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[導(dǎo)讀]行業(yè)新聞早知道,點(diǎn)贊關(guān)注不迷路!11月25日消息,據(jù)B站UP@IBM中國(guó)發(fā)布的視頻來(lái)看,IBM已經(jīng)創(chuàng)造出世界上第一個(gè)2nm節(jié)點(diǎn)芯片,該芯片最小元件比DNA單鏈還小,并且是全球晶體管數(shù)量最多的芯片,相當(dāng)于整個(gè)世界樹(shù)木的10倍,而且其性能相比當(dāng)前的7nm芯片提高了足足45%,如果將能...

行業(yè)新聞早知道,點(diǎn)贊關(guān)注不迷路!11月25日消息,據(jù)B站UP@IBM中國(guó)發(fā)布的視頻來(lái)看,IBM已經(jīng)創(chuàng)造出世界上第一個(gè)2nm節(jié)點(diǎn)芯片,該芯片最小元件比DNA單鏈還小,并且是全球晶體管數(shù)量最多的芯片,相當(dāng)于整個(gè)世界樹(shù)木的10倍,而且其性能相比當(dāng)前的7nm芯片提高了足足45%,如果將能耗比視為首位,其功耗也做到了比7nm芯片減少了75%。(截圖源自B站UP@IBM中國(guó))芯片可容納500億晶體管



據(jù)悉,該芯片是在IBM研究院在其紐約州奧爾巴尼半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)和生產(chǎn),根據(jù)IBM公布的芯片數(shù)據(jù)信息顯示,該2nm芯片可容納500億個(gè)2nm晶體管,這意味著在每平方毫米芯片上集成3.33億個(gè)晶體管。與之相比,目前臺(tái)積電的5nm芯片制程約有1.71億個(gè)晶體管,而三星5nm制程每平方毫米約有1.27億個(gè)晶體管。這使得該芯片在計(jì)算速度方面翻了將近一倍。IBM此次研發(fā)出來(lái)的芯片納米技術(shù)對(duì)半導(dǎo)體進(jìn)行了更高級(jí)的擴(kuò)展,這種架構(gòu)是業(yè)界首創(chuàng)。IBM通過(guò)增加每個(gè)芯片上的晶體管數(shù)量可以讓芯片變得更小、更快、更可靠、更高效。2 nm芯片制程工藝設(shè)計(jì)的成功,意味著在IBM在宣布 5 納米設(shè)計(jì)研發(fā)成功之后,僅用了不到四年時(shí)間就再次實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破。在IBM這次研發(fā)的2nm芯片里,IBM用上了一個(gè)被稱(chēng)為3D納米片堆疊的晶體管技術(shù)nanosheet stacked transistor),它將NMOS晶體管堆疊在PMOS晶體管的頂部,而不是正常晶體管那樣并排放置,利用類(lèi)似電子開(kāi)關(guān)形成二進(jìn)制數(shù)字1和0的變化。后者盡管有更快、更省電的作用,其最大的缺點(diǎn)是電子泄漏,而IBM的2nm芯片已經(jīng)克服了這個(gè)問(wèn)題。與此同時(shí),該芯片還使用了底部電介質(zhì)隔離(bottom dielectric isolation)技術(shù)、內(nèi)部空間干燥工藝(inner space dry process)技術(shù)、2nm EUV技術(shù)等,將有效改善原有晶體管技術(shù)存在的一些問(wèn)題。國(guó)際芯片制程工藝進(jìn)展緩慢



一直以來(lái),隨著現(xiàn)在芯片制程工藝逐漸逼近物理極限,網(wǎng)上正不斷傳出“摩爾定律將死”的傳聞,這或許與如今芯片制程進(jìn)度緩慢有關(guān)。目前,全球范圍內(nèi),有能力突破芯片10nm及以下先進(jìn)制程技術(shù)的芯片廠商僅僅只有臺(tái)積電。三星兩家,但是近日也有消息稱(chēng)這兩家廠商最新的3nm芯片制程工藝遇到了瓶頸,或許無(wú)法如期進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn)階段。此前,國(guó)際知名移動(dòng)芯片廠商高通將旗下的驍龍888芯片交由三星使用其5nm芯片制程工藝代工,但其表現(xiàn)卻很讓人失望,在性能方面,高通驍龍888芯片采用的A78架構(gòu)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于華為采用的過(guò)時(shí)架構(gòu)A77,但在性能方面卻未能明顯超越華為,并且在功耗方面甚至不如對(duì)方,驍龍888的能耗比華為麒麟9000低了有40%,從此,高通的驍龍888芯片也就有了個(gè)別名——“火龍”,對(duì)此,人們普遍認(rèn)為問(wèn)題出在了三星的5nm制程工藝上。而目前在芯片制程工藝上居于首位的臺(tái)積電也陷入了困境之中,在今年1月份的時(shí)候,臺(tái)積電決定將公司今年的資本支出增加到220億美元,全面?zhèn)鋺?zhàn)全新3nm芯片制程工藝,加緊在該工藝方面的進(jìn)度。據(jù)悉,臺(tái)積電的3nm芯片制程工藝不僅晶體管密度提升了70%,性能提升了15%,而且功耗更低。并且,蘋(píng)果作為臺(tái)積電的首要客戶(hù),早就預(yù)先承包了臺(tái)積電3nm制程的初期產(chǎn)能。按理來(lái)說(shuō),在技術(shù)領(lǐng)先、產(chǎn)能、和訂單數(shù)量又很充足的情況下,臺(tái)積電本該迎來(lái)營(yíng)收高峰,但是,臺(tái)積電的關(guān)鍵技術(shù)3nm芯片制程工藝在研發(fā)和量產(chǎn)方面卻出現(xiàn)了問(wèn)題。為了穩(wěn)妥起見(jiàn),臺(tái)積電的3nm芯片制程工藝使用的是保守的FinFET技術(shù),但即便如此,臺(tái)積電對(duì)于3nm制程的開(kāi)發(fā)依然不是很順利,據(jù)悉,為了開(kāi)發(fā)3nm工藝,臺(tái)積電已經(jīng)投入了2萬(wàn)億新臺(tái)幣(折合人民幣4620億元)。臺(tái)積電本原本預(yù)定能在2021年第四季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)3nm,但現(xiàn)在臺(tái)積電又改口說(shuō)將在2022年下半年進(jìn)行量產(chǎn),至于以后是否還會(huì)繼續(xù)改口,就不得為知了。隨著芯片制程工藝越來(lái)越接近摩爾定律的物理極限,其開(kāi)發(fā)難度也越來(lái)越大,即使是在芯片制程工藝上深耕了如此長(zhǎng)時(shí)間的臺(tái)積電和三星依舊陷入了困境,人類(lèi)想要繼續(xù)維持摩爾定律向前發(fā)展,任重而道遠(yuǎn)。結(jié)語(yǔ)



雖然現(xiàn)在的半導(dǎo)體領(lǐng)域似乎陷入了困境,先進(jìn)制程頻頻出現(xiàn)問(wèn)題,但如今IBM已經(jīng)成功研發(fā)出來(lái)了2nm芯片制程工藝,這將為全球的半導(dǎo)體領(lǐng)域注入新的活力,并促進(jìn)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展,或?qū)⒔o臺(tái)積電與三星帶來(lái)新的思路。END




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