UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo收購(gòu)）為功率設(shè)計(jì)擴(kuò)展高性能且高效的750V SiC FET產(chǎn)品組合

中國(guó)北京 – 2022 年 8 月 4 日–移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo®, Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布推出 HYPERLINK7款采用表貼D2PAK-7L封裝的750V碳化硅(SiC)FET。憑借該封裝方案，Qorvo 的 SiC FET 針對(duì)快速增長(zhǎng)的車(chē)載充電器、軟開(kāi)關(guān) DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）和 IT/服務(wù)器電源應(yīng)用實(shí)現(xiàn)量身定制。它們采用熱性能增強(qiáng)型封裝，為需求最大效率、低傳導(dǎo)損失和高性?xún)r(jià)比的高功耗應(yīng)用提供理想解決方案。

在 650/750V 狀態(tài)下，第四代UJ4C/SC系列的 RDS(on) 為 9 毫歐姆 (mohm)，實(shí)現(xiàn)行業(yè)低水平，該系列的額定電阻為 9、11、18、23、33、44 和 60 豪歐姆。該廣泛選擇為工程師提供更多器件選項(xiàng)，支持更大的靈活性，以實(shí)現(xiàn)理想成本/效率平衡，同時(shí)維持豐富的設(shè)計(jì)裕量和電路穩(wěn)健性。這些器件利用獨(dú)到的共源共柵 SiC FET 技術(shù)，其中，處于常開(kāi)狀態(tài)的 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝，產(chǎn)生處于常閉狀態(tài)的 SiC FET，這些器件提供出色的 RDS x A 品質(zhì)因數(shù)，能夠最大限度減少小尺寸裸片中的傳導(dǎo)損失。

UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo收購(gòu)）總工程師 Anup Bhalla 表示：“D2PAK-7L 封裝可減少緊湊內(nèi)部連接回路中的電感，再加上附帶的開(kāi)爾文源連接，能夠?qū)崿F(xiàn)低開(kāi)關(guān)損耗，支持更高的工作頻率，并提高系統(tǒng)功率密度。此外，這些器件采用銀燒結(jié)芯片貼裝，通過(guò)液體冷卻最大限度排出標(biāo)準(zhǔn) PCB 和 IMS 基板上的熱量，因此熱阻非常低。”

采用 D2PAK-7L 封裝系列的全新 750V 第四代 SiC FET 售價(jià)（1000 件起，美國(guó)離岸價(jià)）為 3.50 美元 (UJ4C075060B7S) 至 18.92 美元 (UJ4SC075009B7S)。所有器件均通過(guò)授權(quán)經(jīng)銷(xiāo)商銷(xiāo)售。