SRAM

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靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（StaticRandom-AccessMemory，SRAM）是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失（被稱為volatilememory），這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。

SRAM在網(wǎng)絡(luò)中的應(yīng)用

SRAM在網(wǎng)絡(luò)中的應(yīng)用

嵌入式軟件
2010-09-18

SRAM DDR 計(jì)數(shù)器
基于FPGA的可重構(gòu)系統(tǒng)及其結(jié)構(gòu)分析

摘要　系統(tǒng)可重構(gòu)技術(shù)是滿足電子系統(tǒng)實(shí)時(shí)性和靈活性要求的先進(jìn)技術(shù)。通過(guò)對(duì)FPGA結(jié)構(gòu)和重構(gòu)方式的分析，說(shuō)明可重配置FPGA器件是可重構(gòu)系統(tǒng)的良好載體，并提出準(zhǔn)動(dòng)態(tài)重構(gòu)的概念。根據(jù)現(xiàn)有應(yīng)用，提出了基于FPGA的可重構(gòu)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-08-18

FPGA MPU FPGA器件 SRAM
基于FPGA的可重構(gòu)系統(tǒng)及其結(jié)構(gòu)分析

摘要　系統(tǒng)可重構(gòu)技術(shù)是滿足電子系統(tǒng)實(shí)時(shí)性和靈活性要求的先進(jìn)技術(shù)。通過(guò)對(duì)FPGA結(jié)構(gòu)和重構(gòu)方式的分析，說(shuō)明可重配置FPGA器件是可重構(gòu)系統(tǒng)的良好載體，并提出準(zhǔn)動(dòng)態(tài)重構(gòu)的概念。根據(jù)現(xiàn)有應(yīng)用，提出了基于FPGA的可重構(gòu)

數(shù)字電源
2010-08-16

FPGA MPU FPGA器件 SRAM
基于FPGA的可重構(gòu)系統(tǒng)及其結(jié)構(gòu)分析

基于FPGA的可重構(gòu)系統(tǒng)及其結(jié)構(gòu)分析

嵌入式軟件
2010-08-16

FPGA MPU FPGA器件 SRAM
SRAM特點(diǎn)及工作原理

SRAM是英文Static RAM的縮寫(xiě)，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù).　　基本簡(jiǎn)介　　SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一

智能硬件
2010-08-13

CPU 譯碼器存儲(chǔ)單元 SRAM
基于SRAM工藝FPGA的保密性問(wèn)題

在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級(jí)特性，而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對(duì)FPGA器件進(jìn)行重配置，這就使得可以通過(guò)監(jiān)視配置

通信技術(shù)
2010-08-12

FPGA 單片機(jī) OV SRAM
基于DSP與FPGA的全姿態(tài)指引儀的設(shè)計(jì)

　本文設(shè)計(jì)了基于DSP與FPGA的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，采用了軟硬件填充的圖形處理方法，先由DSP軟件完成圖形輪廓生成，然后FPGA硬件圖形處理器根據(jù)圖形輪廓完成耗時(shí)的圖形填充，使系統(tǒng)在實(shí)時(shí)性方面取得了很好的效果并使得系統(tǒng)運(yùn)算

數(shù)字電源
2010-07-10

DSP FPGA GREEN SRAM
基于DSP與FPGA的全姿態(tài)指引儀的設(shè)計(jì)

基于DSP與FPGA的全姿態(tài)指引儀的設(shè)計(jì)

嵌入式教程
2010-07-10

DSP FPGA GREEN SRAM
SoC用低電壓SRAM技術(shù)

東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，發(fā)布了采用09年開(kāi)始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術(shù)。該技術(shù)為主要用于便攜產(chǎn)品及消費(fèi)類產(chǎn)品的低功耗工藝技術(shù)。通過(guò)控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時(shí)變化，可抑制SRAM的最

模擬
2010-06-30

晶體管 SoC 低電壓 SRAM
32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM（賽普拉斯）

賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前推出32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM，開(kāi)創(chuàng)業(yè)界先河。新的SRAM器件在如此高的密度上，擁有非?？斓捻憫?yīng)時(shí)間和最小化的封裝尺寸。目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域包括存儲(chǔ)服務(wù)器、交換機(jī)和路由器、測(cè)試設(shè)備、高端安

智能硬件
2010-06-28

器件賽普拉斯異步 SRAM
Everspin將MRAM容量提升到16Mb陰霾開(kāi)始籠罩SRAM

EverspinMRAM的三大優(yōu)勢(shì)分別是：非易失能力(業(yè)內(nèi)最長(zhǎng)的壽命和數(shù)據(jù)保存時(shí)間)、超快的存取周期、無(wú)限次擦寫(xiě)。MR4A16B是一款3.3V、并行I/O非揮發(fā)RAM，其超快的存取周期僅為35ns，幾乎與SRAM同一級(jí)別，并允許無(wú)限制的讀/

模擬
2010-06-28

SPI EV RS SRAM
Everspin將MRAM容量提升到16Mb 陰霾開(kāi)始籠罩SRAM

Everspin MRAM的三大優(yōu)勢(shì)分別是：非易失能力(業(yè)內(nèi)最長(zhǎng)的壽命和數(shù)據(jù)保存時(shí)間)、超快的存取周期、無(wú)限次擦寫(xiě)。MR4A16B是一款3.3V、并行I/O非揮發(fā)RAM，其超快的存取周期僅為35ns，幾乎與SRAM同一級(jí)別，并允許無(wú)限制的讀

智能硬件
2010-06-28

SPI EV RS SRAM
瑞薩開(kāi)發(fā)出40nm高密度新型SRAM電路技術(shù)

