校準(zhǔn)值可以通過讀取已知參考值然后找出要使用的校正因子(二進(jìn)制因數(shù))來計(jì)算。對(duì)于給出的示例，理想情況和最壞情況 ADC 值之間的差異永遠(yuǎn)不會(huì)超過 1.2%，因此從原始值的二分之一或四分之一開始是沒有意義的。測(cè)試和使用的唯一值是 1/128、1/256 和 1/512。你想從接近你期望看到的價(jià)值開始。
許多微控制器都包含片上 ADC。典型器件包括 Microchip PIC167C7xx 系列和 Atmel AT90S4434。大多數(shù)微控制器 ADC 都是逐次逼近的，因?yàn)檫@可以在速度和微控制器芯片上的空間成本之間進(jìn)行最佳權(quán)衡。
ADC 比較，顯示了可用于 sigma-delta、逐次逼近和閃存轉(zhuǎn)換器的分辨率范圍。還顯示了每種類型的最大轉(zhuǎn)換速度。如我們所見，可用的 sigma-delta ADC 的速度達(dá)到了逐次逼近型 ADC 的范圍，但甚至不如最慢的閃存 ADC 快。表格沒有顯示的是速度和準(zhǔn)確性之間的權(quán)衡。例如，雖然我們可以獲得范圍從 8 位到 16 位的逐次逼近型 ADC，但我們不會(huì)發(fā)現(xiàn) 16 位版本在給定的器件系列中是最快的。最快的閃存 ADC 不會(huì)是 12 位部分，而是 6 位或 8 位部分。
將模擬輸入帶入微處理器的常用方法是使用模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC)。以下是選擇此類零件并對(duì)其進(jìn)行校準(zhǔn)以滿足您的需求的一些提示。
在要求不高的應(yīng)用中，選擇電容器的一個(gè)關(guān)鍵因素可能很簡(jiǎn)單，即確保電容器的工作電壓至少與電路的工作電壓一樣高，然后選擇合適的電容值。選擇連接方法(徑向引線、軸向引線或表面貼裝)并執(zhí)行任何與尺寸有關(guān)的優(yōu)化。可能會(huì)考慮溫度和電壓特性(TCC 和 VCC)，但對(duì)于大多數(shù)商品應(yīng)用來說，這些通常不是重要因素。
當(dāng)我與一些知識(shí)淵博的鎖相環(huán) (PLL) 設(shè)計(jì)師合作時(shí)，我了解到了這一點(diǎn)。他們告訴我，除了 C0G 或 X7R 電容器之外的任何東西都會(huì)有問題。這個(gè)“問題”是，除了用于制造 C0G 電容器的電介質(zhì)之外，任何電介質(zhì)都使用天然壓電材料，并且在變形時(shí)會(huì)導(dǎo)致電壓在部件上產(chǎn)生。我認(rèn)為 PLL 設(shè)計(jì)人員首先發(fā)現(xiàn)這個(gè)問題是在設(shè)計(jì)顯示冷卻風(fēng)扇旋轉(zhuǎn)頻率處的射頻邊帶時(shí)。風(fēng)扇使 PCB 振動(dòng)，這種振動(dòng)導(dǎo)致相關(guān)電容器產(chǎn)生足夠的壓電電壓來調(diào)制 PLL 的振蕩器調(diào)諧線，從而產(chǎn)生邊帶。將電容器更改為 C0G 類型使問題消失。
與開關(guān)一樣，繼電器也有多種形式，包括通用型、電源型、簧片型以及接觸器，它們旨在處理非常高的電流和電壓以及固態(tài)設(shè)備。
開關(guān)和繼電器制造商正在提供更多選項(xiàng)，以幫助設(shè)計(jì)人員為其應(yīng)用選擇合適的器件。 開關(guān)和繼電器市場(chǎng)的最大趨勢(shì)之一是需要更多選項(xiàng)來幫助設(shè)計(jì)人員為其應(yīng)用選擇最佳開關(guān)器件。其他更大的要求是更長(zhǎng)的使用壽命、更小的封裝和更大的堅(jiān)固性。
