Menlo Micro 的創(chuàng)始人在還是 GE 員工時(shí)就開(kāi)始了與康寧的研發(fā)工作。該團(tuán)隊(duì)花了數(shù)年時(shí)間從頭開(kāi)始開(kāi)發(fā)玻璃工藝。憑借 GE 超過(guò) 4000 萬(wàn)美元的支持和超過(guò) 12 年的研發(fā)，Menlo Micro 團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)了一種技術(shù)，最終將引導(dǎo)他們找到當(dāng)今電子開(kāi)關(guān)的解決方案。他們?cè)?GE 的經(jīng)歷激發(fā)了一種新的思維方式，從而產(chǎn)生了一種新的開(kāi)關(guān)類別，能夠經(jīng)濟(jì)高效地?cái)U(kuò)展微機(jī)械開(kāi)關(guān)制造。
Navitas Semiconductor 是一家主要的氮化鎵 (GaN) 功率器件供應(yīng)商，在拉斯維加斯舉行的 CES 2023 上展示了其最新產(chǎn)品。這些基于 GaN 的設(shè)備涵蓋從 20-W 手機(jī)充電器到 2-kW 數(shù)據(jù)中心電源和 20-kW 電動(dòng)汽車 (EV) 充電器到兆瓦級(jí)并網(wǎng)產(chǎn)品。
根據(jù)斯克里普斯研究所和勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的化學(xué)家和材料科學(xué)家的一項(xiàng)研究，一種可以形成柔性薄膜的新型聚硫酸鹽化合物具有的特性使其成為許多高性能電子元件的首選材料。 LBNL)。
得克薩斯州奧斯汀——為了更緊密地集成經(jīng)常分離的設(shè)計(jì)和測(cè)試島，美國(guó)國(guó)家儀器公司 (National Instruments Corp.) 收購(gòu)了總部位于多倫多的 Electronics Workbench，后者是廣受歡迎的 MultiSim 板級(jí)仿真包的供應(yīng)商，兩家公司將于今天宣布。 出售條款沒(méi)有披露。MultiSim 擁有大約 180,000 個(gè)席位，大致分為商業(yè)印刷電路板設(shè)計(jì)師以及兩年制和四年制工程學(xué)院的教授和學(xué)生。
一個(gè)快速的電脈沖完全翻轉(zhuǎn)了材料的電子特性，開(kāi)辟了通往超快、受大腦啟發(fā)的超導(dǎo)電子產(chǎn)品的途徑。 物理學(xué)家發(fā)現(xiàn)了一種在魔角石墨烯中開(kāi)啟和關(guān)閉超導(dǎo)性的新方法。這一發(fā)現(xiàn)可能會(huì)導(dǎo)致超快、節(jié)能的超導(dǎo)晶體管用于“神經(jīng)形態(tài)”電子產(chǎn)品，其工作方式類似于人腦中神經(jīng)元的快速開(kāi)/關(guān)放電。這一發(fā)現(xiàn)可能會(huì)導(dǎo)致超快、高能效的超導(dǎo)晶體管用于神經(jīng)形態(tài)設(shè)備——電子設(shè)備的設(shè)計(jì)方式類似于人腦中神經(jīng)元的快速開(kāi)/關(guān)放電。
傳統(tǒng)上，電源設(shè)計(jì)人員必須使用分立晶體管和多個(gè)外部元件(例如驅(qū)動(dòng)器、電平轉(zhuǎn)換器、傳感器、自舉電路和外圍設(shè)備)構(gòu)建半橋電路。Navitas Semiconductor最近宣布推出業(yè)界首款 GaNSense 半橋功率 IC，采用緊湊型 6×8-mm 表面貼裝 PQFN 封裝。
碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體在處理高功率和導(dǎo)熱方面比電動(dòng)汽車 (EV) 系統(tǒng)和能源基礎(chǔ)設(shè)施中的傳統(tǒng)硅更有效的能力現(xiàn)已得到廣泛認(rèn)可。SiC 器件有助于更有效地將電力從電池傳輸?shù)?EV 系統(tǒng)組件中的電機(jī)，從而將 EV 的行駛里程增加 5% 至 10%。