瑞薩電子開(kāi)發(fā)出了一種新型SRAM電路技術(shù)，可克服因微細(xì)化而增加的CMOS元件特性不均現(xiàn)象，還能在維持速度的同時(shí)，以更小的面積實(shí)現(xiàn)合適的工作裕度。以上內(nèi)容是在半導(dǎo)體電路技術(shù)相關(guān)國(guó)際會(huì)議“2010 Symposium on VLSI C

智能硬件
2010-06-24

電路技術(shù) 控制電路電源控制 SRAM
華邦：NORFlash市場(chǎng)缺口達(dá)20%

華邦總經(jīng)理詹東義表示，NORFlash市場(chǎng)供不應(yīng)求的情況仍然嚴(yán)重，估計(jì)市場(chǎng)缺口約20%，第3季的NORFlash價(jià)格仍會(huì)持續(xù)調(diào)漲，甚至對(duì)于第4季營(yíng)運(yùn)都相當(dāng)樂(lè)觀，尤其是華邦在客戶策略上，逐漸集中在一線客戶之后，受到全球景氣波

模擬
2010-06-23

SDRAM OS NORFLASH SRAM
NOR Flash市場(chǎng)缺口達(dá)20%

華邦總經(jīng)理詹東義表示，NOR Flash市場(chǎng)供不應(yīng)求的情況仍然嚴(yán)重，估計(jì)市場(chǎng)缺口約20%，第3季的NOR Flash價(jià)格仍會(huì)持續(xù)調(diào)漲，甚至對(duì)于第4季營(yíng)運(yùn)都相當(dāng)樂(lè)觀，尤其是華邦在客戶策略上，逐漸集中在一線客戶之后，受到全球景氣

智能硬件
2010-06-23

Flash SDRAM MCP SRAM
32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM（賽普拉斯）

賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前推出32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM，開(kāi)創(chuàng)業(yè)界先河。新的SRAM器件在如此高的密度上，擁有非?？斓捻憫?yīng)時(shí)間和最小化的封裝尺寸。目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域包括存儲(chǔ)服務(wù)器、交換機(jī)和路由器、測(cè)試設(shè)備、高端安

智能硬件
2010-06-22

器件賽普拉斯異步 SRAM
東芝發(fā)布40nm工藝SoC用低電壓SRAM技術(shù)

東芝在“2010 Symposium on VLSI Technology”(2010年6月15～17日，美國(guó)夏威夷州檀香山)上，發(fā)布了采用09年開(kāi)始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術(shù)。該技術(shù)為主要用于便攜產(chǎn)品及消費(fèi)類產(chǎn)品的低功耗工藝技術(shù)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-06-22

東芝 SoC 低電壓 SRAM
以測(cè)試工序提高SRAM制造誤差容限，東京大學(xué)與STARC開(kāi)發(fā)

對(duì)晶體管制造誤差導(dǎo)致的SRAM工作不穩(wěn)定性，在芯片制造后的測(cè)試工序上加以改善的方法，由東京大學(xué)研究生院工學(xué)系研究科電氣系工學(xué)專業(yè)副教授竹內(nèi)健的研究小組與日本半導(dǎo)體理工學(xué)研究中心（STARC）聯(lián)手開(kāi)發(fā)成功。該項(xiàng)成

模擬
2010-06-22

晶體管 ST RC SRAM
東芝等開(kāi)發(fā)出三維FPGA，將SRAM層積在邏輯IC上使芯片面積減半

東芝在半導(dǎo)體制造技術(shù)相關(guān)國(guó)際會(huì)議“2010 Symposium on VLSI Technology”上宣布，其與日本CovalentMaterials、美國(guó)Tier Logic Inc.以及TeiTechnology共同在CMOS邏輯電路上以非晶硅TFT技術(shù)實(shí)現(xiàn)了SRAM的三維積層，即“

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2010-06-22

FPGA 芯片東芝 SRAM
22nm以后的有力候選：FD-SOI元件與FinFET接近實(shí)用化的不斷發(fā)布

22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行BulkMOSFET的微細(xì)化會(huì)越來(lái)越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術(shù)都不需要向通道中添加雜質(zhì)，易于控制特性的不均現(xiàn)象

模擬
2010-06-21

元件 RF FINFET SRAM

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SRAM

SRAM在網(wǎng)絡(luò)中的應(yīng)用

基于FPGA的可重構(gòu)系統(tǒng)及其結(jié)構(gòu)分析

基于FPGA的可重構(gòu)系統(tǒng)及其結(jié)構(gòu)分析

基于FPGA的可重構(gòu)系統(tǒng)及其結(jié)構(gòu)分析

SRAM特點(diǎn)及工作原理

基于SRAM工藝FPGA的保密性問(wèn)題

基于DSP與FPGA的全姿態(tài)指引儀的設(shè)計(jì)

基于DSP與FPGA的全姿態(tài)指引儀的設(shè)計(jì)

SoC用低電壓SRAM技術(shù)

32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM（賽普拉斯）

Everspin將MRAM容量提升到16Mb陰霾開(kāi)始籠罩SRAM

Everspin將MRAM容量提升到16Mb 陰霾開(kāi)始籠罩SRAM

瑞薩開(kāi)發(fā)出40nm高密度新型SRAM電路技術(shù)

華邦：NORFlash市場(chǎng)缺口達(dá)20%

NOR Flash市場(chǎng)缺口達(dá)20%

32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM（賽普拉斯）

東芝發(fā)布40nm工藝SoC用低電壓SRAM技術(shù)

以測(cè)試工序提高SRAM制造誤差容限，東京大學(xué)與STARC開(kāi)發(fā)

東芝等開(kāi)發(fā)出三維FPGA，將SRAM層積在邏輯IC上使芯片面積減半

22nm以后的有力候選：FD-SOI元件與FinFET接近實(shí)用化的不斷發(fā)布

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