SRAM

我要報錯

靜態(tài)隨機存取存儲器（StaticRandom-AccessMemory，SRAM）是隨機存取存儲器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失（被稱為volatilememory），這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。

東芝新款微控制器“TMPM36BF10FG”可提供片上SRAM

21ic訊東芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布推出一款基于ARM Cortex™-M3內(nèi)核的全新TX03系列微控制器“TMPM36BF10FG”，配備了1M字節(jié)的閃存ROM和258K字節(jié)的SRAM。該產(chǎn)品計劃于9月份投入量產(chǎn)。背景

單片機
2013-07-02

SRAM TMP 東芝微控制器
Osram計劃關(guān)閉Tangerang工廠

Sharp考慮縮小LED照明業(yè)務(wù) Sharp公司考慮縮小LED照明業(yè)務(wù)，以應(yīng)對來自中國和韓國在LED市場上的價格競爭。Sharp于2008年進軍LED照明領(lǐng)域，在國內(nèi)擁有領(lǐng)先的市場份額。但是，來自于LED照明這部分的營收，僅占該公司總營

顯示光電
2013-05-13

GE OS AN SRAM
ATmega2560外部SRAM擴展鍵盤的應(yīng)用設(shè)計

摘要：文中從應(yīng)用的角度出發(fā)，設(shè)計了一個基于ATmega2560微控制器外部SRAM擴展鍵盤的應(yīng)用系統(tǒng)。從硬件的原理框圖到軟件都給出了詳細的設(shè)計。關(guān)鍵詞：ATmega2560；外部SRAM擴展；鍵盤；應(yīng)用設(shè)計 ATmega2560微

工業(yè)控制
2013-04-23

鍵盤應(yīng)用設(shè)計 ATMEGA2560 SRAM
基于SRAM的核心路由器交換矩陣輸入端口設(shè)計

摘要：交換矩陣是核心路由器的重要組成部分，為了避免來自不同輸入端口的信元同時發(fā)往同一個輸出端口，需要在輸入端口設(shè)置緩沖區(qū)，即輸入排隊交換結(jié)構(gòu)?；陟o態(tài)隨機存儲器完成了交換矩陣輸入端口虛擬輸出隊列(VOQ)的

通信技術(shù)
2013-04-22

端口矩陣核心路由器 SRAM
一種散列表的FPGA設(shè)計與實現(xiàn)

摘要：文章在簡要介紹散列表工作原理的基礎(chǔ)上，提出了一種分離鏈接散列表的FPGA實現(xiàn)方案，并對方案涉及的各功能模塊實現(xiàn)進行了詳細闡述。關(guān)鍵詞：散列表；FPGA；Wishbone總線；SRAM 0 引言在軟硬件開發(fā)過

電子設(shè)計自動化
2013-04-18

緩沖區(qū) FPGA設(shè)計 BSP SRAM
GlobalFoundries搞定20nm 3D硅穿孔工藝

GlobalFoundries今天宣布已經(jīng)達成了3D堆棧芯片歷程上里程碑式的關(guān)鍵一步，在位于美國紐約州的Fab 8新工廠內(nèi)成功獲得了第一塊結(jié)合了硅穿孔(TSV)技術(shù)的20nm工藝晶圓。硅穿孔(TSV)已經(jīng)提出了很多年，在半導(dǎo)體工

模擬
2013-04-03

芯片 VIA GLOBALFOUNDRIES SRAM
Osram Ostar Stage多芯片LED為舞臺聚光燈領(lǐng)域新增可調(diào)白光

歐司朗光電半導(dǎo)體最新推出 Osram Ostar Stage LED，照度高達4800 萬坎德拉/平方米（即 48 Mcd/m2），可調(diào)色調(diào)范圍涵蓋冷白到暖白。它采用極其纖薄的設(shè)計，結(jié)合蓋玻片表面覆蓋的防反射涂層，能夠形成極窄的光束，是緊

