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Cool-MOS的優(yōu)勢，你了解嗎？
你知道什么是Cool-MOS嗎?對于常規(guī)VDMOS 器件結(jié)構(gòu)， Rdson 與BV 這一對矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI 參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI 參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson 就大了。Rdson直接決定著MOS 單體的損耗大小。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和，這就是常規(guī)VDMOS的局限性。但是對于COOLMOS，這個矛盾就不那么明顯了。
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SJ-MOS與VDMOS動態(tài)性能比較
引言：為了打破傳統(tǒng)的VDMOS工藝MOS導(dǎo)通電阻與反向擊穿電壓之間制約，半導(dǎo)體物理學(xué)界提出的一種新型MOS結(jié)構(gòu)，稱為Super Junction MOS(以下簡稱SJ-MOS),其導(dǎo)通電阻與反向擊穿
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二極管電路中檢測浪涌電流思路指導(dǎo)
對于電路來說，浪涌電流是非常影響整體運行效率的一個問題。設(shè)計者們想方設(shè)法的對浪涌電流進行規(guī)避，因此各種各樣的測試方法應(yīng)運而生。在本文中，小編將為大家介紹一種二極
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基于Arrhenius模型快速評價功率VDMOS可靠性
0 引言 垂直導(dǎo)電雙擴散場（VDMOS）效應(yīng)晶體管是新一代集成化半導(dǎo)體電力器件的代表［1］。與功率晶體管相比，具有輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性高、開關(guān)速度快、驅(qū)動電流小、動態(tài)損耗小、失真小等優(yōu)點。因此VDMOS廣泛應(yīng)用在
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LAS6350與VDMOS組成升壓電路圖
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LAS6350與VDMOS組成升壓電路圖
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電動自行車控制器電路及原理分析
目前流行的電動自行車、電動摩托車大都使用直流電機，對直流電機調(diào)速的控制器有很多種類。電動車控制器核心是脈寬調(diào)制(PWM)器，而一款完善的控制器，還應(yīng)具有電瓶欠壓保護、電機過流保護、剎車斷電、電量顯示等功能
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大功率VDMOS(200V)的設(shè)計研究
功率MOS場效應(yīng)晶體管是新一代電力電子開關(guān)器件，在微電子工藝基礎(chǔ)上實現(xiàn)電力設(shè)備高功率大電流的要求。自從垂直導(dǎo)電雙擴散VDMOS(VerticalDou-ble-diff used Metal Oxide Semiconductor)新結(jié)構(gòu)誕生以來，電力MOSFET得到
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大功率VDMOS(200V)的設(shè)計研究
功率MOS場效應(yīng)晶體管是新一代電力電子開關(guān)器件，在微電子工藝基礎(chǔ)上實現(xiàn)電力設(shè)備高功率大電流的要求。自從垂直導(dǎo)電雙擴散VDMOS(VerticalDou-ble-diff used Metal Oxide Semiconductor)新結(jié)構(gòu)誕生以來，電力MOSFET得到
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大功率VDMOS(200 V)的設(shè)計研究
摘要：介紹了大功率VDMOS(200 V)的設(shè)計方法。對設(shè)計參數(shù)進行了理論分析，并使用仿真工具時設(shè)計參數(shù)進行了驗證和優(yōu)化。設(shè)計中主要考慮了漏源電壓和導(dǎo)通電阻等參數(shù)指標(biāo)，通過器件和工藝的仿真，確定了該器件合理的參數(shù)
