功率氮化鎵 (GaN) 器件是功率設(shè)計(jì)人員工具箱中令人興奮的補(bǔ)充。特別是在希望探索 GaN 更高的開關(guān)頻率如何導(dǎo)致更高的效率和更高的功率密度的情況下尤其如此。RF GaN 是一項(xiàng)成熟的技術(shù)，可用于蜂窩基站和多個(gè)軍事/航空航天系統(tǒng)的功率放大器的大批量生產(chǎn)，因?yàn)樗哂袃?yōu)于硅的優(yōu)勢(shì)。
電感是電導(dǎo)體的特性，它阻止流過它的電流發(fā)生變化。它被定義為感應(yīng)電壓與產(chǎn)生感應(yīng)電壓的電流變化率之比，以亨利 (H) 為單位。RF 電感器的電感額定值通常在大約 0.5 納亨 (nH) 或更低到數(shù)百 nH 的范圍內(nèi)。正如下面關(guān)于 RF 電感器結(jié)構(gòu)選擇的部分所述，電感取決于結(jié)構(gòu)、磁芯尺寸、磁芯材料和線圈匝數(shù)。電感器可提供固定或可變電感值。
在電磁干擾(EMI) 強(qiáng)化放大器誕生之前，像我們這樣的系統(tǒng)設(shè)計(jì)師只能實(shí)施自己的濾波方案。其中一些方案奏效了，而另一些則沒有成功，讓我們頭疼不已。
如果我們正在設(shè)計(jì)汽車?yán)走_(dá)，甚至是商業(yè)或軍用雷達(dá)系統(tǒng)，我們都會(huì)受到物理學(xué)的約束。我想改變這一點(diǎn)，但我在大學(xué)里的許多老教授都說“有些規(guī)則可以改變，有些自然法則是不可動(dòng)搖的”。無(wú)線電傳輸中的路徑損耗就是其中之一。因此，如果我們想讓雷達(dá)看得更遠(yuǎn)，就需要提高系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)范圍。
這有點(diǎn)像灰姑娘或丑小鴨的童話故事：多年來，各種類型、大小和速度的處理器都是一般媒體關(guān)注的迷人主題以及主要的研發(fā)投資。與此同時(shí)，功率器件——主要是基于硅的 MOSFET 和 IGBT——顯然被低估了，并且作為本應(yīng)乏味的功率利基市場(chǎng)的一部分在背景中萎靡不振。
在半導(dǎo)體外延材料制造過程中，會(huì)產(chǎn)生位錯(cuò)，即材料中的缺陷。半導(dǎo)體中的缺陷越多，可以在晶片上生產(chǎn)的可用器件就越少，這會(huì)增加成本。此外，不良的材料界面會(huì)導(dǎo)致更高的器件通道電阻，從而導(dǎo)致更多的能量在運(yùn)行過程中被浪費(fèi)，從而降低芯片的能效。
GaN 半導(dǎo)體是未來節(jié)能電動(dòng)汽車和 5G 網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵組成部分?？偛课挥谌鸬渎〉碌某鮿?chuàng)公司 Hexagem 正在瑞典研究機(jī)構(gòu)RISE 測(cè)試平臺(tái) ProNano開發(fā)一種解決方案，旨在為更大的電氣化和可持續(xù)的未來做出貢獻(xiàn)。
當(dāng)今市場(chǎng)需要具有先進(jìn)功能和日益緊湊尺寸的電子設(shè)備。小型化趨勢(shì)使設(shè)計(jì)人員面臨艱巨的挑戰(zhàn)，這首先與所需組件的集成密度不斷提高以及不可避免的過熱問題有關(guān)。 在本文中，我們將了解 Carbice 公司開發(fā)的基于碳納米管的方法如何能夠創(chuàng)建一個(gè)有效的冷卻系統(tǒng)，該系統(tǒng)將液體和固體熱界面材料 (TIM) 的特性結(jié)合在一個(gè)單一的解決方案。
電力電子仍然主要基于標(biāo)準(zhǔn)硅器件。雖然三電平和其他硅電路拓?fù)湔诔霈F(xiàn)以提高效率，但新的碳化硅 (SiC) 設(shè)計(jì)正在出現(xiàn)，以滿足電動(dòng)汽車不斷增長(zhǎng)的高功率要求。
隨著更新的集成電路(IC) 技術(shù)采用更小的幾何尺寸和更低的工作電壓，新一代便攜式產(chǎn)品對(duì)靜電放電 (ESD)電壓的損壞越來越敏感。因此，手機(jī)、MP3播放器和數(shù)碼相機(jī)等便攜式產(chǎn)品的設(shè)計(jì)人員必須評(píng)估 ESD 保護(hù)選項(xiàng)，以確保他們選擇的解決方案能夠響應(yīng)當(dāng)今 IC 不斷變化的需求。本文將解釋選擇有效 ESD 保護(hù)所涉及的關(guān)鍵步驟。
對(duì)于我們看到的所有新的、創(chuàng)新的組件類型，有趣的是，我們經(jīng)常使用的哪些“新”設(shè)備實(shí)際上是電氣設(shè)計(jì)早期經(jīng)典的更新版本。當(dāng)然還有變壓器，還有機(jī)電繼電器，甚至氣體放電管 (GDT) 仍然非?；钴S。
靜電可能是導(dǎo)致模擬和數(shù)字電路無(wú)法使用的因素之一。當(dāng)不同的材料相互摩擦導(dǎo)致電荷在物體表面積聚時(shí)，通常會(huì)發(fā)生靜電。當(dāng)它向物體放電時(shí)，這稱為靜電放電 (ESD)。
測(cè)試串?dāng)_時(shí)基本組件或階段的簡(jiǎn)單框圖。首先，對(duì)通道 1 上的干擾音應(yīng)用一個(gè)濾波器，并測(cè)量作為參考捕獲的輸入。該濾波器確保來自信號(hào)發(fā)生器的所有其他噪聲和諧波被衰減到足以不破壞施加的故意干擾信號(hào)。
在使用高速轉(zhuǎn)換器和多個(gè)轉(zhuǎn)換器通道的雷達(dá)、衛(wèi)星以及測(cè)試和測(cè)量應(yīng)用中，隔離或串?dāng)_可能是一種錯(cuò)誤的衡量標(biāo)準(zhǔn)。在不考慮通道串?dāng)_的情況下，在頻譜中丟失相關(guān)信息的可能性可能會(huì)對(duì)系統(tǒng)造成破壞，因?yàn)樵诟信d趣的應(yīng)用頻帶中可能會(huì)出現(xiàn)雜散或噪聲。
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