Vishay

Vishay推出高效80 V MOSFET，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積即優(yōu)值系數(shù)達(dá)到同類產(chǎn)品最佳水平

器件采用PowerPAK? SO-8單體封裝，導(dǎo)通電阻降至2.35 mΩ，柵極電荷為55 nC，COSS為614 pF。

Vishay新型超薄SMP封裝TMBS?整流器提高功率密度和能效

2 A和3 A器件反向電壓從45 V到200 V，正向壓降低至0.36 V

Vishay新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET

為節(jié)省PCB空間，減少元件數(shù)量并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，該器件采用優(yōu)化封裝結(jié)構(gòu)，兩個(gè)單片集成TrenchFET® 第四代n溝道MOSFET采用共漏極配置。SiSF20DN源極觸點(diǎn)并排排列，加大連接提高PCB接觸面積，與傳統(tǒng)雙封裝型器件相比進(jìn)一步減小電阻率。這種設(shè)計(jì)使MOSFET適合用于24 V系統(tǒng)和工業(yè)應(yīng)用雙向開(kāi)關(guān)

Vishay推出采用小型5x5 PowerPAK封裝的新款同步降壓穩(wěn)壓器具有高效率、高功率密度和優(yōu)異的熱設(shè)計(jì)等優(yōu)點(diǎn)

通用器件輸入電壓范圍寬達(dá)4.5V至60V，內(nèi)部補(bǔ)償功能減少外部元器件

Vishay推出新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET，提高功率密度和效率

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用小型熱增強(qiáng)型PowerPAK? 1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。

Vishay推出采用小型5x5 PowerPAK封裝的新款同步降壓穩(wěn)壓器具有高效率、高功率密度和優(yōu)異的熱設(shè)計(jì)等優(yōu)點(diǎn)

通用器件輸入電壓范圍寬達(dá)4.5V至60V，內(nèi)部補(bǔ)償功能減少外部元器件。

Vishay全新高速紅外發(fā)射器

與全向發(fā)光的標(biāo)準(zhǔn)紅外發(fā)射器不同，SurfLight VSMY5850X01、VSMY5890X01和VSMY5940X01幾乎所有光和功率都從芯片頂部發(fā)出。由于大部分光集中于表面，因此紅外發(fā)射器輻照強(qiáng)度可達(dá)13 mW/sr，適用于接近傳感器、光開(kāi)關(guān)和小型光障。

Vishay FRED Pt®超快恢復(fù)整流器問(wèn)市

日前發(fā)布的器件采用體積更小的 MicroSMP 封裝，典型額定電流與 SMA 封裝相當(dāng)，具有更高功率密度，PCB 占用空間節(jié)省 57%。VS-1EQH02HM3和VS-2EQH02HM3采用非對(duì)稱設(shè)計(jì)，大面積金屬墊片有利于散熱，熱性能極為出色，F(xiàn)RED Pt 技術(shù)實(shí)現(xiàn) 13ns 超快恢復(fù)時(shí)間，Qrr 降至 11nC，在-55 °C至+175 °C整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)具有軟恢復(fù)功能。

Vishay推出的新型高可靠性、高分辨率位置傳感器適用于機(jī)器人及其他精密工業(yè)

器件尺寸60 mm，精度大于13位，分辨率達(dá)19位，重復(fù)精度大于16位。

Vishay推出采用MicroSMP封裝的新款超快恢復(fù)整流器，具有更高功率密度和更高效率

節(jié)省空間的200 V器件額定電流高達(dá)2 A，采用2.5 mm x 1.3 mm緊湊型封裝，高度僅為0.65 mm。

Vishay發(fā)布的透射式光傳感器

目前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出2顆通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的透射式光傳感器---TCUT1630X01和TCUT1800X01，可用于汽車和工業(yè)領(lǐng)域。Vishay Semiconductors TCUT1630X01和TCUT1800X01采用小尺寸5.5mm x 5.85mm x 7mm封裝，分別是業(yè)內(nèi)首款3通道和4通道的透射式傳感器。

Vishay推出新款汽車檢流電阻

器件額定功率高達(dá)2W和3W 阻值范圍5 m?至500 m?

最新技術(shù)助電池RTC性能得到質(zhì)的飛越

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款WSBS8518...34和WSBS8518...35 Power Metal Strip®電池分流器，采用固體金屬鎳鉻合金電阻層，接頭采用校準(zhǔn)槽和“升壓”設(shè)計(jì)，改進(jìn)TCR性能(低至± 10 ppm/°C)，提高工作溫度范圍內(nèi)的精度。

金屬箔電阻-不可不知的精密電阻

介紹了精密金屬箔電阻的特性和優(yōu)勢(shì)

Vishay推出新系列自調(diào)節(jié)PTC熱敏電阻

Vishay屏蔽式SMT繞線電感額定值從1μH至1000μH

Vishay推出推出兩款采用緊湊型DIP-6和SMD-6封裝的光可控硅輸出光耦

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款全新系列采用緊湊型DIP-6和SMD-6封裝的光可控硅輸出光耦，進(jìn)一步擴(kuò)展其光電產(chǎn)品組合。Vishay Semiconductors VOT8025A和VOT8125A斷態(tài)電壓高達(dá)800 V，dV/dt為1000 V/μs，具有高穩(wěn)定性和噪聲隔離能力，適用于家用電器和工業(yè)設(shè)備。

Vishay推出新款5050外形尺寸汽車級(jí)IHLP 電感器，工作溫度可達(dá)+155 °C

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新型5050外形尺寸器件擴(kuò)展其汽車級(jí)IHLP® 薄形、大電流電感器--- IHLP-5050EZ-5A。Vishay Dale IHLP-5050EZ-5A電感器可在 +155°C高溫條件下連續(xù)工作，高度僅為5mm，節(jié)省汽車發(fā)動(dòng)機(jī)艙的占用空間。

Vishay推出超快整流器和軟恢復(fù)二極管

　　 　　日前， Intertechnology, Inc.宣布，推出19款采用、、、TO-262、和改進(jìn)型封裝的汽車級(jí) Pt和HEX極快和超快和軟恢復(fù)。新器件具有極快恢復(fù)和軟恢復(fù)特性，以及低正向

Vishay推出新款通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的30 V和40 V P溝道MOSFET，有效提高板級(jí)可靠性

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款30 V和40 V汽車級(jí)p溝道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ407EP和SQJ409EP，采用鷗翼引線結(jié)構(gòu)PowerPAK® SO-8L封裝，有效提升板級(jí)可靠性。