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功率器件

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  • 原創(chuàng)

    GaN HEMT：一些器件特性和應(yīng)用權(quán)衡，第一部分

    GaN HEMT 器件處于創(chuàng)造新機會以及在廣泛的功率轉(zhuǎn)換和功率傳輸應(yīng)用中取代現(xiàn)有的硅基設(shè)計的最前沿。在本文中，我們將回顧一些更廣泛使用的 HEMT 的一些關(guān)鍵器件特性，并嘗試強調(diào)每個方面的一些權(quán)衡。

  • 原創(chuàng)

    EMI 噪聲，用于抑制 EMI 的組件

    電磁干擾 (EMI) - 由源、路徑和受害者組成 - 是電氣和電子系統(tǒng)中的一個問題。一些系統(tǒng)會發(fā)出噪音，而另一些則容易受到噪音的影響，還有一些系統(tǒng)會發(fā)出噪音并受到噪音的影響。然而，可以通過幾家值得信賴的供應(yīng)商輕松獲得可用于在幾乎任何應(yīng)用中有效過濾 EMI 的各種組件。

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    2022-09-13
  • 原創(chuàng)

    EMI 噪聲，箱級 EMI噪聲抑制

    到目前為止，我們已經(jīng)討論了滿足 EMC 標(biāo)準(zhǔn)所必需的板級 EMI 抑制解決方案。然而，對于封閉系統(tǒng)不能免疫甚至發(fā)射 EMI 的應(yīng)用，它們可能還不夠。此類應(yīng)用(包括醫(yī)療、航天、航空航天和其他關(guān)鍵任務(wù)系統(tǒng))需要盒級 EMI 濾波。

    電源
    2022-09-13
  • 原創(chuàng)

    EMI 噪聲，惡劣環(huán)境下的 EMI 抑制

    在惡劣環(huán)境應(yīng)用中使用的組件通常會承受過大的機械應(yīng)力、極熱或極冷的溫度、增加的靜電放電潛力和/或高水平的輻射。因此，這些組件采用能夠處理高溫變化的材料制造，并具有機械堅固的結(jié)構(gòu)。例如，陶瓷 NP0/C0G 等電介質(zhì)能夠處理高達(dá) 150 o C 的溫度而電容沒有變化，但缺乏制造高電容器件所需的高介電常數(shù)。由于這一限制，已開發(fā)出具有更高常數(shù)的電介質(zhì)，如 X8R，以將典型 X7R 電介質(zhì)的溫度范圍擴展到其通常的溫度范圍之外125 oC 極限。

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    2022-09-13
  • 原創(chuàng)

    AmberSemi 實現(xiàn)電力的固態(tài)數(shù)字控制

    Amber Solutions 已更名為 Amber Semiconductor (AmberSemi)，立即生效。遷移至 AmberSemi 反映了該公司更清楚地展示其關(guān)鍵技術(shù)功能的意圖，其中包括將其專利的突破性技術(shù)產(chǎn)品化，用于將能量的交流直接數(shù)字控制轉(zhuǎn)化為硅芯片。這一成就為主要的半導(dǎo)體和電氣產(chǎn)品公司 徹底改革全球電網(wǎng)和實現(xiàn)電氣產(chǎn)品現(xiàn)代化鋪平了道路 。

  • 原創(chuàng)

    通過并聯(lián) SiC MOSFET 獲得更多功率

    開關(guān)、電阻器和MOSFET的并聯(lián)連接的目的是劃分所涉及的功率并創(chuàng)建可以承受更大功率的設(shè)備。它們可以并聯(lián)以增加輸出電流的容量。因為它們不受熱影響不穩(wěn)定性，并聯(lián)連接通常比其他更過時的組件更簡單，更不重要。碳化硅MOSFET也可以與其他同類器件并聯(lián)使用。多個單元之間的簡單并聯(lián)在正常條件下工作良好，但在與溫度、電流和工作頻率相關(guān)的異常事件中，操作條件可能變得至關(guān)重要。因此，必須采取一定的預(yù)防措施來創(chuàng)建防故障電路，以便它們能夠充分利用功率器件并聯(lián)所提供的優(yōu)勢。

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    2022-09-07
  • 原創(chuàng)

    用于下一代射頻應(yīng)用的氮化鎵 (GaN) 概述

    近二十年來，氮化鎵 (GaN) 半導(dǎo)體技術(shù)已被曝光，預(yù)示著射頻功率能力的范式轉(zhuǎn)變。盡管所有這些承諾尚未兌現(xiàn)，但 GaN 器件已穩(wěn)步進入許多射頻、微波、毫米波 (mmWave)，甚至現(xiàn)在甚至是太赫茲波 (THz) 應(yīng)用。

  • 原創(chuàng)

