SRAM

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靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（StaticRandom-AccessMemory，SRAM）是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失（被稱為volatilememory），這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。

65納米144-Mbit SRAM（賽普拉斯）

賽普拉斯半導(dǎo)體公司推出了業(yè)界首款單片具有144-Mbit密度的SRAM，該產(chǎn)品成為其65納米SRAM產(chǎn)品系列中的最新成員。新的144-Mbit QDRII, QDRII+, DDRII 和 DDRII+存儲(chǔ)器采用65納米工藝技術(shù)，由臺(tái)灣聯(lián)華電子（UMC）的芯片

智能硬件
2009-10-28

SRAM 賽普拉斯 DDR 器件
1-Mbit串行非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（賽普拉斯）

賽普拉斯半導(dǎo)體日前宣布推出一款1-Mbit串行非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（nvSRAM)系列，以及新的擁有集成實(shí)時(shí)時(shí)鐘（RTC）的4-Mbit 和 8-Mbit nvSRAM。賽普拉斯的nvSRAM是基于其S8™ 0.13-微米 SONOS（Silicon Ox

智能硬件
2009-10-26

存儲(chǔ)器 RTC SRAM 賽普拉斯
英特爾22納米制程技術(shù)最新動(dòng)態(tài)

2009年秋季英特爾信息技術(shù)峰會(huì)(Intel Developer Forum, IDF)于9月22日至24日在美國(guó)舊金山舉行。今天，英特爾總裁兼首席執(zhí)行官保羅•歐德寧(Paul Otellini)展示了世界上第一款基于22納米制程技術(shù)的芯片。英特爾繼

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2009-09-23

英特爾微米制程技術(shù) SRAM
LED巨頭掀起三大戰(zhàn)役產(chǎn)業(yè)格局愈戰(zhàn)愈明朗

全球LED產(chǎn)業(yè)格局為美國(guó)、亞洲、歐洲三足鼎立，世界主要廠商分布在美國(guó)、日韓、歐盟等地。他們擁有核心技術(shù)和專利，在GaN基藍(lán)光LED、白光LED等技術(shù)上處于領(lǐng)先地位。由此造成全球LED高端產(chǎn)品市場(chǎng)集中度較高，Cree、Phi

顯示光電
2009-09-14

LED NI OS SRAM
世界五大LED制造商技術(shù)優(yōu)勢(shì)及介紹

科銳（CREE）　　技術(shù)優(yōu)勢(shì) 1.SiC基Ⅲ族氮化物外延、芯片級(jí)封裝技術(shù)； 2.大功率芯片和封裝技術(shù)。旗艦產(chǎn)品 XLamp 2008-2009年企業(yè)狀況 2008年，Cree公司實(shí)現(xiàn)了年收入25%的增長(zhǎng)，達(dá)到4.93億美元，其中LED產(chǎn)品銷

顯示光電
2009-09-02

LED OS CREE SRAM
FM14C88 F-RAM并口儲(chǔ)存器（Ramtron）

Ramtron International Corporation推出并口F-RAM存儲(chǔ)器FM14C88，適合RAID(磁碟陣列)存儲(chǔ)服務(wù)器及主機(jī)總線適配卡 (HBA card) 等應(yīng)用。與nvSRAM相比，F(xiàn)M14C88的讀寫速度更快, 工作電壓更低。FM14C88 的容量為256Kb、工

智能硬件
2009-09-01

F-RAM FM RAMTRON SRAM
Actel：快閃PFGA的引領(lǐng)者

隨著創(chuàng)新能力在全球范圍內(nèi)不斷擴(kuò)展，市場(chǎng)呈現(xiàn)出“消費(fèi)化”趨勢(shì)：新產(chǎn)品的設(shè)計(jì)周期、市場(chǎng)壽命縮短，而對(duì)于產(chǎn)品的節(jié)能、效率、設(shè)計(jì)靈活性以及可靠性要求卻日益增加，相對(duì)于ASIC、ASSP，F(xiàn)PGA的上市時(shí)間、開(kāi)發(fā)成本、靈活

21ic專訪
2009-08-31

ACTEL 芯片 PROASIC3 SRAM
臺(tái)積電28納米SRAM良率突破

臺(tái)積電24日宣布率業(yè)界之先，不但達(dá)成28納米64Mb SRAM試產(chǎn)良率，而且分別在28納米高效能高介電層/金屬閘(簡(jiǎn)稱28HP)、低耗電高介電層/金屬閘(簡(jiǎn)稱28HPL)與低耗電氮氧化硅(簡(jiǎn)稱28LP)等28納米全系列工藝驗(yàn)證均完成相同的

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2009-08-26

金屬臺(tái)積電 HP SRAM
LED燈能源效率與省電燈泡相去不遠(yuǎn)

雖然大家都知道，LED燈僅會(huì)耗費(fèi)小部分的能量，就能產(chǎn)生與白熾燈泡同樣的光量，不過(guò)這只是我們所知的其中一小部分。有研究報(bào)告指出，其實(shí)LED燈與一般節(jié)能燈泡的能源效率相去不遠(yuǎn)，而且LED燈整體生產(chǎn)過(guò)程可能相當(dāng)耗能。

顯示光電
2009-08-07

西門子電燈泡 LED燈 SRAM
一種基于FPGA／DSP的靈巧干擾平臺(tái)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

引言目前，通信干擾的手段以信號(hào)大功率壓制為主，本質(zhì)上屬于物理層能量干擾，存在效費(fèi)比低，且容易暴露自身目標(biāo)等缺點(diǎn)，而且隨著新的功率控制和信號(hào)處理技術(shù)的應(yīng)用，通信大功率壓制干擾手段的應(yīng)用遇到了瓶頸。

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2009-08-06

DSP FPGA BSP SRAM
世界上首個(gè)22納米節(jié)點(diǎn)靜態(tài)存儲(chǔ)單元研制成功

美國(guó)IBM公司、AMD以及紐約州立大學(xué)Albany分校的納米科學(xué)與工程學(xué)院（CNSE）等機(jī)構(gòu)共同宣布，世界上首個(gè)22納米節(jié)點(diǎn)靜態(tài)存儲(chǔ)單元（SRAM）研制成功。這也是全世界首次宣布在300毫米研究設(shè)備環(huán)境下，制造出有效存儲(chǔ)單元。

智能硬件
2009-08-04

IBM 節(jié)點(diǎn) 存儲(chǔ)單元 SRAM
一種基于FPGA／DSP的靈巧干擾平臺(tái)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

引言目前，通信干擾的手段以信號(hào)大功率壓制為主，本質(zhì)上屬于物理層能量干擾，存在效費(fèi)比低，且容易暴露自身目標(biāo)等缺點(diǎn)，而且隨著新的功率控制和信號(hào)處理技術(shù)的應(yīng)用，通信大功率壓制干擾手段的應(yīng)用遇到了瓶頸。

數(shù)字電源
2009-08-04

DSP FPGA BSP SRAM

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65納米144-Mbit SRAM（賽普拉斯）

1-Mbit串行非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（賽普拉斯）

英特爾22納米制程技術(shù)最新動(dòng)態(tài)

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FM14C88 F-RAM并口儲(chǔ)存器（Ramtron）

Actel：快閃PFGA的引領(lǐng)者

臺(tái)積電28納米SRAM良率突破

LED燈能源效率與省電燈泡相去不遠(yuǎn)

一種基于FPGA／DSP的靈巧干擾平臺(tái)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

世界上首個(gè)22納米節(jié)點(diǎn)靜態(tài)存儲(chǔ)單元研制成功

一種基于FPGA／DSP的靈巧干擾平臺(tái)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

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