本文分析了表面貼裝 (SMD) 封裝中的硅 MOSFET在熱性能方面與底部冷卻封裝相比在熱性能方面的效率，從而降低了熱阻和工作溫度。它將展示如何降低結(jié)溫有助于提高功率效率，因?yàn)橹饕?MOSFET 參數(shù)會(huì)因溫度變化(如 RDS (on)和 Vth 電平)而發(fā)生更平滑的變化，以及降低總導(dǎo)通和開關(guān)損耗。
電動(dòng)汽車的概念對(duì)今天的消費(fèi)者來說并不陌生。近兩個(gè)世紀(jì)以來，電動(dòng)汽車以多種形式存在。然而，在過去的幾十年里，隨著技術(shù)的進(jìn)步和特斯拉等公司的成功——隨著我們努力應(yīng)對(duì)氣候變化、空氣污染和化石燃料供應(yīng)不斷減少的影響——越來越多的消費(fèi)者開始考慮電動(dòng)汽車比以往任何時(shí)候都。
盡管寬禁帶器件近年來已經(jīng)開始進(jìn)入商業(yè)市場(chǎng)，但其封裝設(shè)計(jì)尚未成熟，尤其是在高溫高壓應(yīng)用方面。在本文中，將介紹為此目的而制造的 5 kV 雙面冷卻 GaN 功率模塊(作為由高級(jí)研究計(jì)劃署 - 能源資助的研究的一部分)。
隨著半導(dǎo)體行業(yè)的最新進(jìn)展，對(duì)具有金屬源極和漏極觸點(diǎn)的肖特基勢(shì)壘 (SB) MOSFET 的研究正在興起。在 SB MOSFET 中，源極和漏極構(gòu)成硅化物，而不是傳統(tǒng)的雜質(zhì)摻雜硅。SB MOSFET 的一個(gè)顯著特征是一個(gè)特殊的二極管，如在 I d -V ds特性的三極管操作期間指數(shù)電流增加。當(dāng)在邏輯電路中應(yīng)用此類器件時(shí)，小偏置電壓極不可能發(fā)生，就會(huì)發(fā)生這種情況。
電力電子涉及從電氣化到智能電網(wǎng)的一系列關(guān)鍵應(yīng)用。是整個(gè)行業(yè)應(yīng)對(duì)氣候變化需求的根本支柱 2022年的PowerUP博覽會(huì)在6月28日至30日舉行。技術(shù)會(huì)議將包括幾個(gè)特定主題的主題演講、小組討論、技術(shù)演示和關(guān)于主要技術(shù)趨勢(shì)、市場(chǎng)需求和新的應(yīng)用領(lǐng)域的教程。除了會(huì)議之外，還將有一個(gè)展廳，擁有來自主要電力電子公司的虛擬展位，以及一個(gè)聊天工具，讓參觀者可以直接與彼此、與主持人以及展覽公司建立聯(lián)系。
小尺寸面板主要包括手機(jī)觸摸屏、平板觸摸屏、數(shù)碼相機(jī)觸摸屏。這些面板和主板之間最常見的數(shù)據(jù)連接接口是MIPI(移動(dòng)工業(yè)處理器接口)。通過加入 TVS 保護(hù)方案，提高 ESD 和 EOS 耐受水平，可以大大降低電子產(chǎn)品在日常生活中受到干擾甚至破壞的機(jī)會(huì)，從而延長產(chǎn)品的使用壽命，降低返修率，允許消費(fèi)者對(duì)產(chǎn)品的信任度更高，品牌美譽(yù)度也隨之提高。
在與電子儀器相關(guān)的行業(yè)中，與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體相比，寬帶隙半導(dǎo)體的創(chuàng)新已被證明是有利可圖和有效的。碳化硅 (SiC)寬帶隙半導(dǎo)體是最先進(jìn)的半導(dǎo)體之一，具有顯著的相關(guān)性。這些半導(dǎo)體在各種參數(shù)(如高溫、頻率、電壓等)方面表現(xiàn)相當(dāng)出色。