在過(guò)去的幾十年里，碳化硅和氮化鎵技術(shù)的進(jìn)步以發(fā)展、行業(yè)接受度的提高和有望帶來(lái)數(shù)十億美元的收入為特征。第一個(gè)商用 SiC 器件于 2001 年以德國(guó)英飛凌的肖特基二極管形式問(wèn)世。隨之而來(lái)的是快速發(fā)展，到 2026 年，該行業(yè)有望超過(guò) 40 億美元。
碳化硅 (SiC) 用于各種應(yīng)用已有 100 多年的歷史。然而，如今半導(dǎo)體材料比以往任何時(shí)候都更受歡迎，這在很大程度上是由于其在工業(yè)應(yīng)用中的使用。
電力電子新技術(shù)的發(fā)展已將工業(yè)市場(chǎng)引向其他資源以優(yōu)化能源效率。硅和鍺是當(dāng)今用于生產(chǎn)半導(dǎo)體的兩種主要材料。損耗和開(kāi)關(guān)速度方面的有限發(fā)展已將技術(shù)引向新的寬帶隙資源，例如碳化硅 (SiC)。
作為一個(gè)謹(jǐn)慎的以模擬為中心的工程師，我一直很喜歡傳統(tǒng)的基于熱的保險(xiǎn)絲，并且由于它們的有源元件而對(duì)電子保險(xiǎn)絲(也寫(xiě)為 e-fuses 或 eFuses)有些懷疑。畢竟，在可靠性方面，簡(jiǎn)單幾乎總是更好，而且沒(méi)有什么比熱熔斷器在功能上更簡(jiǎn)單的了。我并不是要從技術(shù)上貶低它們，因?yàn)樗鼈儗?shí)際上融合了先進(jìn)的材料科學(xué)和技術(shù);它們的功能很簡(jiǎn)單。
對(duì)于許多與 EMC 有關(guān)的問(wèn)題，最佳答案是“視情況而定”，因此可能并非所有情況都只有一個(gè)答案。我會(huì)嘗試在答案中包含我的假設(shè)。為了清楚起見(jiàn)，對(duì)問(wèn)題進(jìn)行了編輯。
從 EPC 的角度來(lái)看，我們將通過(guò)我們的 GaN 器件推出全新一代技術(shù)。所以那將是一個(gè)令人興奮的發(fā)布。我們顯然也期待與我們?cè)谄囆袠I(yè)以及最近真正起飛的太陽(yáng)能行業(yè)的合作伙伴公司討論我們?cè)?GaN 方面的所有新技術(shù)。因此，電源解決方案的設(shè)計(jì)人員面臨挑戰(zhàn)，并且越來(lái)越多地轉(zhuǎn)向所謂的寬帶隙技術(shù)來(lái)克服硅的局限性。其中之一是 GaN，您非常了解它。所以正如你在一篇文章中所說(shuō)，GaN技術(shù)有一個(gè)硅無(wú)法比擬的優(yōu)勢(shì)。這就是將功率器件與信號(hào)和數(shù)字器件集成的能力。那么你在哪里押注 GaN，為什么?
我們討論電源管理方面的下一個(gè)挑戰(zhàn)，例如效率、熱管理和工程中重要的特性。那么最關(guān)鍵的是什么，你對(duì)市場(chǎng)有什么建議? 歸根結(jié)底，實(shí)際上一切都與效率有關(guān)，不是嗎?正確的?無(wú)論您是在談?wù)撛O(shè)備本身的效率，還是正在充電的設(shè)備，您提出的所有這些問(wèn)題、熱管理、密度，所有這些都真正下降，無(wú)法實(shí)現(xiàn)或無(wú)法改進(jìn)更高的效率。我相信，我讀過(guò)美國(guó)家庭平均擁有大約 25 臺(tái)聯(lián)網(wǎng)設(shè)備。所以這些是設(shè)備，每一個(gè)都需要充電，其中很多是每天充電，有些是永久充電。因此，僅在美國(guó)，更不用說(shuō)歐洲、中國(guó)等地的數(shù)億家庭，這就是一個(gè)巨大的負(fù)擔(dān)。所以它真的需要被驅(qū)動(dòng)，對(duì)嗎?它需要在效率方面得到全方位的推動(dòng)。
垂直結(jié)構(gòu)通常被認(rèn)為有利于高電壓、高功率器件，因?yàn)樗阌陔娏鲾U(kuò)散和熱管理，并允許在不增大芯片尺寸的情況下實(shí)現(xiàn)高電壓幾乎所有商用的MV/HV Si和SiC功率器件都是基于垂直結(jié)構(gòu)此外，與GaN-on-Si外延相比，GaN-on-GaN同質(zhì)外延層具有更低的位錯(cuò)密度，(VON)是由GaN的大能帶隙引起的。先進(jìn)的sbd是非?？扇〉?，因?yàn)樗鼈兘Y(jié)合了肖特基樣正向特性(具有低VON)和pn樣反向特性(峰值電場(chǎng)從表面移到半導(dǎo)體中)。
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