    FinFETs + FD-SOI 方案：可以更節(jié)省電力

    俄勒岡州波特蘭市——按照我們許多人認(rèn)為的典型的非黑即白/非此即彼的方式，大多數(shù)半導(dǎo)體制造商做出的選擇是 FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)或 FD-SOI(完全耗盡的絕緣體上硅)。然而，由于臺積電 (TSMC)、GlobalFoundries Inc. (加利福尼亞州圣克拉拉市) 和三星 (韓國首爾) 等代工廠必須為其客戶提供這兩種能力，因此越來越多的半導(dǎo)體制造商正在考慮提供兩全其美。

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    2022-09-06
  • 原創(chuàng)

    寬帶隙材料滿足 EV 功率和效率要求

    碳化硅和氮化鎵技術(shù)在過去幾年中取得了巨大的發(fā)展，被證明是商業(yè)上可用的節(jié)能技術(shù)。來自領(lǐng)先半導(dǎo)體公司、大學(xué)和機構(gòu)的講師解釋了寬帶隙半導(dǎo)體如何實現(xiàn)清潔能源制造、高科技、創(chuàng)造就業(yè)和節(jié)能。

  • 原創(chuàng)

    我們的設(shè)計中噪音克星是什么樣的？

    對于大多數(shù)電子電路的設(shè)計人員來說，噪聲是一個無所不在的挑戰(zhàn)，對模擬電路來說尤其如此。當(dāng)然，我們可以從相反的角度看待它并提出相反的觀點：沒有噪音，許多設(shè)計將更容易實現(xiàn)，并且需要更少的經(jīng)驗豐富、熟練的工程師(所以也許工程師應(yīng)該停止抱怨它?)。

  • 原創(chuàng)

    匹配和調(diào)諧音頻放大器輸出穩(wěn)定性和聲音性能，第一部分

    音頻放大器產(chǎn)品在產(chǎn)品外觀、風(fēng)格、系統(tǒng)控制和音質(zhì)方面越來越先進。經(jīng)驗豐富的電子工程師在他們的音頻放大器設(shè)計中使用了不同類型的電路。

  • 原創(chuàng)

    匹配和調(diào)諧音頻放大器輸出穩(wěn)定性和聲音性能，第二部分

    雙射極跟隨器或達(dá)林頓對通常具有高電流增益系數(shù)。電流增益系數(shù)應(yīng)與負(fù)側(cè)和正側(cè)的電流放大相匹配，以增加輸出級的穩(wěn)定性。 對于并聯(lián)晶體管配置，請確保中等功率晶體管處于驅(qū)動能力。中功率晶體管的輸出電流必須大于大功率晶體管的最小驅(qū)動電流，以防止中功率晶體管級過載。

  • 原創(chuàng)

    用于高效電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的小型化電流感應(yīng)

    電力電子的未來需要現(xiàn)代能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的發(fā)展，以使其比之前的系統(tǒng)更高效、更便宜、更小。這種系統(tǒng)需要精確的電流測量。開環(huán)霍爾效應(yīng)傳感器通常用于此目的：導(dǎo)體產(chǎn)生與電流相當(dāng)?shù)拇艌?，然后由磁芯集中并由霍爾傳感器測量。 最近推出的定制 ASIC 解決方案有助于提高測量精度。ASIC 技術(shù)的發(fā)展為開發(fā)與閉環(huán)技術(shù)性能相匹配的開環(huán)霍爾效應(yīng)傳感器鋪平了道路。

  • 原創(chuàng)

    安全和精確電流感應(yīng)的傳感器選擇

    電流測量是電力電子的一個組成部分。電源設(shè)計人員、電池管理系統(tǒng)和電動驅(qū)動器通常需要準(zhǔn)確測量電流。電流傳感器(不要與電流互感器混淆)可以測量直流和交流。電流傳感器通?；陂]環(huán)霍爾效應(yīng)或閉環(huán)磁通門技術(shù)。通常，無論電源電壓如何，電源要求都低于 30 mA。電流隔離是驅(qū)動電流傳感器選擇的關(guān)鍵特性。電流傳感器的初級和次級電路通過磁鐵彼此電氣隔離。這允許較高的初級電位 (480 V)，而次級是較低的控制電壓 (±15 V 或 5 V)。

  • 原創(chuàng)

    運算放大器線性化衰減器控制響應(yīng)

    功放芯片就好像是多媒體播放設(shè)備的“心臟”，是為播放設(shè)備提供動力的部件，也是關(guān)系到音質(zhì)的重要環(huán)節(jié)之一，其重要性自然不言而喻。于是有許多音頻功放芯片的初學(xué)者就會好奇，要怎么才能選到合適的芯片呢?常用的音頻功放芯片有哪些?下面是工采網(wǎng)搜集了幾款最常用的音頻功放芯片，以及功率放大集成電路介紹希望對大家的音頻電路設(shè)計有幫助。