鉭電容器為高密度、高性能電子電路的設(shè)計(jì)人員提供了性能穩(wěn)定的可靠高電容解決方案。鉭電容器歷來深受設(shè)計(jì)工程師的喜愛，廣泛用于大容量?jī)?chǔ)能、濾波和去耦等應(yīng)用。鉭電容器技術(shù)的進(jìn)步包括聚合物陰極系統(tǒng)的成熟，這帶來了更低的有效串聯(lián)電阻 (ESR)、封裝密度的顯著提高以及有效串聯(lián)電感 (ESL) 的降低。在這里，我們將研究這些發(fā)展對(duì)績(jī)效的影響。
從本質(zhì)上講，大多數(shù)直流電流檢測(cè)電路都是從電源線中的電阻開始的(盡管磁場(chǎng)檢測(cè)是一個(gè)很好的替代方案，尤其是在更高電流的情況下)。一個(gè)簡(jiǎn)單的測(cè)量電阻兩端的電壓降并根據(jù)需要對(duì)其進(jìn)行縮放以讀取電流(E = I × R(如果我不包括這個(gè)，有人會(huì)抱怨))。如果檢測(cè)電阻器位于接地端，則解決方案是一個(gè)簡(jiǎn)單的運(yùn)算放大器電路。一切都以接地為參考，您只需注意接地布局中的小電壓降。
我們可以根據(jù)可用數(shù)據(jù)為 X7R 電容器建立比較圖表。顯示了 DC 偏置、溫度和時(shí)間老化對(duì)現(xiàn)代應(yīng)用可能選擇的兩個(gè)電容器的累積影響。
當(dāng)陶瓷電容器變壞時(shí)——老化。 電容器老化適用于所有 2 類陶瓷電容器，因?yàn)樗鼈冇设F電材料制成。C0G 類型(1 類)不會(huì)表現(xiàn)出這種老化效應(yīng)，但是，它們是由非鐵電介電材料制成的。
鑒于現(xiàn)在可用的 MOSFET 可供選擇的范圍很廣，并且分配給主板電源的空間越來越小，使用可靠、一致的方法來選擇正確的 MOSFET 變得越來越重要。這種方法可以加快開發(fā)周期，同時(shí)優(yōu)化特定應(yīng)用的設(shè)計(jì)。
GaN晶體管是新功率應(yīng)用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運(yùn)行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項(xiàng)目。在本教程中，我們將使用 GaN Systems 的 GaN GS61008T 進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。
隨著為個(gè)人計(jì)算機(jī) (PC) 應(yīng)用中的核心 DC-DC 轉(zhuǎn)換器開發(fā)的同步降壓轉(zhuǎn)換器的開關(guān)頻率向 1MHz-2MHz 范圍移動(dòng)，MOSFET 損耗變得更高。由于大多數(shù) CPU 需要更高的電流和更低的電壓，這一事實(shí)變得更加復(fù)雜。當(dāng)我們添加其他控制損耗機(jī)制的參數(shù)(如電源輸入電壓和柵極驅(qū)動(dòng)電壓)時(shí)，我們需要處理更復(fù)雜的現(xiàn)象。但這還不是全部，我們還有可能導(dǎo)致?lián)p耗顯著惡化并因此降低功率轉(zhuǎn)換效率 (ξ) 的次要影響。
includebrf
單曲循環(huán)lk
18713271819cxy
rainbow9527
王洪陽(yáng)
yifeidengdai
yangjie123456
zrddyhm
xyhaliyou
bestec0311
GUXIUQI
liqundianzi
enyvking
13827430715
Powerxys
gaojian19961214
W1320736
adaminjie
SIASGUOJIe
bulusii
風(fēng)凌天
簡(jiǎn)直celia
965626362
魁北克之眼
w541164212
fundwy2
漂流大帥哥
changtingyimeng
DYQ26
劉劍君
本站介紹 歡迎投稿 隱私聲明 廣告業(yè)務(wù) 網(wǎng)站地圖 聯(lián)系我們 誠(chéng)聘英才
21IC電子網(wǎng) 2000- 版權(quán)所有
