū)動(dòng)芯片工作

雖然芯片制程方面一直在飛速進(jìn)步，不過自從進(jìn)入0.18微米(180nm)時(shí)代CPU核心電壓降至 1.xV級(jí)別后，即使是目前實(shí)際生產(chǎn)用最新的28nm制程也只能使核心電壓維持在1V左右。“高”電壓帶來的功耗問題也使移動(dòng)計(jì)算

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-12-14

富士通電壓驅(qū)動(dòng)芯片 SRAM

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SRAM

單粒子翻轉(zhuǎn)與醫(yī)療器件

單粒子翻轉(zhuǎn)與醫(yī)療器件

基于單片機(jī)實(shí)現(xiàn)FPGA的加載配置

太空射線-中子對汽車電子設(shè)備影響及分析

用單片機(jī)實(shí)現(xiàn)可編程邏輯器件的配置

SoC用低電壓SRAM技術(shù)

Linux下ColdFire片內(nèi)SRAM的應(yīng)用程序優(yōu)化設(shè)計(jì)

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使用新SRAM工藝實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)

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2012-2015年全球Pseudo SRAM市場預(yù)測

2011年歐司朗營收50億歐元增長7.5%

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Aclara® 在AMI模塊中選用賽普拉斯串行nvSRAM

輻射對FPGA應(yīng)用的影響及解決方案

CPLD與FPGA的用途及區(qū)別

SoC測試的概念及實(shí)例詳解

利用永久性存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)智能汽車功能的全面調(diào)用

富士通新技術(shù)：0.4V電壓即可驅(qū)動(dòng)芯片工作

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