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大功率VDMOS(200 V)的設(shè)計研究
摘要：介紹了大功率VDMOS(200 V)的設(shè)計方法。對設(shè)計參數(shù)進行了理論分析，并使用仿真工具時設(shè)計參數(shù)進行了驗證和優(yōu)化。設(shè)計中主要考慮了漏源電壓和導(dǎo)通電阻等參數(shù)指標(biāo)，通過器件和工藝的仿真，確定了該器件合理的參數(shù)
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功率直流無刷電機的控制器VDMOS正確使用
在電動自行車?yán)?，直流無刷電機的逆變器由六個功率VDMOS管和六個續(xù)流二極管組成，六個續(xù)流二極管分別寄生在這六個VDMOS管里，因而從控制器外面看只有六個VDMOS管。這六個VDMOS管通過大電流，它們的輸出直接是定子的繞
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一種200V/100A VDMOS 器件開發(fā)
摘 要：分析了功率MOSFET 最大額定電流與導(dǎo)通電阻的關(guān)系，討論了平面型中壓大電流VDMOS器件設(shè)計中導(dǎo)通電阻、面積和開關(guān)損耗的折衷考慮，提出了圓弧形溝道布局以增大溝道寬度，以及柵氧下部分非溝道區(qū)域采用局域氧
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一種200V/100A VDMOS 器件開發(fā)
摘 要：分析了功率MOSFET 最大額定電流與導(dǎo)通電阻的關(guān)系，討論了平面型中壓大電流VDMOS器件設(shè)計中導(dǎo)通電阻、面積和開關(guān)損耗的折衷考慮，提出了圓弧形溝道布局以增大溝道寬度，以及柵氧下部分非溝道區(qū)域采用局域氧
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東光微電子功成上市
11月18日，江蘇東光微電子成功登陸深交所，成為又一家成功上市的國內(nèi)半導(dǎo)體制造公司，發(fā)行約2700萬股，價格為每股32元，發(fā)行后總股本將達到1.07億股。本次IPO募集資金主要用于“半導(dǎo)體防護功率器件生產(chǎn)線項目、
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半導(dǎo)體領(lǐng)先企業(yè)東光微電登陸中小板
我國半導(dǎo)體的引領(lǐng)者東光微電18日登陸中小板，該股此次發(fā)行2700萬股，發(fā)行價為16元，募集資金為4.32億元，主要用于半導(dǎo)體防護功率器件生產(chǎn)線項目、新型功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線技改項目和半導(dǎo)體封裝生產(chǎn)線項目等三個項目
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高壓功率VDMOSFET的設(shè)計與研制
摘要：按照功率VDMOSFET正向設(shè)計的思路，選取(100)晶向的襯底硅片，采用多晶硅柵自對準(zhǔn)工藝，結(jié)合MEDICI器件仿真和SUPREM-4工藝仿真軟件，提取參數(shù)結(jié)果，并最終完成工藝產(chǎn)品試制，達到了500 V／8 A高壓、大電流VDMOS
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高壓功率VDMOSFET的設(shè)計與研制
摘要：按照功率VDMOSFET正向設(shè)計的思路，選取(100)晶向的襯底硅片，采用多晶硅柵自對準(zhǔn)工藝，結(jié)合MEDICI器件仿真和SUPREM-4工藝仿真軟件，提取參數(shù)結(jié)果，并最終完成工藝產(chǎn)品試制，達到了500 V／8 A高壓、大電流VDMOS
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電動自行車控制器電路及原理大全
目前流行的電動自行車、電動摩托車大都使用直流電機，對直流電機調(diào)速的控制器有很多種類。電動車控制器核心是脈寬調(diào)制(PWM)器，而一款完善的控制器，還應(yīng)具有電瓶欠壓保護、電機過流保護、剎車斷電、電量顯示等功能
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VDMOS器件損傷的DC／DC轉(zhuǎn)換器輻射預(yù)兆單元設(shè)計
航天用DC／DC轉(zhuǎn)換器工作在太空輻射環(huán)境下，輻射損傷是其主要失效機理。DC／DC轉(zhuǎn)換器的可靠性關(guān)系到整個航天器的可靠性，國內(nèi)外廣泛研究了DC／DC轉(zhuǎn)換器輻射損傷失效機理、失效模式和抗輻射篩選與加固措施。隨著
