Vishay
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Vishay發(fā)布針對高頻RF應(yīng)用的新款SMD MLCC
Vishay推出0505和1111外形尺寸的新系列高功率表面貼裝多層陶瓷片式電容器（MLCC）--- QUAD HIFREQ系列。該系列針對電信、醫(yī)療、軍工和工業(yè)設(shè)備里的RF應(yīng)用而設(shè)計，具有超過2
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Vishay的DCRF系列直接水冷繞線電阻榮獲《今日電子》雜志2018年度Top-10電源產(chǎn)品獎
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，Vishay MCB DCRF系列直接水冷繞線電阻被《今日電子》雜志和21IC評為第16屆年度Top-10電源產(chǎn)品獎。該系列器件榮獲最佳應(yīng)用獎，以表彰它們實現(xiàn)節(jié)省空間及進一步提高可靠性而設(shè)計，這與工業(yè)和電力傳輸及轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的傳統(tǒng)繞線電阻相比有了巨大進步。Vishay的產(chǎn)品已連續(xù)九年獲此殊榮。
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Vishay全推出四款全新100 V和120 V TMBS Trench MOS整流器，降低功率損耗并提高效率
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出四款全新100 V和120 V TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器---V30100CI、V30120CI、V40100CI和V40120CI，比前幾代產(chǎn)品的正向電壓降低20 mV。Vishay General Semiconductors V30100CI、V30120CI、V40100CI和V40120CI采用TO-220AB封裝提供了30 A至40 A的電流額定值。
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Vishay將參加2018 SPCD國際研討會，將展示最新無源器件和發(fā)表液鉭電容器技術(shù)
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，將在10月9日至12日在荷蘭諾德韋克舉行的2018年航空無源器件展(SPCD)國際研討會上發(fā)表關(guān)于液鉭電容器的技術(shù)論文。
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TTI Asia為工程師介紹Vishay適用于各類需求及多樣化應(yīng)用環(huán)境中的極致電阻
2014年6月 – TTI, Inc., 全球領(lǐng)先的被動元件、連接器、機電組件和分立器件的專業(yè)代理商，在亞洲市場為工程師介紹適用于各類需求和多樣化應(yīng)用環(huán)境中Vishay廣泛的極致電
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Vishay為MC AT薄膜電阻增加了新的外形尺寸和精度版本
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用0402、0603、0805和1206外形尺寸的電阻器件，擴充了MC AT系列專用薄膜貼片式電阻。此外，該系列中具有更
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混合電容器的恒壓（CV）脈沖充電
總述 可充電儲能電容器由于其靈活性、低維護要求和總成本較低而受到市場矚目。對于緊湊型應(yīng)用，傳統(tǒng)電解電容器是有益于環(huán)保的可選方案，并提供寬額定電壓范圍。但在輸出要
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采用 SMP 封裝的 Vishay 新型 TVS 器件
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代碼：VSH）推出一款用于其整流器和暫態(tài)電壓抑制器 (TVS) 產(chǎn)品的新型封裝，該封裝的底面積比 SMA 封裝小 44%，但卻提供與之相同的額定電流及功率。 這種新型 SMP 封裝
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Vishay全新直接水冷繞線電阻系列可節(jié)省空間并提高可靠性
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出了全新的直接水冷繞線電阻系列，可提供9000W的超高功率消耗，并且?guī)缀鯖]有外部輻射。Vishay MCB DCRF 系列器件提供從38 mm×178 mm至38 mm×410 mm的六種緊湊尺寸，相較標準繞線電阻該系列是專門為節(jié)省空間和提高可靠性而設(shè)計的。
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Vishay全新直接水冷繞線電阻系列可節(jié)省空間并提高可靠性
日前，Vishay推出了全新的直接水冷繞線電阻系列--- DCRF，可提供9000W的超高功率消耗，并且?guī)缀鯖]有外部輻射。Vishay MCB DCRF 系列器件提供從38 mm×178 mm至38 mm×410 mm的六種緊湊尺寸，相較標準繞線電阻該系列是專門為節(jié)省空間和提高可靠性而設(shè)計的。
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Vishay推出新款大電流平面阻流電感---IPLA 32
IPLA 32高度可定制，針對汽車和嵌入式大電流，大功率DC/DC轉(zhuǎn)換器
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Vishay新款高速PIN光電二極管進一步提升可見光靈敏度，為可穿戴設(shè)備實現(xiàn)超薄傳感器設(shè)計