毫米波技術(shù)領(lǐng)域的不斷進(jìn)步因其波長減小和頻帶寬而對(duì)無線通信系統(tǒng)做出了貢獻(xiàn)。這使制造商能夠設(shè)計(jì)更小但性能更高的組件。氮化鎵已證明自己在該領(lǐng)域是一種很有前途的半導(dǎo)體，其目標(biāo)應(yīng)用包括高功率放大器、寬帶放大器和5G無線網(wǎng)絡(luò)。
半導(dǎo)體材料具有與絕緣體和導(dǎo)體相同的導(dǎo)電特性。它們可以由純?cè)?如硅或鍺)組成，也可以由兩種元素(如砷化鎵或硒化鎘)混合而成。半導(dǎo)體材料可以通過在純半導(dǎo)體中添加雜質(zhì)來摻雜，從而改變它們的導(dǎo)電性能。
在本文中，我們將重點(diǎn)介紹老化測(cè)試如何幫助評(píng)估碳化硅 MOSFET 在晶圓級(jí)的柵極閾值電壓的穩(wěn)定性。眾所周知，關(guān)于 SiC 功率器件可靠性的一個(gè)主要問題是器件工作期間閾值電壓 (V TH ) 的變化。
無線充電技術(shù)的范圍從感應(yīng)、磁共振和電容到射頻輻射、激光、聲學(xué)和其他新興技術(shù)。電感耦合技術(shù)是領(lǐng)跑者1;因此，其相關(guān)的Qi 標(biāo)準(zhǔn)在無線充電中最為流行。 感應(yīng)充電根據(jù)法拉第定律工作，其中功率發(fā)射器 (PTx) 線圈中的交流電會(huì)產(chǎn)生交變磁場(chǎng)。然后，該磁場(chǎng)與功率接收器 (PRx) 線圈相互耦合，并轉(zhuǎn)換回交流電流，為連接在接收器側(cè)的直流負(fù)載進(jìn)行整流。
今天，新的功率開關(guān)技術(shù)被廣泛采用在高功率密度、高開關(guān)頻率、小外形因素是關(guān)鍵要求的要求應(yīng)用中。這些新的開關(guān)設(shè)備產(chǎn)生不同的三個(gè)關(guān)鍵應(yīng)用是
許多模擬系統(tǒng)必須以出色的保真度或低失真適應(yīng)非常大范圍的信號(hào)幅度。同時(shí)，一些信號(hào)鏈組件被過大的信號(hào)損壞。一個(gè)示例是模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC) 輸入。對(duì)于像ADC16DV160這樣的高性能 ADC ，其中一個(gè) Vin 引腳上的絕對(duì)最大輸入電壓為 2.35-V。
最流行的 e-mode HEMT 結(jié)構(gòu)是在柵極上使用 p-GaN 層。實(shí)現(xiàn)的典型 Vt 在 1-2 V 范圍內(nèi)。HEMT 在開關(guān)應(yīng)用中的固有優(yōu)勢(shì)得以保留，并且開關(guān)損耗可以更低。e-mode 器件的主要缺點(diǎn)之一是其低 Vt，這可能導(dǎo)致柵極對(duì)噪聲和 dV/dt 瞬態(tài)的抗擾度較差。出于可靠性原因，最大柵極電壓通常限制為 6-7 V，并且可能需要負(fù)電壓來關(guān)閉器件。
氮化鎵 (GaN) 功率器件在幾個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)上都優(yōu)于硅 (Si)。具有低本征載流子濃度的寬帶隙允許更高的臨界電場(chǎng)，從而允許在更高的擊穿電壓下具有降低的特定導(dǎo)通電阻 (Rds on ) 的更薄的漂移層。導(dǎo)通損耗可以通過較低的 Rdson 降低，而動(dòng)態(tài)損耗可以通過GaN可能的更小的裸片尺寸來降低. 當(dāng)它與鋁基異質(zhì)結(jié)構(gòu)結(jié)合時(shí)形成二維電子氣 (2DEG) 的能力導(dǎo)致了備受青睞的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 功率器件。
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