碳化硅 (SiC) FET 開始在 PWM(脈沖寬度調(diào)制)和 SMPS(開關模式電源)系統(tǒng)的固有效率已經(jīng)成為優(yōu)勢的市場中獲得關注。這項新技術的一些主要參與者展示了比之前的 IGBT 和傳統(tǒng) MOSFET 設計效率更高的電源系統(tǒng)。在夏威夷這樣的地方,電費可能超過 0.35 美元/千瓦時,這一點變得很重要。在歐洲和亞洲也有類似的高電力成本需要處理。對于生活在電網(wǎng)之外的人來說,這也很重要。
您是數(shù)字隔離世界的新手嗎?也許你是一個經(jīng)驗豐富的老手?無論您的專業(yè)水平如何,我們都可以每隔這么多時鐘周期使用一次刷新。數(shù)字隔離主題是一個非常受歡迎的領域,有很多有趣的方面。如果以開放格式保留以供消費,僅基礎知識就可能使您頭暈目眩。在 TI,我們冒昧地將基礎知識以易于理解的格式進行了闡述,并隨后在此基礎上進行了深入研究,深入探討了更高級的主題。
我敢肯定,我們都至少失去了一塊心愛的電路板,因為工程師的最愛——ESD。因意外 ESD 撞擊而損壞的電子元件和電路板每年會造成數(shù)百萬美元的損失。作為工程師,我們應該采取一切預防措施來防止或盡量減少因 ESD 事件造成的損害。考慮到當今環(huán)境中存在如此多的變量,創(chuàng)建穩(wěn)健的 ESD 設計似乎是一項艱巨的任務。然而,我們可以做很多簡單的事情來將風險降到最低。在深入探討 ESD 安全的“注意事項”之前,讓我們看看是否可以揭開 ESD 測試相關術語的神秘面紗。
整流二極管的反向恢復時間是我們過去可以忽略的一個參數(shù)。當輸入的交流電源為 60 Hz 且電流消耗為幾安培時,微秒的反向恢復時間并不重要。現(xiàn)在,我們有了開關模式電源。開關頻率在數(shù)百 kHz 到數(shù) MHz 之間,電流消耗為數(shù)十或數(shù)百安培。在這種情況下,如果我們忽略此規(guī)范,后果自負。
UnitedSiC(現(xiàn)為 Qorvo)發(fā)布了其下一代 1200-V SiC FET 系列,聲稱其導通電阻具有行業(yè)領先的品質(zhì)因數(shù)。新型 UF4C/SC 系列?1200-V 第 4 代 SiC FET 針對電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽能逆變器以及焊機、不間斷電源中的主流 800-V 總線架構用品和感應加熱應用。
在PCIM Europe上,電力電子制造商展示了他們在寬帶隙 (WBG) 技術方面的最新創(chuàng)新和進步。硅功率器件制造商也實現(xiàn)了性能改進。盡管硅在電力電子市場占據(jù)主導地位,但 WBG 半導體正在各種應用中取得巨大進展,包括數(shù)據(jù)中心、工業(yè)控制、汽車和電動汽車。特別是氮化鎵 (GaN) 等 WBG 半導體在快速充電器設計方面取得了長足進步,而碳化硅 (SiC) 預計將在 800 伏 (V) 電動汽車中出現(xiàn)巨大需求。
電子產(chǎn)品上可以采用許多傳輸視頻數(shù)據(jù)的端口,如顯示端口、CVBS、HDMI等,其中HDMI接口應用最為廣泛。筆記本電腦、電視機和機頂盒(STB)上的HDMI接口都可以觀察到。
這有點像灰姑娘或丑小鴨的童話故事:多年來,各種類型、大小和速度的處理器都是一般媒體關注的迷人主題以及主要的研發(fā)投資。與此同時,功率器件——主要是基于硅的 MOSFET 和 IGBT——顯然被低估了,并且作為本應乏味的功率利基市場的一部分在背景中萎靡不振。
所以電動汽車需要更多的電力,因此功率水平最高可達傳統(tǒng)汽車的 20 倍。所以內(nèi)燃機、ICE……我的意思是,對于工程師來說,對于試圖優(yōu)化電力網(wǎng)絡的電力工程師來說,這種增長是一個重大挑戰(zhàn)。還有基礎設施、充電站、電網(wǎng)。如您所知,汽車現(xiàn)在更加電動化,我們可以這么說。所以我們不需要機械工程師,我的意思是。而在這種情況下,問題也是:我們?nèi)绾胃脑炫f的機械工程師?換句話說,如何從與內(nèi)燃機汽車相關的職業(yè)轉向電動汽車。我們確實需要在這些新興領域(電動汽車)具有特定資格的新專業(yè)人員。
對于 FTEX,目前的挑戰(zhàn)是開始制造。所以我們已經(jīng)開始預制造了。你知道,在路上建立一個原型需要 20% 的努力,而 80% 的工作真的就像是讓這個原型對每個人都具有良好的功能,并具有良好的故障率和良好的良率。當然,供應鏈現(xiàn)在是一個我們必須解決的大問題。
從家用電器、筆記本電腦和數(shù)據(jù)中心到電動汽車,電源轉換系統(tǒng)是每個電子設備的核心。在這個與 Wise-Integration 首席執(zhí)行官 Thierry Bouchet 的播客中,我們將發(fā)現(xiàn) GaN 在電源轉換解決方案中的優(yōu)勢。Wise-Integration 是 CEA-LETI 的衍生公司,是一家從臺積電開發(fā) GaN 集成解決方案的公司,以使電源小型化并提高能源效率。
下一代功率器件必須采用滿足性能、效率和價值要求的技術。正如您所提到的,GaN 已成為主要組件。然而,在評估 GaN 解決方案時,出現(xiàn)了一個問題,即什么是該應用的最佳解決方案。例如,GaN-on-silicon 和 GaN-on-silicon-carbide 或 GaN-on-GaN。在這種情況下,我們談論的是垂直 GaN。GaN的默認襯底是硅或-碳化硅,對于碳化硅,在射頻領域有很多應用,如你所知。在 GaN-on-GaN 中,我發(fā)現(xiàn)與其他產(chǎn)品相比,碳化硅的導熱性比 GaN 高得多。你怎么看?技術在這方面的挑戰(zhàn)和方向是什么?
電源完整性是一個復雜的領域,對于非常高性能的設計,電磁 (EM) 仿真成為一種重要工具,但由于成本原因,大多數(shù)制造商無法使用。像本系列中的往常一樣,我們不會討論復雜的理論。相反,讓我們討論一下制造商應該了解的有關為 ADC 供電的基礎知識。
長期以來,將功耗降至最低一直是許多設計的主要目標。原因從顯而易見的電池供電電路和綠色系統(tǒng),到可能不那么明顯的電源最小化和成本降低。大多數(shù)設計人員只是尋找具有最低功耗規(guī)格的產(chǎn)品。雖然較低的時鐘頻率通常意味著較低的功耗,但使用突發(fā)模式操作可以進一步降低功耗。本文介紹了使用突發(fā)模式操作來最小化 ADC(模數(shù)轉換器)的平均功耗。
ADC 將現(xiàn)實世界的模擬信號(如聲音、溫度、壓力和光)轉換為可在數(shù)字域中處理的數(shù)字信號。 模擬設計工程師喜歡說“世界是模擬的”,但今天大多數(shù)信號處理都是由數(shù)字計算機完成的——模擬計算機的時代早已結束。本文概述了 ADC,并就如何成功應用它們提出了建議。
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