SRAM

采用1 MB片上SRAM的微控制器（瑞薩）

瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）推出總共八款SH7262和SH7264高性能32位微控制器新產(chǎn)品型號(hào)，這些集成了1M字節(jié)片上SRAM的器件適用于數(shù)字音頻和圖形儀表盤應(yīng)用。

使用新SRAM工藝實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)

基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲(chǔ)單元的靜態(tài)RAM存儲(chǔ)器塊一直是許多嵌入式設(shè)計(jì)中使用ASIC/SoC實(shí)現(xiàn)的開發(fā)人員所采用的利器，因?yàn)檫@種存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)非常適合主流的CMOS工藝流程，不需要增添任何額外的工藝步驟。

使用新SRAM工藝實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)

基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲(chǔ)單元的靜態(tài)RAM存儲(chǔ)器塊一直是許多嵌入式設(shè)計(jì)中使用ASIC/SoC實(shí)現(xiàn)的開發(fā)人員所采用的利器，因?yàn)檫@種存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)非常適合主流的CMOS工藝流程，不需要增添任何額外的工藝步驟。

DRAM價(jià)格跌破現(xiàn)金成本陷入無(wú)解習(xí)題

基于SRAM的可重配置電路

基于SRAM的可重配置PLD（可編程邏輯器件）的出現(xiàn)，為系統(tǒng)設(shè)計(jì)者動(dòng)態(tài)改變運(yùn)行電路中PLD的邏輯功能創(chuàng)造了條件。PLD使用SRAM單元來(lái)保存字的配置數(shù)據(jù)決定了PLD內(nèi)部互連和功能，改變這些數(shù)據(jù)，也就改變了器件的邏輯功能。

IT企業(yè)赴英參會(huì) 開展產(chǎn)業(yè)推介活動(dòng)

為開拓重慶市LED及電子通信產(chǎn)品的國(guó)際市場(chǎng)，市外經(jīng)委決定組織相關(guān)企業(yè)和部門赴英國(guó)參加“第五屆歐洲LED大會(huì)”，同時(shí)開展IT產(chǎn)業(yè)推介活動(dòng)。 據(jù)了解，歐洲LED大會(huì)是歐洲歷史上規(guī)模最大的LED相關(guān)產(chǎn)品的展會(huì)。2008年“第

基于SRAM的可重配置電路

基于SRAM的可重配置PLD（可編程邏輯器件）的出現(xiàn)，為系統(tǒng)設(shè)計(jì)者動(dòng)態(tài)改變運(yùn)行電路中PLD的邏輯功能創(chuàng)造了條件。PLD使用SRAM單元來(lái)保存字的配置數(shù)據(jù)決定了PLD內(nèi)部互連和功能，改變這些數(shù)據(jù)，也就改變了器件的邏輯功能。

全新低功耗SRAM產(chǎn)品（瑞薩）

瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布開發(fā)出目前市場(chǎng)上最高容量的64 Mb先進(jìn)低功耗SRAM（先進(jìn)LPSRAM） R1WV6416R系列，以及小尺寸的32 Mb先進(jìn)LPSRAM產(chǎn)品R1LV3216R系列。

基于SRAM和DRAM結(jié)構(gòu)的大容量FIFO的設(shè)計(jì)

分別基于Hynix公司的SRAM HY64UDl6322A和DRAM HY57V281620E，介紹了采用兩種不同的RAM結(jié)構(gòu)，通過(guò)CPLD來(lái)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)大容量FIFO的方法。

ATmegal28擴(kuò)展512KB掉電保護(hù)SRAM方案

介紹一種針對(duì)實(shí)時(shí)性要求較高且處理數(shù)據(jù)量較大的系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和研制方案。該方案采用高性能AVRATmegal28為其控制核心，實(shí)現(xiàn)訪問外擴(kuò)的512 KB SRAM中的數(shù)據(jù)，且在掉電時(shí)能保護(hù)外擴(kuò)SRAM中的數(shù)據(jù)。