賓夕法尼亞、MALVERN — 2018年5月21日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出了新的光電子產(chǎn)品系列，發(fā)布了一款全新的可見光敏感度增強型高速硅PIN光電二極管---VEMD8080。Vishay的新型號VEMD8080采用矩形4.8 mm×2.5 mm頂視表面貼合封裝，并采用業(yè)界領(lǐng)先的0.48mm輕薄斷面，比同類解決方案低0.37 mm。Vishay半導(dǎo)體VEMD8080具有快速開關(guān)時間和47 pF的低電容值，可用于在可穿戴設(shè)備和醫(yī)療應(yīng)用中需求的精確信號檢測。
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Vishay發(fā)布通過AEC-Q101認證的新款高壓晶閘管和二極管
賓夕法尼亞、MALVERN — 2018年5月17日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出37顆用于汽車的新款高壓晶閘管和二極管。這些Vishay Semiconductors公司的器件通過AEC-Q101認證，重復(fù)性電壓從600V到1600V，電流范圍寬，有3種封裝可供選擇。
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Vishay發(fā)布新的SensorXplorerTM初學(xué)者套件
賓夕法尼亞、MALVERN — 2018年5月2日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，發(fā)布新的演示套件，可以讓使用者測試驅(qū)動Vishay的環(huán)境光、接近光、UVA光和RGBW顏色傳感器方案。新的SensorXplorerTM提供一個USB轉(zhuǎn)I2C的接口、3.3V穩(wěn)壓器、用于讀數(shù)和在PC上顯示傳感器數(shù)據(jù)的GPIO，可幫助設(shè)計者掌握在Vishay傳感器演示板上Vishay傳感器的各種特性。
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Vishay新一代微型紅外接收器具有更高的靈敏度、噪聲抑制能力和脈寬準確度
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出用于紅外遙控器的新一代微型紅外(IR)接收器模塊。Vishay Semiconductors TSOP11xxx、TSOP12xxx、TSOP13xxx、TSOP14xxx和TSOP18xxx系列器件提高了黑暗環(huán)境和嘲雜環(huán)境下對紅外信號的靈敏度，還具有更好的抑制射頻噪聲的能力。
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Vishay新款集成功率光敏可控硅性能達到600V/μs dv/dt，且可降低成本并節(jié)省空間
賓夕法尼亞、MALVERN — 2018 年 1 月30 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，新推出電流達1A的集成式功率光敏可控硅---VO2223B，可直接驅(qū)動中功率的交流負載。Vishay Semiconductors VO2223B的dv/dt性能達到600V/μs，具有很高的穩(wěn)定性和噪聲隔離功能，可用于家用電器和工業(yè)設(shè)備。
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Vishay新款UVC發(fā)光二極管采用陶瓷/石英 基材，具有超長使用壽命
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的陶瓷/石英基材的UVC(短波紫外線)發(fā)光二極管---VLMU60CL..-280-125，用于殺菌、環(huán)境衛(wèi)生和凈化。Vishay Semiconductors VLMU60CL..-280-125的使用壽命極長，采用6mm x 6mm x 1.6mm表面貼裝封裝，可替換水銀UVC燈。
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Vishay新款25V N溝道功率MOSFET有效提升電源效率和功率密度
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的25V N溝道TrenchFET® Gen IV功率MOSFET---SiRA20DP，這顆器件在10V的最大導(dǎo)通電阻為業(yè)內(nèi)最低，僅有0.58mΩ。V
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Vishay新款高功率薄膜片式電阻可替換較大的器件或多個相同尺寸電阻來降低成本并節(jié)省空間
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出0402、0603和0805外形尺寸的新系列汽車級薄膜片式電阻---MCS 0402 HP、MCT 0603 HP和MCU 0805 HP，這些電阻具有業(yè)內(nèi)最高的額定功率耗散。Vishay Beyschlag MC HP系列器件可用于汽車、工業(yè)和可再生能源應(yīng)用中的電子產(chǎn)品，工作溫度可達+175℃，在額定耗散下工作1000小時后的負載壽命漂移小于0.2%。
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Vishay新款25V N溝道功率MOSFET有效提升電源效率和功率密度
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新的25V N溝道TrenchFET® Gen IV功率MOSFET---SiRA20DP，這顆器件在10V的最大導(dǎo)通電阻為業(yè)內(nèi)最低，僅有0.58mΩ。Vishay SiliconixSiRA20DP具有最低的柵極電荷，導(dǎo)通電阻還不到0.6mΩ，使柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積優(yōu)值系數(shù)(FOM)也達到最低，可使各種應(yīng)用提高效率和功率密度。