顯示光電
2013-04-03

芯片 LED OS SRAM
Xbox 720內(nèi)存架構(gòu)細節(jié)曝光：ESRAM帶寬102GB/s

之前我們已經(jīng)報道過Xbox 720(Durango)的CPU和GPU詳情，而現(xiàn)在我們又得到了這款新一代游戲主機內(nèi)存子系統(tǒng)的一些信息。Xbox 720內(nèi)存子系統(tǒng)的核心是北橋和GPU內(nèi)存。該內(nèi)存系統(tǒng)需要支持多個組件（比如CPU和

智能硬件
2013-03-20

內(nèi)存帶寬 XBOX SRAM
東芝打造新型智能機SRAM內(nèi)存，最多可省電85%

內(nèi)存仍然是目前智能手機身上的耗電大戶：內(nèi)存幾乎一直在使用中，而且即使在移動設(shè)備待機時也仍然要消耗電能。東芝最新研發(fā)的SRAM可以更好地預(yù)測內(nèi)存激活時需要的電量，并且加入一個更加智能的保持電路

智能硬件
2013-02-28

內(nèi)存智能機 SRAM 東芝
東芝為嵌入式SRAM開發(fā)低功耗技術(shù)

東芝為嵌入式SRAM開發(fā)低功耗技術(shù)

嵌入式動態(tài)
2013-02-23

低功耗嵌入式 SRAM 東芝
臺積電談基于FinFET的設(shè)計方法：鰭片高度偏差對SRAM影響輕微

在“ISSCC 2013”開幕當天即2月17日（美國時間）舉行的“Circuit Design using FinFETs”上，臺積電（TSMC）項目總監(jiān)、首席技術(shù)官許炳堅（Bing J. Sheu）發(fā)表演講，介紹了使用FinFET的標準單元、SRAM及模擬電路的設(shè)計

模擬
2013-02-20

臺積電電源電壓 FINFET SRAM
STM32別名區(qū)的理解

1. 什么是位段、位帶別名區(qū)?2. 它有什么好處?答1：是這樣的，記得MCS51嗎? MCS51就是有位操作，以一位(BIT)為數(shù)據(jù)對象的操作，MCS51可以簡單的將P1口的第2位獨立操作： P1.2=0;P1.2=1 ; 就是這樣把P1口的第三個腳(B

單片機
2013-02-19

STM32 GPIO ADDR SRAM
基于SRAM的核心路由器交換矩陣輸入端口設(shè)計

0引言隨著光纖通信技術(shù)的飛速發(fā)展，路由器的數(shù)據(jù)處理速度成為網(wǎng)絡(luò)通信的主要瓶頸，交換矩陣作為核心路由器的重要組成部分則嚴重制約了路由器的傳輸速率。目前核心路由器交換結(jié)構(gòu)使用較多的有共享內(nèi)存和Crossbar兩種。

電子設(shè)計自動化
2013-02-18

端口矩陣核心路由器 SRAM
LED專利布局戰(zhàn)：5大LED廠合織獨大專利網(wǎng)

臺灣工研院光電所經(jīng)理余昱辰今(29)日出席光電大未來研討會，他表示，全球5大廠Philips、Nichia、Osram、Toyoda Gosei、Cree等透過相互授權(quán)，形成獨大專利網(wǎng)，以達到主宰市場目的，進而控制產(chǎn)業(yè)鏈、供應(yīng)鏈、價值鏈，若

顯示光電
2013-02-01

Philips LED OS SRAM
LED引爆全球?qū)＠季?陸、韓廠崛起

日前，工研院電光所經(jīng)理余昱辰指出，全球5大廠Philips、Nichia、Osram、Toyoda Gosei、Cree等透過相互授權(quán)，形成LED龐大的專利網(wǎng)絡(luò)，以達到掌握市場生態(tài)鏈。值得注意的是，日本先前為全球LED專利最大創(chuàng)意國，但自200

顯示光電
2013-01-30

Philips LED OS SRAM
基于FPGA的SRAM自測試研究

引言　　SRAM有高速和不用刷新等優(yōu)點，被廣泛用于高性能的計算機系統(tǒng)。由于半導(dǎo)體工藝技術(shù)的提高以及存儲系統(tǒng)多方面的需要，存儲器件日益向高速、高集成方向發(fā)展，在使系統(tǒng)功能強大的同時，也增加了系統(tǒng)的復(fù)雜性

電子設(shè)計自動化
2013-01-15

FPGA 耦合 MARCH SRAM
ADI推出集成復(fù)雜波形生成功能的DAC

21ic訊 Analog Devices，Inc. (ADI)最近發(fā)布了四通道、12位/單通道、14位的180 MSPS波形發(fā)生器 AD9106/AD9102，均片內(nèi)集成靜態(tài)隨機存取存儲器 (SRAM) 和直接數(shù)字頻率合成器 (DDS)，用于復(fù)雜波形生成。ADI 最新的 D

模擬
2012-12-14

集成 DAC ADI SRAM
施耐德全新可編程自動化控制器采用賽普拉斯nvSRAM

日前，賽普拉斯半導(dǎo)體公司宣布施耐德電氣公司在其兩款全新可編程自動化控制器BMXCRA31210與BMXERT1604中設(shè)計采用了賽普拉斯的非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器(nvSRAM)。施耐德BMXCRA31210與BMXERT1604控制器均采用賽普拉

電子設(shè)計自動化
2012-12-12

控制器施耐德編程 SRAM
施耐德電氣全新可編程自動化控制器選用賽普拉斯1MB串行nvSRAM

賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布施耐德電氣公司在其兩款全新可編程自動化控制器中設(shè)計采用了賽普拉斯的非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器(nvSRAM)。施耐德BMXCRA31210與BMXERT1604控制器均采用賽普拉斯的CY14B101Q2 1MB nvSRA

廠商文章
2012-12-11

控制器編程施耐德電氣 SRAM
ST擴展32位單片機優(yōu)勢 STM32 F4陣容再添新軍

STM32 F427和F437兩大系列微控制器產(chǎn)品擴大了STM32 F4現(xiàn)有產(chǎn)品陣容，鞏固了意法半導(dǎo)體的產(chǎn)品性能在先進ARM® Cortex™-M4內(nèi)核微控制器市場的領(lǐng)先地位。這兩大系列基于目前性能最高的ARM內(nèi)核，為運行更多的應(yīng)

單片機
2012-11-28

STM32 32位單片機 CORTEX-M4 SRAM

首頁上一頁 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 下一頁尾頁

SRAM

東芝新款微控制器“TMPM36BF10FG”可提供片上SRAM

Osram計劃關(guān)閉Tangerang工廠

ATmega2560外部SRAM擴展鍵盤的應(yīng)用設(shè)計

基于SRAM的核心路由器交換矩陣輸入端口設(shè)計

一種散列表的FPGA設(shè)計與實現(xiàn)

GlobalFoundries搞定20nm 3D硅穿孔工藝

Osram Ostar Stage多芯片LED為舞臺聚光燈領(lǐng)域新增可調(diào)白光

Xbox 720內(nèi)存架構(gòu)細節(jié)曝光：ESRAM帶寬102GB/s

東芝打造新型智能機SRAM內(nèi)存，最多可省電85%

東芝為嵌入式SRAM開發(fā)低功耗技術(shù)

臺積電談基于FinFET的設(shè)計方法：鰭片高度偏差對SRAM影響輕微

STM32別名區(qū)的理解

基于SRAM的核心路由器交換矩陣輸入端口設(shè)計

LED專利布局戰(zhàn)：5大LED廠合織獨大專利網(wǎng)

LED引爆全球?qū)＠季?陸、韓廠崛起

基于FPGA的SRAM自測試研究

ADI推出集成復(fù)雜波形生成功能的DAC

施耐德全新可編程自動化控制器采用賽普拉斯nvSRAM

施耐德電氣全新可編程自動化控制器選用賽普拉斯1MB串行nvSRAM

ST擴展32位單片機優(yōu)勢 STM32 F4陣容再添新軍

相關(guān)標簽

關(guān)注此標簽的用戶(人)

熱門活動

課程視頻